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基于AlGaN/GaN HEMT结构的氢气传感器
被引量:
5
1
作者
郭智博
汪莱
+1 位作者
郝智彪
罗毅
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第12期1089-1092,共4页
制作了栅极修饰金属Pt的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管结构的氢气传感器。栅极Pt采用溅射的方法制作,主要起到形成肖特基接触并催化氢气裂解的作用。器件的栅极敏感区域尺寸为5μm×400μm,对常温下氢气浓度为2×10-6至6216×...
制作了栅极修饰金属Pt的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管结构的氢气传感器。栅极Pt采用溅射的方法制作,主要起到形成肖特基接触并催化氢气裂解的作用。器件的栅极敏感区域尺寸为5μm×400μm,对常温下氢气浓度为2×10-6至6216×10-6的氢气/氮气混合气进行了检测。结果表明,在VGS=-1.5 V,VDS=1 V的工作偏压下,10倍的氢气浓度变化平均引起33.9%的灵敏度变化量。同时,器件对2×10-6的氢气具有6.3%的灵敏度,表现出了具有竞争力的低浓度检测极限。
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关键词
ALGAN
GAN高电子迁移率晶体管
氢气传感
灵敏度
恢复特性
下载PDF
职称材料
基于X射线衍射的GaN薄膜厚度的精确测量
2
作者
李洪涛
罗毅
+6 位作者
席光义
汪莱
江洋
赵维
韩彦军
郝智彪
孙长征
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第11期7119-7125,共7页
结合Williamson-Hall plot方法和线型分析方法的优点,提出了一种有效分离有限晶粒尺寸和非均匀应力等X射线衍射展宽效应的方法,可以用于GaN外延层厚度等参数的快速精确测量.用该方法对一系列在蓝宝石衬底上生长的厚度在0.7—4.2μm的Ga...
结合Williamson-Hall plot方法和线型分析方法的优点,提出了一种有效分离有限晶粒尺寸和非均匀应力等X射线衍射展宽效应的方法,可以用于GaN外延层厚度等参数的快速精确测量.用该方法对一系列在蓝宝石衬底上生长的厚度在0.7—4.2μm的GaN外延膜进行了测量,并与椭圆偏振光谱法测量结果进行了比较,结果表明其差别<4%,反应了这种方法的准确性.
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关键词
GAN薄膜
厚度测量
X射线衍射
原文传递
题名
基于AlGaN/GaN HEMT结构的氢气传感器
被引量:
5
1
作者
郭智博
汪莱
郝智彪
罗毅
机构
清华
信息科学
与技术
国家
实验室
(
筹
)/
集成
光电子学
国家
重点
实验室
清华大学电子工程系
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第12期1089-1092,共4页
基金
国家重点基础研究发展计划(2011CB301902
2011CB301903)
+6 种基金
国家高技术研究发展计划(2011AA03A112)
国家自然科学基金项目(60723002
50706022
60977022
51002085)
北京市自然科学基金重点项目(4091001)
深圳市产学研和公共科技专项资助项目(08CXY-14)资助的课题
文摘
制作了栅极修饰金属Pt的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管结构的氢气传感器。栅极Pt采用溅射的方法制作,主要起到形成肖特基接触并催化氢气裂解的作用。器件的栅极敏感区域尺寸为5μm×400μm,对常温下氢气浓度为2×10-6至6216×10-6的氢气/氮气混合气进行了检测。结果表明,在VGS=-1.5 V,VDS=1 V的工作偏压下,10倍的氢气浓度变化平均引起33.9%的灵敏度变化量。同时,器件对2×10-6的氢气具有6.3%的灵敏度,表现出了具有竞争力的低浓度检测极限。
关键词
ALGAN
GAN高电子迁移率晶体管
氢气传感
灵敏度
恢复特性
Keywords
AlGaN/GaN HEMT, Hydrogen sensing, Sensitivity, Recovery characteristics
分类号
TN386.3 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
基于X射线衍射的GaN薄膜厚度的精确测量
2
作者
李洪涛
罗毅
席光义
汪莱
江洋
赵维
韩彦军
郝智彪
孙长征
机构
清华
信息科学
与技术
国家
实验室
(
筹
)/
集成
光电子学
国家
重点
实验室
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第11期7119-7125,共7页
基金
国家自然科学基金(批准号:60536020,60723002)
国家重点基础研究发展计划(973)项目(批准号:2006CB302801,2006CB302804,2006CB302806,2006CB921106)
+1 种基金
国家高技术研究发展计划(863)(批准号:2006AA03A105)
北京市科委重大计划(批准号:D0404003040321)资助的课题~~
文摘
结合Williamson-Hall plot方法和线型分析方法的优点,提出了一种有效分离有限晶粒尺寸和非均匀应力等X射线衍射展宽效应的方法,可以用于GaN外延层厚度等参数的快速精确测量.用该方法对一系列在蓝宝石衬底上生长的厚度在0.7—4.2μm的GaN外延膜进行了测量,并与椭圆偏振光谱法测量结果进行了比较,结果表明其差别<4%,反应了这种方法的准确性.
关键词
GAN薄膜
厚度测量
X射线衍射
Keywords
GaN films,thickness measurement,X-ray diffraction
分类号
O484.5 [理学—固体物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于AlGaN/GaN HEMT结构的氢气传感器
郭智博
汪莱
郝智彪
罗毅
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
5
下载PDF
职称材料
2
基于X射线衍射的GaN薄膜厚度的精确测量
李洪涛
罗毅
席光义
汪莱
江洋
赵维
韩彦军
郝智彪
孙长征
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
0
原文传递
已选择
0
条
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参考文献
引证文献
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