p型GaN欧姆接触的比接触电阻率测量

采用多种传输线模型方法,测量了p型GaN上的欧姆接触的比接触电阻率.通过比较和分析不同测量方法所得的结果之间的差异,得出了一个准确、可靠测量p型GaN上的欧姆接触的比接触电阻率的方法———圆点传输线模型方法.利用该方法优化了p型GaN上欧姆接触的退火温度,在氧气气氛中650℃退火后获得了最优的欧姆接触,其比接触电阻率为5 12×10-4Ω·cm2.

IP/WDM网络的虚拓扑设计

为解决IP网络与光网络融合过程中虚拓扑设计的问题,提出基于短光路优先建立的IP/WDM网络动态虚拓扑配置方法。该方法通过引入光通道跳距限制,避免长光路对资源的浪费,达到缩短光通道长度和增强光层建路能力的目的。仿真结果表明,利用该机制配置的虚拓扑进行业务梳理,能够在较宽的负载范围内降低网络阻塞率,提高业务梳理效率。

半导体照明产业化关键技术的国内外专利现状分析及应对策略

GaN基高亮度及功率型LED的各项关键技术方面存在着先行者拥有明显的先发优势,而后来者进入壁垒较大的客观现实。一些跨国公司掌握了一系列原创性的专利,引领着技术发展的潮流,并占有绝大多数的市场份额。但另一方面,本领域内的技术路线分布层面广、基本物理机制尚不清晰,各项关键技术的内容属于“know-how”的成分较多,给我们留下了足够的创新空间。目前就全球产业界而言,GaN管芯器件的可靠性与稳定性指标尚亟待提高。全球研发人员都在齐步努力中。这都是我们作为后发者大有可为之处的突破领域。

光纤无线电系统的线性动态范围研究

针对ROF(光纤无线电)通信系统中的线性动态范围的拓展问题,综述了国内外相关研究进展,梳理和阐述了影响系统动态范围的限制因素。着重介绍了基于双平行调制器结构和预失真思想的可抗色散的高线性调制技术。实验验证了原理与最佳实验条件的正确性;在25km单模光纤传输下,相比于典型ROF系统,采用新技术的系统无失真动态范围测量值提高了至少20dB。

全固源分子束外延1.55μm波段应变补偿InAsP/InGaP多量子阱材料

利用新型全固源分子束外延技术 ,对 1.5 5 μm波段应变补偿InAsP/InGaP多量子阱材料的生长进行了研究。在InAsP阱和InGaP垒之间插入InP中间层以减小阱和垒之间较大的剪切力。通过对生长材料的X射线衍射摇摆曲线和室温光致荧光光谱的比较 ,优化生长参数 ,获得了高质量的InAsP/InP/InGaP/InP应变补偿多量子阱结构 ,阱、垒、中间层的厚度分别为 7.1,6.0 ,1.9nm的 7个周期的应变补偿多量子阱材料室温光荧光谱半高全宽为 18.2meV ,是当前文献报道的 1.5 5 μm波段的InAsP多量子阱材料的最好结果之一。

层叠IP/WDM网络中的区分服务

为层叠IP/WDM网络提出基于光通路物理跳距评估的区分服务机制。在使用层叠模型的IP/WDM网络体系中,如IP/MPLS层不了解光通路的物理跳距,现有文献中以此信息为基础的区分服务策略即不再适用。采用光通路区分策略评估光通路的物理跳距,映射为连接消耗的波长资源量,使用QoS接入控制机制拒绝占用大量资源的低优先级连接请求。仿真结果表明,该机制能够为不同等级业务提供良好的区分服务。

基于相干自混频原理的马赫-曾德尔调制器偏置点的监测

提出并实现了用相干自混频方法监测马赫-曾德尔调制器(MZM)零偏置点漂移,将同一光源所产生的部分未调制光和调制后的光进行混频,利用混频光功率的最大最小值之比作为监测量监测。相比于监测信号光平均光功率的方法,可使±5%偏置点漂移下的灵敏度从0.02 dB提高到0.3 dB。利用设计完成的硬件反馈控制系统进行了多次实验,讨论了影响系统工作的各种因素及相应的解决办法,结果表明该方法工作有效。

差分相移键控信号的数字相干光检测与色散补偿研究与实现

利用光纤无源器件制作了光学90°混频器,实现了混频器90°相移的精确控制与监测,稳定时间达到12 h以上,利用此混频器研究并实现了数字相干光检测。对差分相移键控(DPSK)信号光和本振光进行混频,高速模数转换器(ADC)对混频后的基带信号采样,利用离线数字信号处理算法进行光载波相位估计和色散补偿,利用有限冲击响应(FIR)数字滤波器补偿了经过90 km光纤传输的8 Gb/s速率DPSK信号的色散失真,测量无误码。

高效率、高可靠性紫外LED封装技术研究

对硅胶和环氧树脂的紫外光透过率、耐紫外光辐照和耐热特性进行了对比研究,进而提出了一种高效率、高可靠性的波长小于380nm的紫外LED封装方案。实验结果表明,新封装结构的LED,发光功率提高了60%以上,是金属与玻璃透镜封装LED的2.7倍;连续工作800h后,发光功率衰减小于5%。

刻蚀端面AlGaInAs/AlInAs激光器的制作与特性

利用Cl2/BCl3/CH4电感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀技术,实现了对AlGaInAs,InP材料的非选择性刻蚀。AlGaInAs与InP的刻蚀速率分别为820nm/min与770nm/min,获得了刻蚀深度为4.9μm,垂直光滑的AlGaInAs/AlInAs激光器的刻蚀端面。在此基础上制作出宽接触的刻蚀端面AlGaInAs/AlInAs激光器,实现了室温脉冲激射,其阈值电流和微分量子效率与传统的解理端面激光器基本相当。并通过刻蚀端面与解理端面激光器特性的比较(包括电流-电压、电流-输出光功率以及远场特性),分析了刻蚀端面的引入对激光器特性的影响。