Ag／AuGeNi／n－GaSb欧姆接触的研究

研究了Ａｇ／ＡｕＧｅＮｉ／ｎ－ＧａＳｂ在１５０℃一４５０℃下合金处理对欧姆接触的影响，最佳合金温度为２２０℃，此时接触电阻率为６．７×１Ｏ－‘Ωｃｍ‘。用ＡＥＳ和ＸＲＤ研究了金属半导体界面处的扩散及物相变化，并讨论了接触电阻率与微结构的关系。

材料数据库的现状和发展

本文结合具体实例阐明了材料数据库在工程设计选材和新材料研究中的作用;对自1966年国际科技数据委员会成立以来数据库活动特别是材料数据库活动进行了概述;对数据库的发展方向提出了自己的看法。

多晶薄膜及表面层的XRD分析方法讨论

对多晶薄膜XRD分析的基本问题小角度衍射几何、非对称平行光束法和Seemann－Bohlin法的衍射几何强度计算，以及P－B法、S－B法对常规XRD分析的适应性进行了分析讨论。并对多晶薄膜XRD分析的当前进展、难点及发展作了分析。提出两种薄膜及表面层表征参量沿深度方向变化的情况下进行XRD深度分布分析的新方法，该方法具有真实深度尺度和定量的特点，并可用于界面分析。

3SDH串列静电加速器运行维护

本文概述了清华大学3SDH串列加速器近年运行中的几个主要问题及解决办法。

人工神经网络在钎焊材料酸洗工艺设计中的应用

本文将前向人工神经网络技术用于酸洗工艺设计过程，建立了钎焊材料的酸洗工艺设计模型，实验证明该模型能准确预测ＣｕＺｎＡｇ钎焊材料的酸洗效益、能有效设计不同前期生产条件下的酸洗工艺。

连续过渡型多晶物相深度分布的X射线衍射测试方法

提出了以X射线衍射测量连续过渡型多晶物相深度分布的方案.该方案在入射角大于全反射角的常规条件下,实现了严格的真实尺度下的物相定量深度分布测量.以计算谱对方法及程序的正确性进行了验证,并用实际样品对方法的可行性进行了验证.

X射线衍射多晶谱计算机深度层析技术探索

提出了一种可用于将来自不同真实深度处的X射线衍射谱信息各自分离出来的技术方案,可以得出不同深度处的衍射强度、峰位和线形.该方法是定量和无损的,并且其深度尺度是真实尺度.此外并提出了吸收深度的概念.这一技术可称为直接法X射线衍射计算机深度层析技术,其可行性用Ni/Mo.双层膜样品进行了初步验证.该方法可应用于定量无损地测量峰形、峰位和峰强的深度剖面,并有可能用于界面层分析.