电磁加固设计余量可靠度与置信度评估算法分析

介绍了系统抗电磁脉冲性能评估的主要任务以及系统抗电磁脉冲加固性能的统计性描述方法,根据评估水平(或目标)的不同,将电磁脉冲试验分为4种类型,在此基础上分析了电磁加固设计余量评估中的随机误差来源,分析了总误差标准偏差的评定方法,介绍了一种设计余量下限估计及其对应可靠度与置信度的评定方法,分析了该方法应用的前提条件,并以某屏蔽舱内电子设备的加固设计余量评估计算为例,说明了算法的使用过程及注意事项。

电子器件生存概率及置信度的Bayes计算方法

针对工程实践中经常遇到的小子样问题,分别以无信息分布、正态分布、产生正态性能分布作为电子器件生存概率随机变量的验前分布,给出了二项抽样实验验后生存概率密度的具体形式,根据某电子器件电流损伤阈值实验数据,得到特定辐射环境下器件生存概率的Bayes点估计、一定置信度下的双边估计、单边估计。仿真结果表明,产生正态性能验前分布要优于无信息分布和正态验前分布,该方法可以应用到工程实践中。

MC法模拟核部件自发裂变中子活化瞬发γ能谱

在分析中子活化瞬发γ产生机理及瞬发γ射线强度计算方法基础上,提出了应用MCNP程序计算模拟核部件自发裂变中子活化放出瞬发γ能谱的直接模拟与分步模拟方法,对两种方法的计算结果及特点进行了比较分析。计算了模拟核部件核材料自发衰变产生的γ能谱,并与瞬发γ能谱进行了比较分析。本文结果可为核部件认证技术研究提供参考。

γ成像数值模拟与初步实验分析

基于Geant4模拟开发平台,对γ成像系统进行了被动式成像数值模拟,并用γ相机对标准密封γ点源进行辐射成像实验,初步分析了便携式γ射线成像系统的成像特点。结果表明:该系统成像效果与源强、距离、时间等密切相关,源强越强,距离越近,清晰成像所需时间也就越短,且可以准确定位γ放射源,精确热点分布定位。

MC法模拟不同中子源激励铀材料中子和γ飞行时间谱

为探索中子源激励探测铀材料应用技术,基于Geant4平台建立了中子源激励铀材料模拟中子和γ飞行时间谱的数学模型,模拟计算了利用不同中子源激励铀材料、使用不同探测器计数的中子和γ飞行时间谱,结果与已有相应实验谱特征相符。模拟结果表明:D-D和^(252)Cf源激励得到的中子和γ飞行时间谱有明显差异;在相同激励源和测量几何条件下,使用液体闪烁体探测器和塑料闪烁体探测器记录到的中子和γ飞行时间谱基本相同。本文结果可为外中子源激励探测铀材料技术研究提供参考。

小子样样本均值点估计的一种非参数方法

描述了极值分布分位点估计方法的原理和模拟退火算法,并对分位点函数展开式的系数进行了优化仿真计算,最后得到样本总体均值的点估计。针对小子样情况,如果对具体的分布不很明确了解,本文提供的均值点估计非参数方法可作为一种备选方法。

碲化镉探测系统应用中几个问题的实验分析

介绍了利用标准γ放射源对CdTe探测系统进行能量与探测效率刻度,以及对系统进行了性能测试(如能量分辨、系统的稳定性)的情况。在此基础上,分析探讨了CdTe探测系统在使用过程中需注意的几个问题。