凝胶注模成型制备高性能氮化硅陶瓷(Ⅰ)──助烧剂包覆氮化硅粉料对材料性能的影响

用无机盐共沉淀法在氯化硅颗粒表面包覆一层纳米级的钇铝氧化物后，粉料的分散性大大提高，可用来制备团相体积分数为５０％的悬浮体，利用凝胶注模成型和气压烧结制备了氮化硅陶瓷，与机械混合加入助烧剂相比。

凝胶注模成型制备高性能的氮化硅陶瓷(Ⅱ)──冷等静压、粉料氧化处理和气压烧结对材料性能的影响

在对氮化硅粉料进行助烧剂包覆和凝胶注模成型的基础上，研究了冷等静压凝胶注模成型氮化 硅坯体、氧化氮化硅包覆料和气压烧结制度对凝胶皮模成型氮化硅陶瓷的杭弯强度和韦泊尔模数的影响 冷等静压有利干提高凝胶注模成型氮化硅陶瓷的力学性能，合适的粉料氧化制度和烧结制度都能提高材料 的抗弯强度和韦泊尔模数，实验采用优化的工艺，制备出的氨化硅陶瓷的三点弯曲强度和两参数韦伯尔模 数（２０个试样）分别高达 ９４４．７±２９．５ＭＰａ和 ３３．

后处理工艺对TiO2双掺Cr,Sb光催化活性的影响

利用共沉淀法制备了Cr,Sb共掺TiO2的光催化剂,采用不同的后处理工艺对光催化剂进行处理从而提高其光催化性能.研究结果表明:比表面、结晶度和Cl-的存在影响光催化剂的光催化活性.Cl-的存在使得光催化剂粉体团聚,降低了比表面,但光催化效率较高,这表明Cl-的存在降低了光生电子和空穴的复合速率,提高了光催化效率.采用有机溶剂处理可提高光催化剂的比表面,从而提高了光催化活性.

半导体基纳米复合材料光催化研究进展

综述了半导体多相光催化的基本原理、半导体基纳米复合材料的基本结构、制备方法及复合材料在光电化学方面对材料性能的影响.着重强调了半导体基纳米复合材料与单一的半导体材料相比光催化性能的提高,并对半导体基纳米复合材料在光催化领域的研究和应用提出了一些展望.

TiO_2双掺Cr,Sb的光催化性能研究

采用共沉淀法制备了金属离子双掺杂的TiO2 光催化剂,通过XRD,TEM,BET(表面积测定)和DRS(紫外-可见漫反射)测试手段对样品进行分析,以甲基橙为目标污染物对其进行光催化降解。研究结果表明:光催化活性是多种因素协同作用的结果,煅烧温度、掺杂以及样品的光吸收对光催化性能都产生影响。金属离子双掺杂可使光催化剂在可见光区具有光响应,在荧光汞灯激发下,其催化活性优于未掺杂的样品。