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陶瓷基板上的集成微电感模型与制作 被引量:1
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作者 王建卫 蔡坚 +1 位作者 窦新玉 王水弟 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第11期1074-1077,共4页
对陶瓷基板上的集成微电感模型进行了分析。由于陶瓷基板的介电常数比Si基板低,电阻率极高,因此衬底损耗大大减小,从而有效提高了电感的Q值。同时,为了更好进行对比,研究中采用相同工艺在陶瓷基板和Si基板上同批制作了集成电感,两者的... 对陶瓷基板上的集成微电感模型进行了分析。由于陶瓷基板的介电常数比Si基板低,电阻率极高,因此衬底损耗大大减小,从而有效提高了电感的Q值。同时,为了更好进行对比,研究中采用相同工艺在陶瓷基板和Si基板上同批制作了集成电感,两者的结构参数完全一致。测试结果表明,两者的电感值L基本相同,然而陶瓷基板上集成微电感Q值的峰值要比Si基板集成微电感高7左右,Si基板上Q值峰值在5 GHz以下,而陶瓷基板集成微电感的Q值峰值在10 GHz左右。 展开更多
关键词 陶瓷基板 集成微电感 Q值 薄膜集成
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