化学气相沉积制备SiC涂层——I.热力学研究

对化学气相沉积（ＣＶＤ）法制备ＳｉＣ的热力学进行了系统研究，考察了Ｈ２－ＭＴＳ，Ａｒ－ＳｉＯ－Ｃ，Ｈ２－ＳｉＯ－ＣｘＨｙ，Ｈ２－ＳｉＨ４－ＣｘＨｙ等体系，着重研究了温度、压力、载气量和初始反应气体浓度对沉积单相ＳｉＣ的影响，以ＣＶＤ相图的形式给出了计算结果，这些相图对ＣＶＤ法制备ＳｉＣ的实验具有指导作用．

化学气相沉积制备SiC涂层——Ⅱ.动力学研究

１前言碳化硅材料具有很高的强度和硬度、低的热膨胀系数和良好的导热性能，是一种重要的高温结构材料和高温半导体材料［１］，有比较好的热稳定性和较高的击穿电压及宽广的能带结构．研究表明，在抗氧化温度低于１８００ｏＣ时，它是最好的抗氧化涂层材料［２］．碳化硅...

抗氧化石墨材料的实验研究

用一种新工艺——泥浆凝胶工艺制备了石墨材料抗氧化梯度膜，通过初级泥浆涂层和合理的实验参数控制，生成了致密的ＳｉＣ涂层。通过Ｘ射线衍射对涂层进行晶相分析，用扫描电镜分析涂层的成分，证实涂层中ＳｉＣ浓度呈梯度分布，因而缓和了涂层与基体间的热应力。氧化实验表明样品在１０００℃下氧化３００ｈ、１４００℃２００ｈ以及１６００℃、２０ｈ样品质量没有任何损失。