新型多级沟槽结势垒肖特基二极管

提出了一种新型多级沟槽结势垒肖特基(MTJBS)二极管结构,并利用Silvaco TCAD软件对其进行仿真优化.结果表明:在相同的结构参数下,当反向偏压等于1200 V时,JBS二极管的肖特基接触处的峰值电场比MTJBS二极管高50.0%;在1200 V反向偏压下,当器件表面峰值电场等于1 MV/cm时,JBS二极管肖特基接触面宽度为1.6μm,MTJBS二极管肖特基接触面宽度为3.0μm.采用相同器件参数制备JBS与MTJBS二极管并进行电学性能测试对比,MTJBS二极管的正向导通特性未显示出明显的退化,但击穿电压提高了约200 V,同时反向漏电降低了2个数量级.