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题名电容式触摸屏嵌入式闪存控制电路的设计与实现
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作者
张明
于奇
张弛
陈友波
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机构
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
深圳贝特莱电子科技有限公司
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出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第5期657-660,666,共5页
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基金
中央高校基本科研业务费专项资金资助(ZYGX2010J040)
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文摘
通过研究嵌入式闪存结构和接口及其时序信息,结合电容式触摸屏的应用环境,同时考虑闪存测试的需求,设计并实现了一种嵌入式闪存专用控制电路。设计以I2 C(Inter-Integrated Circuit)总线作为与主机的接口,定义了一套操作指令,实现了主机对闪存的读写和擦除等基本操作,完成了RTL(Register Transfer Level)代码编写。基于Ncsim仿真软件对电路进行功能仿真,结果表明,电路工作状态转换正常,可以进入测试模式进行测试,主机与MCU(Micro Controller Unit)都可以正常读写和擦除闪存。
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关键词
电容式触摸屏
嵌入式闪存
闪存测试
内置集成电路总线
微控制器
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Keywords
Capacitive touch panel
Embedded flash memory
Flash memory test
I^2C bus
MCU EEACC. 2570D
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分类号
TN432
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名应用于模数转换的高精度带隙基准源
被引量:8
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作者
朱欢
王向展
张弛
闫小艳
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机构
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
深圳市贝特莱电子科技有限公司
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出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第11期55-58,共4页
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基金
中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(No.ZYGX2010J040)
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文摘
设计了一种应用于模数转换的高精度带隙基准电压源和电流源电路,利用温度补偿技术,该电路能分别产生零温度系数的基准电压VEEF、零温度系数的基准电流IZVAV。仿真结果显示,采用标准0.18μmCMOS工艺,在室温27℃和2.8V电源电压的条件下,电路工作频率为10Hz和1kHz时,电源抑制比(PSRR)分别为-107dB和-69dB,‰F及IZTAT的温度系数分别是20.6×10-6/℃和40.3×10-6/℃,功耗为238uw,可在2.4~3.6V电源电压范围内正常工作。
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关键词
模数转换
带隙基准源
电源抑制比
温度系数
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Keywords
analog-to-digital conversion
bandgap reference
power supply rejection ratio
temperature coefficient
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分类号
TM277
[一般工业技术—材料科学与工程]
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题名一种片上系统复位电路的设计
被引量:6
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作者
孙国志
宁宁
张弛
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机构
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
深圳贝特莱电子科技有限公司
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出处
《电子技术应用》
北大核心
2012年第12期32-35,共4页
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文摘
设计了一种片上系统(SoC)复位电路。该电路能对外部输入信号进行同步化处理以抑制亚稳态,采用多级D触发器进行滤波提升抗干扰能力,并且控制产生系统所需的复位时序以满足软硬件协同设计需求。同时,完成了可测性设计(DFT)。基于Xilinx spartan-6 FPGA进行了验证。结果表明该电路可以抑制90μs以下的外部干扰信号,并能正确产生系统所需的复位信号。
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关键词
片上系统
复位电路
亚稳态
DFT
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Keywords
system on chip
reset circuit
metastability
DFT
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分类号
TN431
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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