Ca_xSr_(1-x)S: Bi,Tm,Cu和CaS: Eu荧光材料的研究

所作的一部分工作是对长余辉的荧光材料ＣａｘＳｒ１－ｘＳＢｉ，Ｔｍ，Ｃｕ（ｘ＝０，０．７５，１）进行了研究．ＣａＳ和ＳｒＳ两种基质材料高温互溶后，因为基质的晶体微结构上的变化引起Ｂｉ３＋离子荧光效应的变化，即发光的发射波数发生改变．另一部分工作是对ＣａＳＥｕ加入陷阱机制后发光效应的研究．新的陷阱机制的引进，使得其余辉效应有较大的延长．

Ca_(0.9)Sr_(0.1)S∶Bi^(3+),Tm^(3+)荧光材料的光学性质

Ca0 .9Sr0 .1S∶ Bi3 + ,Tm3 +是一种复合掺杂复合基质荧光材料。在此给出了 4 40 nm和 52 0 nm发射的激发谱 ,2 50 nm到 3 50 nm的激发的发射谱 ,以及 4 0 0 nm到 52 0 nm的荧光衰减谱。紫外光区域的激发谱表明 ,Ca0 .9Sr0 .1S∶ Bi3 + ,Tm3 + 有两个主要的能量传递体系 ,3 2 5nm的复合掺杂中心 Tm3 + 的 CT跃迁激发体系 ,和Bi3 + 的自身激发体系。紫外激发的荧光发射谱的中心发射波长在 4 53 nm处。在电子和空穴陷阱同时存在时 ,It=I0 [( 1 +γet) ( 1 +γht) ]-n,对于 Ca0 .9Sr0 .1S∶Bi3 + ,Tm3 +材料 γh=0 .0 1 68,γe=0 .0 0 0 1 ,n=1 .1。Tm3 +的电子陷阱深度约为 0 .5e V,比复合基质中的正离子空位的空穴陷阱要深。考虑复合基质材料的线性关系 ,电子陷阱的深度可表示为 De=βe-αx;空穴陷阱的深度可表示为 Dh=( βhc-αhx) x+( βhs-αhx) ( 1 -x)。

氧化铜/石墨烯的制备及其电化学性能

以膨胀石墨微粉为原料,采用氧化法制备了氧化石墨烯。并以此氧化石墨烯为前驱体,制备了具有"三明治"结构的氧化铜/石墨烯复合材料,采用原子力显微镜、X射线衍射仪、扫描和透射电子显微镜等分析方法对氧化石墨烯及氧化铜/石墨烯复合材料进行了表征。结果表明,氧化铜可有效地阻止石墨烯的团聚,同时石墨烯构成的三维导电网络加快了电子的迁移,并为氧化铜的体积膨胀收缩预留了足够的空间。与纯氧化铜和石墨烯相比,氧化铜/石墨烯复合材料作为锂离子负极材料的可逆容量和循环稳定性均有明显提升,首次可逆容量可以达到748.3 mAh.g-1,50次循环后保持率为81.3%。