微电子封装中等离子体清洗及其应用

随着微电子工艺的发展,湿法清洗越来越局限,而干法清洗能够避免湿法清洗带来的环境污染,同时生产率也大大提高。等离子体清洗在干法清洗中优势明显,本文主要介绍了等离子体清洗的机理、类型、工艺特点以及在微电子封装工艺中的应用。

吸收湿气对微电子塑料封装影响的研究进展

微电子塑料封装中常用的聚合物材料因易于吸收周围环境中的湿气而对器件本身的可靠性带来很大影响,本文回顾了封装材料中湿气扩散、湿应力及蒸汽压力的产生这3个互相联系过程的研究情况,从理论分析、特征参数描述及其实验测定、有限元模拟分析的角度来分别予以介绍．从已有的理论分析与实验结果中可以看出,塑封材料吸收湿气会给器件的可靠性带来诸多影响,湿气的吸收、扩散、蒸发等过程,实验测量,以及由湿气带来的其它相关问题正成为微电子封装可靠性研究领域中的新热点,受到越来越多的关注与重视．

基于微电子机械系统技术的高灵敏度电容式微传声器的研制

基于微电子机械系统（ＭＥＭＳ）技术的微传声器是当前国际上研究的热点。使用 ＭＥＭＳＩ艺制备的薄膜一般有着不可忽视的残余应力，极大的降低了膜的机械灵敏度。理论分析和数值模拟表明，纹膜结构可在不改变工艺条件的前提下，显著的降低残余应力的不良影响，大幅度增加膜的灵敏度。本文提出了一种使用ＭＥＭＳ技术制作的纹膜结构电容式微传声器，其制作工艺简单、重复性好，所用材料也能与 ＩＣＩ艺很好的兼容。圆片级测试的结果表明，在 １０ Ｖ的偏置电压下，这种微传声器在 ７ ｋＨｚ以下具有平直的频响，开路灵敏度可达 ４０ ｍv／Ｐａ，而其占用的芯片面积仅为 １．５ ×ｌ．５ ｍｍ２。进一步的研究可望将信号处理电路集成于片内，形成完整的微声学系统。

分子电子学

作为纳米电子学的一个重要分支,分子电子学在近年来得到了巨大的发展,并成为国际上研究的热点。本文介绍了各种分子器件的制作技术及基本工作原理,回顾了近年来分子电子学的最新进展,展望了分子电子学的未来发展。

21世纪微电子技术发展展望

1.集成电路技术的高速发展 几十年来集成电路（IC）技术一直以极高的速度发展。著名的摩尔（Moore）定则指出IC的集成度（每个微电子芯片上集成的器件数）,每3年左右为一代,每代翻两番,对应的IC制作工艺中的特征线宽每代缩小约30％。根据按比例缩小原理（Scaling Down Princi-ple）,特征线条越窄,IC的工作速度越快,单元功能消耗的功率就越低。

从微电子到纳电子

从器件优值(功耗-延时积)出发，在介绍了微电子和纳电子技术发展现况的同时，讨论了从微电子到纳电子的演变本质；同时指出，信息处理系统在SOC(片上系统)发展过程中变革的必然性，最后对纳电子学与微电子学内涵的主要差别进行了预测。

从ULSI芯片的性能能量效率展望21世纪信息电子学的发展

现行的ULSI正在并将继续沿着Moore定律高速发展．在其前进道路上会遇到哪些物理障碍,要解决哪些技术课题?当CMOS技术达到或接近其发展极限后,后续的信息电子学(包括纳电子学、bio-inspired电子学和量子信息处理等)前景又将如何?本文基于ULSI芯片的性能能量效率观点,对相关问题进行讨论．

增强知识创新实力 发展我国微电子技术

知识创新实力已成为一个经济强国的重要标志。在当前的许多高技术领域中,有无源源不断的创造性新产品已成为一个现代企业盛衰的决定性因素。提倡提高我国国民的创新精神,建立国家知识创新机制具有重要和深远的意义。在此,结合清华大学微电子所的工作,谈谈发展微电子技术中对“知识创新”的认识和相关做法。

电子辐照SiGe HBT和SiBJT的直流特性分析

研究了 1 MeV 不同剂量电子辐照前后 SiGe 异质结晶体管(HBT)的直流特性,并与 Si 双极晶体管(BJT)进行了比较。结果表明辐照后 SiGe HBT 的 IB基本不变,IC和β 都下降;随电子辐照剂量的增加,Ic和β 都减小。对 Si BJT 而言,IB和 IC与在相同辐照剂量辐照后的 SiGe HBT 相比都增大很多,β 下降幅度也很大。这说明 SiGe HBT 具有比 Si BJT 更好的抗辐照性能。对电子辐照后器件电学性能的变化机制进行了初步分析。

便携式电子系统的DC/DC开关电源系统结构设计和研究

介绍了 DC/DC开关稳压电源系统结构的设计 ,分析了提高电源转换效率的系统设计方法。提出了一种适于 LSI实现的

二次电子成分衬度成像方法在异质结半导体材料和器件的微结构研究中的应用

阐述了高分辨二次电子成分衬度像的成像原理、成像条件和实验方法，介绍了一种新的试样制备方法，讨论了各种制样方法的特点。以多层Ｐ＋Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／ｐＳｉ异质结内光发射红外探测器为例，介绍了二次电子成分衬度像观察技术在异质结半导体材料和器件微结构研究中的应用。将这种技术与通常的透射电子衍射衬度方法进行了比较，讨论了它在异质结半导体材料和器件中的应用前景。

Si/SiGe-OI应变异质结构的高分辨电子显微分析

为了研究失配应变的弛豫机理 ,利用高分辨电子显微镜 (HREM)对超高真空化学气相沉积 (U HVCVD) Si/Si Ge- OI材料横截面的完整形貌和不同层及各层之间界面区的高分辨晶格像进行观察 .发现此多层结构中存在 6 0°位错和堆垛层错 .结合 Matthews和 Blakeslee提出的临界厚度的模型和相关的研究结果对 6 0°位错组态的形成和存在原因进行了分析 .在具有帽层结构的 Si1 - x Gex 应变层靠近基体一侧的界面中仅存在单一位错 ,验证了

新型低驱动电压电子纸显示单元的研究

研制了一种基于介质上电润湿(electrow etting-on-d ielectric,EWOD)的新型低驱动电压电子纸反射式显示单元器件.本文分析了器件的工作原理以及性能影响因素,并提出用优化的氮化硅与碳氟聚合物复合介质层来改善器件的驱动电压.实验证实,器件在15V低电压驱动下成功实现了“开启”、“关闭”功能,其“开启”、“关闭”响应时间小于1/30 s.

电子辐照对开关电源中功率双极晶体管损耗的影响

功率双极晶体管的损耗是开关电源总损耗中的最多的器件之一,采用10 M eV电子辐照来降低功率双极晶体管的下降延时,以此来降低功率双极晶体管的关断损耗。在一个典型的充电器开关电源中,85 V交流输入电压下,功率双极晶体管总损耗最多降低了42%,系统效率提高了2.1%。

77KFowler－Nordheim电子注入和栅氧化层俘获特性研究

本文研究７７Ｋ下薄栅ＮＭＯＳＦＥＴ在Ｆ－Ｎ均匀电子注入时栅氧化层对电荷的俘获特性．发现沟道区上方栅氧化层将俘获净正电荷，使阈值电压下降；而栅边缘氧化层对电子的俘获明显增强，并高于室温下的对应值，从而导致ＮＭＯＳＦＥＴ关态特性变差，沟道电阻增大，以及电流驱动能力的显著降低；提出了栅边缘氧化层增强电子俘获的深能级中性陷阱机制．

应变硅n-MOSFET中电子迁移率的增强及其温度特性

采用减压化学气相淀积(RPCVD)技术在弛豫Si_(1-x)Ge_x虚拟衬底上赝晶生长应变硅层,以其为沟道材料制造得到的应变硅n-MOSFET表现出显著的性能提升。研究了通过改变Si_(1-x)Ge_x中Ge的摩尔组分x以改变硅帽层中的应变以及在器件制造流程中通过控制热开销来避免应变硅层发生弛豫等关键问题。在室温下,相对于体硅器件,应变硅器件表现出约87%的低场电子有效迁移率增强,在相同的过驱动电压下,饱和漏端电流增强约72%。在293 K到353 K的温度范围内研究了反型层电子有效迁移率和饱和漏端电流随温度的变化,实验结果表明,当温度升高时应变硅材料的电子迁移率增强倍数保持稳定。

基于电子束探测技术的VLSI路径延时故障测试方法

介绍了将电子束探测(EB-P)技术应用于路径延时故障的测试。首先用EB-P的工作原理和实验结果说明了用EB-P测量路径延时的可行性;随后讨论了一种将EB-P用作测试点的测试点插入技术。EB-P作为一种仅具可观性的测试点,较之于既可测又可观的测试点同样具有减少需实测路径延时故障数目,消除不可测路径延时故障的作用。此外,用EB-P作为测试点,还具有不会增加路径和延时、不用改动电路的物理结构、不会增加芯片面积。

环境法规对无铅以及无卤电子产业的影响

文章调研了电子产业对环境法规的反应措施,重点讨论了针对无铅焊料和无卤阻燃剂的反应。文中讨论了各种和电子产业相关的国际环境法规,同时还讨论了无铅和无卤电子产业的市场前景。除此之外,文中还举例阐述了工业界如何成功地实施了环境友好的转变。文中还针对日本、欧盟、美国和中国的环境法规则进行对比和讨论。虽然这些国家的环境法规有不同的范围,但是工业界对于法规的反应措施则是一致的。电子产品制造商们意识到环境法规带来的有利之处在于可以减少废弃物。