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SiB455EDK:TrenchFET功率MOSFET
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《世界电子元器件》 2010年第2期43-43,共1页
Vishay推出新款12VP沟道第三代TrenchFET功率MOSFET SiB455EDK。该器件采用热增强的PowerPAKSC.75封装,占位面积为1,6mm×1.6mm。
关键词 功率MOSFET 第三代 P沟道 封装 器件
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RF2604线性中频放大器
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作者 潘江东 《世界电子元器件》 1999年第2期46-48,共3页
美国RF Micro Devices(RFMD)公司成立于1991年,虽然成立时间较短,但已经发展为全球无线市场射频集成电路(RFIC)的主要供应商之一,其产品涉及无线通信的各个领域。主要包括功率放大器、线性CATV放大器、通用放大器、调制与升频器、混频... 美国RF Micro Devices(RFMD)公司成立于1991年,虽然成立时间较短,但已经发展为全球无线市场射频集成电路(RFIC)的主要供应商之一,其产品涉及无线通信的各个领域。主要包括功率放大器、线性CATV放大器、通用放大器、调制与升频器、混频器、正变解渊器、前端、可编程衰减器、中频放大器、收发器以及电压控制震荡器等一系列IC产品。 展开更多
关键词 线性中频放大器 RF2604 频带放大器
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