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基于AlGaN/GaN HEMT结构的氢气传感器 被引量:5
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作者 郭智博 汪莱 +1 位作者 郝智彪 罗毅 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第12期1089-1092,共4页
制作了栅极修饰金属Pt的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管结构的氢气传感器。栅极Pt采用溅射的方法制作,主要起到形成肖特基接触并催化氢气裂解的作用。器件的栅极敏感区域尺寸为5μm×400μm,对常温下氢气浓度为2×10-6至6216×... 制作了栅极修饰金属Pt的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管结构的氢气传感器。栅极Pt采用溅射的方法制作,主要起到形成肖特基接触并催化氢气裂解的作用。器件的栅极敏感区域尺寸为5μm×400μm,对常温下氢气浓度为2×10-6至6216×10-6的氢气/氮气混合气进行了检测。结果表明,在VGS=-1.5 V,VDS=1 V的工作偏压下,10倍的氢气浓度变化平均引起33.9%的灵敏度变化量。同时,器件对2×10-6的氢气具有6.3%的灵敏度,表现出了具有竞争力的低浓度检测极限。 展开更多
关键词 ALGAN GAN高电子迁移率晶体管 氢气传感 灵敏度 恢复特性
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基于X射线衍射的GaN薄膜厚度的精确测量
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作者 李洪涛 罗毅 +6 位作者 席光义 汪莱 江洋 赵维 韩彦军 郝智彪 孙长征 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第11期7119-7125,共7页
结合Williamson-Hall plot方法和线型分析方法的优点,提出了一种有效分离有限晶粒尺寸和非均匀应力等X射线衍射展宽效应的方法,可以用于GaN外延层厚度等参数的快速精确测量.用该方法对一系列在蓝宝石衬底上生长的厚度在0.7—4.2μm的Ga... 结合Williamson-Hall plot方法和线型分析方法的优点,提出了一种有效分离有限晶粒尺寸和非均匀应力等X射线衍射展宽效应的方法,可以用于GaN外延层厚度等参数的快速精确测量.用该方法对一系列在蓝宝石衬底上生长的厚度在0.7—4.2μm的GaN外延膜进行了测量,并与椭圆偏振光谱法测量结果进行了比较,结果表明其差别<4%,反应了这种方法的准确性. 展开更多
关键词 GAN薄膜 厚度测量 X射线衍射
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