碳纳米管阵列辐射的实验研究

为了对碳纳米管阵列的辐射特性进行实验研究,通过采用在微带天线上加载碳纳米管阵列的方法对碳纳米管阵列进行馈电,并比较了两种微带天线加载碳纳米管阵列辐射方向图的变化,结果发现加载前后天线的S11以及辐射方向图均有明显变化,说明碳纳米管阵列能够显著改变天线的辐射特性,与理论预测相符。最后针对实验现象做了一些定性的解释。

超顺排碳纳米管场发射电子源在射频离子微推进中和器中的应用

本文报告了采用超顺排碳纳米管场发射电子源实现射频离子微推进器离子束流中和控制的研究工作。所报道的超顺排碳纳米管场发射电子源可以在400~500 V的电压下输出约数毫安的电子流,可以满足推进器的中和任务要求,在轨性能良好。具有发射电压低,发射电流大,工作稳定可靠的特点。

钨摻杂氧化钒基非制冷红外探测器性能研究

氧化钒(VOx)作为热敏材料已经广泛应用在非制冷红外探测器中,其中热敏材料的性能对于最终器件性能的影响尤为关键。为了研究钨元素摻杂对氧化钒热敏薄膜材料的相变温度、热滞宽度、低温时的电阻温度系数的影响以及对探测器性能指标的影响,利用微电子加工工艺制备了钨摻杂与非钨摻杂氧化钒溅射薄膜红外探测器件,并利用黑体测试系统结合锁相放大器和频谱分析仪对器件性能指标进行了测试。结果表明,相比非钨掺杂器件,钨掺杂器件的相变温度降低了16℃左右,热滞宽度缩短了5℃左右,器件的响应电压则提高了0.15 m V,单位带宽噪声均方根电压降低了15 n V·Hz-1/2,从而使器件探测率提高。当辐射信号的调制频率为80 Hz时,非钨掺杂氧化钒探测器的探测率D*值为1.67×108cm·Hz1/2/W,而钨掺杂氧化钒探测器的探测率D*值为1.85×108cm·Hz1/2/W。可见,钨掺杂氧化钒探测器的探测率较非钨掺杂氧化钒探测器的探测率高。