一次性丁氯喘半导体传感器的研究

本文利用场效应晶体管与药物敏感膜相结合.研制成一种PVC膜丁氯喘半导体传感器。该传感器具有良好的能斯特响应。传感器对丁氯喘的线性范围为5×10^(-5)-1×10^(-1)mol/L,检测下限7×10^(-5)mol/L;响应斜率为60mV/dec;适宜的pH范围为2—9。

一次性多功能ISFET化学传感器的研制

以四 (十二烷基 )碘化铵为电活性物质 ,制成了对一系列阴离子响应的 PVC膜ISFET化学传感器 ,测定了对几种阴离子的响应斜率和检测范围 .该传感器具有较高的稳定性 ,重现性和选择性 ,并且制作简单、转换方便。

硫氰酸根离子敏半导体传感器的研制

本文报导的是ＰＶＣ膜硫氰酸根离子半导体传感器。该传感器具有全固态化，易微型化、集成化和多功能化等特点。并具有良好的能斯特响应。

DrugFET的研究(Ⅳ).硅钨酸-麻黄碱FET的研制与应用

将离子敏感场效应晶体管（ＩＳＦＥＴ）与药物敏感膜相结合，研制成一种对盐酸麻黄碱有良好响应的药物敏感场效应晶体管传感器（ＤｒｕｇＦＥＴ）。该器件具有全固态化，体积小，易微型化，集成化和多功能化，响应快速和低输出阻抗等优点。采用硅钨酸作为电活性物质，不必转型，制成ＰＶＣ膜ＩＳＦＥＴ，对麻黄碱响应的线性范围是１．０×１０－１～５．０×１０－６ｍｏｌ／Ｌ，斜率为５９ｍＶ／ｐｃ（ｃ＝ｍｏｌ／Ｌ），检测下限为２．０×１０－６ｍｏｌ／Ｌ，适宜ｐＨ值范围为４．５～８．０。利用该传感器分析盐酸麻黄碱片剂的含量，结果和药典分析方法相一致。

DrugFET的研究(XⅢ):四苯硼钠一烟碱FET的研制与应用

本文将离子敏感场效应晶体管（ＩＳＦＥＴ）与药物敏感膜相结合，研制成一种药物敏感场效应晶体管传感器（ＤｒｕｇＦＥＴ）。用四苯硼钠为电活性物质，邻苯二甲酸二辛酯为增塑剂，制成ｐｖｃ膜，对烟碱的线性范围为１．０×１０－２～２．０×１０－５ｍｏｌ／Ｌ，斜率为５７．５ｍｖ／ｐｃ，适宜ｐＨ范围为５．５～８．０，检出限为１．０×１０－６ｍｏｌ／Ｌ。用该传感器分析烟草中烟碱的含量，结果和分光光度法相一致。

磷钨酸涂覆ISFET制作DrugFET的研究

用磷钨酸涂覆离子敏感场效应晶体管（ＩＳＦＥＴ）制成药物敏感场效应晶体管（ＤｒｕｇＦＥＴ）。该器件具有全固态化、易微型化、集成化和多功能化等特点。用其对药物制剂的含量进行测定，所得结果和药典分析结果一致。

药物敏感场效应晶体管的研究 Ⅲ磷钨酸-麻黄碱敏感场效应晶体管的研制与应用

将离子敏感场效应晶体管（ＩＳＦＥＴ）与药物敏感膜相结合，研制成一种对麻黄碱有良好响应的药物敏感场效应晶体管传感器（ＤｒｕｇＦＥＴ）．该器件具有全固态化、体积小、易微型化、集成化和多功能化等优点．采用磷钨酸作电活性物质，制成ＰＶＣ膜ＩＳＦＥＴ，对麻黄碱的线性响应范围为３．０×１０－６～１．０×１０－１ｍｏｌ／Ｌ，检出限为１．０×１０－６ｍｏｌ／Ｌ，传感器适宜的ｐＨ范围为３．０～８．０．用该传感器分析麻黄碱片剂的含量，结果和药典方法吻合．

DrugFET的研究(Ⅵ)——硅钨酸-普鲁卡因FET的研制与应用

本研究是将离子敏感场效应晶体管(ISFET)与药敏感膜相结合,而研制成的一种对普鲁卡因有良好响应的药物敏感场效应晶体管传感器(DrugFET).它是一种以硅钨酸为电活性物质,制成的PVC膜ISFET.对盐酸普鲁卡因响应的线性范围是1.0×10^(-1)—3.0×10^(-5)mol/L,斜率为57.5mV/pC(C:mol/L),检测下限为1.0×10^(5)mol/L.适宜pH范围为3.0~8.0.利用该传感器分析盐酸普鲁卡因注射液的含量分析结果和药典方法相一致.

ISFET分析普鲁卡因的研究

报道了一种分析普鲁卡因的新型离子敏感场效应晶体管传感器。研究了以ＤＭ－β－ＣＤ、Ｎａ－ＴＰＢ为电活性物质时传感器的性能。以Ｎａ－ＴＰＢ为活性物质时，传感器对普鲁卡因的Ｎｅｒｎｓｔ响应范围为（１．０×１０－１～１．５×１０－５）ｍｏｌ／Ｌ，适宜ｐＨ范围为３．０～７．５，响应灵敏度为５７．５ｍＶ／ｐＣ，检出极限为８．５×１０－６ｍｏｌ／Ｌ。用其分析普鲁卡因注射液含量，结果和药典方法吻合。

杂多酸修饰离子敏感场效应晶体管的研究Ⅱ──硅钨酸 FET 的制备和应用

用硅钨酸修饰离子敏感场效应晶体，并且其分析盐酸黄莲素．传感器对黄莲素的能斯特响应范围是１．０×１０－３－５．０×１０－７ｍｏｌ／Ｌ斜率为５９ｍＶ／ＰＣ，适宜ｐＨ范围为２．０～１１．５，检测下限为７．０×１０－７ｍｏｌ／Ｌ。用其分析盐酸黄莲素片含量分析结果和药典方法相一致。

杂多酸修饰离子敏感场效应晶体管的研究Ⅰ──磷钨酸 FET 的制备和应用

用磷钨酸修饰离子敏感场效应晶体管，并用其分析盐酸麻黄碱。传感器对麻黄碱的能斯特响应范围是１．０×１０－１～３．０×１０－５ｍｏｌ／Ｌ，斜率为５８ｍＶ／ＰＣ，适宜ｐＨ范围为３．０～８．０，检测下限为１．０×１０－６ｍｏｌ／Ｌ．用其分析盐酸麻黄碱片剂含量，分析结果和药典方法相一致。

DrugFET的研究(XⅡ): 药物敏感膜的研究

药物敏感场效应晶体管（ＤｒｕｇＦＥＴ）是离子敏感场效应晶体管（ＩＳＦＥＴ）和药物敏感膜相结合的产物。本文研究了药物敏感膜的组成和配比，探讨了成膜的最佳条件，并对一些成膜体系对药物的响应性能进行了研究。以β－环糊精为电活性物质，邻苯二甲酸二辛酯为增塑剂制成药物敏感膜，对麻黄碱的响应范围为１．０ｍｏｌ／Ｌ～４．０×１０－５ｍｏｌ／Ｌ，斜率为５８．０ｍＶ／ｐＣ，适宜ｐＨ范围为４．５～８．０。用其分析麻黄碱片剂含量，分析结果和药典方法相一致。

DrugFET 的研究(X):β—CD 修饰离子敏感场效应晶体管的研究与应用

用β-环糊精修饰离子敏感场效应晶体管,研究了β-CD作为主体分子和一些客体分子的相互作用情况。麻黄碱与β-CD的相互作用,呈现良好的能斯特响应,斜率为58mV/pC,线性范围为1.0×10~0～4.0×10^(-5)mol/L,适宜pH范围为4.5～8.0,检测下限为2.0×10^(-5)mol/L。用该传感器分析盐酸麻黄碱片剂含量,分析结果和药典方法相一致。

H^+—ISFET响应机理研究的现状

本文对响应氢离子的基础离子敏感场效应晶体管的响应机理进行了讨论，比较了不同的栅极敏感膜的ＰＨ响应灵敏度。

硅钨酸修饰ISFET的研究

用硅钨酸修饰离子敏感场效应晶体管，制成药物敏感场效应晶体管（ＤｒｕｇＦＥＴ）。该传感器对一些药物有良好的响应，用其分析药物制剂的含量，结果和药典方法相一致。

利多卡因FETS的研制与应用

以四苯硼钠为电活性物质，邻苯二甲酸二丁酯为增塑剂与５％的聚氯乙烯四氢呋喃溶液混合，涂覆在离子敏感场效应晶体管（ＩＳＦＥＴ）的栅极上，制得一种对利多卡因响应的药物敏感离子场效应晶体管传感器（ＤｒｕｇＦＥＴ）。该传感器测定利多卡因的线性范围为０．０３～１０ｍｍｏｌ·Ｌ－１，斜率为５９．５ｍＶ／ｐｃ，适宜ｐＨ为２．５～６．０，检测下限为１０μｍｏｌ·Ｌ－１．用其分析盐酸利多卡因注射液含量，结果与药典方法相一致。