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题名陶瓷基板上的集成微电感模型与制作
被引量:1
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作者
王建卫
蔡坚
窦新玉
王水弟
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机构
清华信息科学与技术国家实验室(筹)
清华大学微电子学研究所
清华大学信息技术研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第11期1074-1077,共4页
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基金
国家重大科技专项(2009ZX02038)
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文摘
对陶瓷基板上的集成微电感模型进行了分析。由于陶瓷基板的介电常数比Si基板低,电阻率极高,因此衬底损耗大大减小,从而有效提高了电感的Q值。同时,为了更好进行对比,研究中采用相同工艺在陶瓷基板和Si基板上同批制作了集成电感,两者的结构参数完全一致。测试结果表明,两者的电感值L基本相同,然而陶瓷基板上集成微电感Q值的峰值要比Si基板集成微电感高7左右,Si基板上Q值峰值在5 GHz以下,而陶瓷基板集成微电感的Q值峰值在10 GHz左右。
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关键词
陶瓷基板
集成微电感
Q值
薄膜集成
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Keywords
ceramic substrate
integrated micro-inductor
Q value
thin film integration
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分类号
TN409
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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