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SiB455EDK:TrenchFET功率MOSFET
1
《世界电子元器件》
2010年第2期43-43,共1页
Vishay推出新款12VP沟道第三代TrenchFET功率MOSFET SiB455EDK。该器件采用热增强的PowerPAKSC.75封装,占位面积为1,6mm×1.6mm。
关键词
功率MOSFET
第三代
P沟道
封装
器件
下载PDF
职称材料
RF2604线性中频放大器
2
作者
潘江东
《世界电子元器件》
1999年第2期46-48,共3页
美国RF Micro Devices(RFMD)公司成立于1991年,虽然成立时间较短,但已经发展为全球无线市场射频集成电路(RFIC)的主要供应商之一,其产品涉及无线通信的各个领域。主要包括功率放大器、线性CATV放大器、通用放大器、调制与升频器、混频...
美国RF Micro Devices(RFMD)公司成立于1991年,虽然成立时间较短,但已经发展为全球无线市场射频集成电路(RFIC)的主要供应商之一,其产品涉及无线通信的各个领域。主要包括功率放大器、线性CATV放大器、通用放大器、调制与升频器、混频器、正变解渊器、前端、可编程衰减器、中频放大器、收发器以及电压控制震荡器等一系列IC产品。
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关键词
线性中频放大器
RF2604
频带放大器
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职称材料
题名
SiB455EDK:TrenchFET功率MOSFET
1
机构
深圳隽捷公司
出处
《世界电子元器件》
2010年第2期43-43,共1页
文摘
Vishay推出新款12VP沟道第三代TrenchFET功率MOSFET SiB455EDK。该器件采用热增强的PowerPAKSC.75封装,占位面积为1,6mm×1.6mm。
关键词
功率MOSFET
第三代
P沟道
封装
器件
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
RF2604线性中频放大器
2
作者
潘江东
机构
深圳
隽捷
科技
公司
出处
《世界电子元器件》
1999年第2期46-48,共3页
文摘
美国RF Micro Devices(RFMD)公司成立于1991年,虽然成立时间较短,但已经发展为全球无线市场射频集成电路(RFIC)的主要供应商之一,其产品涉及无线通信的各个领域。主要包括功率放大器、线性CATV放大器、通用放大器、调制与升频器、混频器、正变解渊器、前端、可编程衰减器、中频放大器、收发器以及电压控制震荡器等一系列IC产品。
关键词
线性中频放大器
RF2604
频带放大器
分类号
TN722.13 [电子电信—电路与系统]
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题名
作者
出处
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1
SiB455EDK:TrenchFET功率MOSFET
《世界电子元器件》
2010
0
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职称材料
2
RF2604线性中频放大器
潘江东
《世界电子元器件》
1999
0
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