用激光探针测量半导体器件中的载流子浓度调制效应

本文采用１．３μｍＨｅ－Ｎｅ激光或ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ半导体激光作探针，实时、无损地测量硅半导体器件中的自由载流子浓度的变化．从理论上分析了器件内自由载流子浓度变化引起的折射率改变及由此产生的光相位调制．它适用干硅和砷化镓材料的电子和光电子器件．本方法也显示了在测量集成电路内部有源器件特性方面的潜在应用前景．

从CLEO’98看半导体激光器的最新进展

根据ＣＬＥＯ’９８ 会议报道的有关内容，综述了半导体激光器的发展状况。重点叙述了大功率ＬＤ、可见光ＬＤ、中红外ＬＤ 及垂直腔面发射半导体激光器（ＶＣＳＥＬ）

用相位模板法制备紫外光写入光纤布拉格光栅的研究

利用相位模板，在２４８ｎｍＫｒＦ准分子激光器光束的照射下，在国产高掺锗单模光纤中制作出了中心波长为１５４７ｎｍ，峰值反射率约为１０％，带宽为０．６４ｎｍ的折射率调制光纤布拉格光栅。

与电化学C-V测量相结合的光压谱(PVS)技术

本文介绍了与电化学C-V测量相结合的光压谱技术的基本原理、实验装置及其在研究化合物半导体材料方面的应用。

半导体光电子器件的研究进展

文章综述ＣＬＥＯ’９４及ＩＱＥＣ’９４会议报道的有关光电子器件的发展状况。叙述了大功率ＬＤ、蓝绿光ＬＤ、垂直腔面发射半导体激光器（ＶＣＳＥＬ）、可调谐ＬＤ及ＯＥＩＣ的最新研究进展。

激光器件的进展

本文根据１９９４年举行的第１０届国际激光与电光会议与国际量子电子学会议上有关激光器发展的报告综合而成。

p－GaAs／n－GaAs MOCVD外延层少子扩散长度的液结光伏谱测量和分析

用液结光伏谱方法首次在ＰＮ４３５０光伏谱仪上对用国产ＭＯＣＶＤ设备生长的九个ｐ－ＧａＡｓ／ｎ－ＧａＡｓ外延样品ｐ型外延层的少于扩散长度Ｌｎ和掺杂浓度ＮＡ的关系作了测量和分析．结果表明，Ｌｎ－ＮＡ关系对反应管的清洁度非常敏感．如果反应管经严格清洗，并仅生长ＧａＡｓ材料，那么Ｌｎ－ＮＡ关系同前人报道的无沾污生长的样品基本一致；否则Ｌｎ值就明显偏小．用本方法测定ＧａＡｓ外延层的Ｌｎ值具有简便、准确的优点，可作为检测ＧａＡｓ外延层质量的重要手段．

激光－光电子技术的新进展──’94 CLEO和’94 IQEC会议简介

激光－光电子技术的新进展──’９４ ＣＬＥＯ和’９４ ＩＱＥＣ会议简介江剑平（集成光电子学国家重点联合实验室清华大学实验区，北京１０００８４）１９９４年国际激光与电光会议’９４ＣＬＥＯ和国际量子电子学会议（’９４ｌＱＥＣ）于１９９４年５月８日到５月１...