一种压电陶瓷降压变压器材料的研究

研制了一种新型的添加CaCO3,Bi(Cd1/2 Ti1/2 )O3,MnO2 的改性PbTiO3压电陶瓷材料 .从压电活性、压电各向异性、介电常数、介电损耗、机械品质因数及Curie点等综合参数看 ,该材料可用来开发压电陶瓷降压变压器 .实验确定其典型配方为Pb0 .73Ca0 .2 7TiO3+4 % (inmole)Bi(Cd1/2 Ti1/2 )O3+1 % (inmole)MnO2 ;在优化后的制备工艺条件下 ,其主要参数为 :εT33/ε0 =1 87,d33=60× 1 0 - 12 C·N- 1,Kt=0 .4 9,Kp=0 .0 52 ,Qm=560 ,tanδ=0 .7% ,θC=3 1 7℃ .

压电陶瓷变压器在静电复印机上的应用研究

针对静电复印机高压电源中升压电磁变压器线匝之间易打火、击穿、故障率高问题 ,采用 PMMN陶瓷材料制备出片式结构的压电陶瓷变压器 ,又以压电陶瓷变压器为升压器件研制出符合静电复印机技术要求的压电陶瓷变压器高压电源 ,从根本上解决了传统高压电源存在的问题 ,这种电源还具有体积小、质量轻、不怕短路。

一种新型改性PbTiO_3压电陶瓷材料研究

研制了一种新型的添加Pb（Mn1／3Sb2／3）O3、碱土金属CaCO3、Bi2O3、NiO的改性钛酸铅压电陶瓷材料．该材料具有高压电活性、大压电各向异性、低介电常数及小的机械品质因素．实验确定其典型配方为Pb0．80Ca0．20［（Mn1／3Sb2／3）0．05Ti0．95］3＋0．5wt％NiO＋1wt％Bi2O3；在优化后的制备工艺条件下，其主要性能参数为：d33＝70×10-12C·N-1；Kt＝60．0；Hp≈0，Qm＝43，Nt＝2004Hz·m．

制备工艺对新型大各向异性压电陶瓷材料性能的影响

通过在钙改性钛酸铅陶瓷材料中添加少量Ｐｂ（Ｚｎ１／２Ｗ１／２）Ｏ３、Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３和 ＭｎＣＯ３，研制出了一种既有大机械品质因数又有大各向异性的压电陶瓷新材料。在预烧温度为８４５～９０５℃和烧结温度为１１３０～１１９０℃的范围内对新材料的微观结构、性能进行了讨论。当预烧温度为８６０～８８５℃，烧结温度为１１６０～１１８０℃时，样品的压电性能较佳。该材料可用于制作高温高频换能器。

一种叠层式压电陶瓷降压变压器

介绍了一种叠层式压电陶瓷降压变压器的基本结构、工作原理、等效电路以及通过等效电路法所计算的结果 ;介绍了这种变压器实验性样品目前已经达到的性能指标 ;介绍了制作这种变压器对材料性能的要求及研究现状。

透明PLZT电光陶瓷材料的制备及应用研究进展

PL ZT电光材料 (陶瓷和薄膜 )具有很好的透明性和大的电光效应 ,可广泛应用于光电子学、集成光学等领域。本文综述了透明 PLZT电光陶瓷、薄膜的制备工艺及应用 ,分析了其研究现状 ,简要论述了其发展趋势。

一种新型压电陶瓷极化装置

采用压电陶瓷变压器作为极化装置的高压发生源，并对以往极化装置作一体化配套改造与完善，研制出一种性能优于国内外同类装置水平的新型压电陶瓷极化装置。该装置具有体积小、重量轻、不怕短路、功能齐全、不需采取特殊防护措施、操作方便安全、价格低、稳定可靠等特点。

高d_（33）·g_（33）值PZT压电陶瓷材料中Sb_2O_3掺杂的作用

Ｓｂ２Ｏ３对Ｐｂ（Ｚｒ０．５４Ｔｉ０．４６）Ｏ３的掺杂改性具有调整材料四方度（ｃ／ａ）的作用．实验表明，Ｓｂ２Ｏ３的适量添加可使材料四方度的调整达到一个较佳值，从而得到ｄ３３＝５７０×１０－１２Ｃ／Ｎ、ｇ３３＝３２×１０－３Ｖｍ／Ｎ的高压电活性的材料组成．

压电陶瓷-金属复合体及其应用

叙述了压电陶瓷－金属复合体在压电复合材料中的地位、意义与基本结构；从正逆压电效应的角度，简明地论述了其基本原理；介绍了其在水声换能器、致动器、触觉传感器及加速度传感器方面的应用；指出了今后研究与开发的方向。

KTN凝胶热处理过程中的反应机理研究

本文研究了Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法制备的ＫＴａ０．６５Ｎｂ０．３５Ｏ３（ＫＴＮ）凝胶在热处理过程中的反应机理，发现钙钛矿结构的ＫＴＮ由四步反应生成：５４２℃生成Ｋ３Ｔａ５Ｏ１４·５Ｈ２Ｏ，５９３℃生成Ｋ５Ｎｂ２Ｏ６（Ｏ，ＯＨ）·ｎＨ２Ｏ（ａＯ＝１０．５８４Ａ）；此两相为立方烧绿石结构，６２０℃未经中间相直接生成ＫＴＮ，６８０℃两种烧绿石结构反应生成ＫＴＮ．凝胶中的有机成分依次挥发、炭化和氧化，７００℃左右结晶水和有机成分基本上失去，但粉料会吸收ＣＯ２形成微量碳酸盐并吸收微量水分．用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法在较低温度下合成了ＫＴＮ超微粉（粒径０．０５·０．１５μｍ）．

K（Ta，Nb）O_3薄膜中钙钛矿相的形成机理研究

研究了工艺参数和衬底材料对Ｋ（Ｔａ，Ｎｂ）Ｏ３薄膜生长的影响，研究表明钙钛矿相由焦绿石中问相转变而成，热处理时低速升温同样可以获得纯钙钛矿相的Ｋ（Ｔａ，Ｎｂ）Ｏ３薄膜，分析了（１００）ＳｒＴｉＯ３，（１００）ＭｇＯ单晶衬底上钙钛矿相的形成机理，并解释了在硅单晶和石英玻璃衬底上纯钙钛矿结构的Ｋ（Ｔａ。

Sol－Gel法制备ZrO_2超微粉末的反应机理研究

以自制Ｚｒ（ＯＣ３Ｈ７）４和Ｙ（ＣＨ３ＣＯＯ）３为原料，应用溶胶－凝胶法（Ｓｏｌ－Ｇｅｌ）制备了ＹＳＺ（ＺｒＯ２－９ｍｏｌ％Ｙ２Ｏ３）凝胶和超细粉末．研究了Ｓｏｌ－Ｇｅｌ形成机理以及ｐＨ值对胶凝时间和凝胶结构的影响．通过ＴＧ－ＤＴＡ、ＸＲＤ等分析手段，研究了从干凝胶到ＹＳＺ超细粉末过程中的反应机理．实验证明：反应可分为３个阶段。

外延铁电薄膜的研究进展

铁电薄膜具有优良的铁电、压电、热释电、电光、声光及非线性光学特性，在微电子学、光电子学及集成光学等领域有许多重要应用。近年来，随着铁电薄膜制备技术的发展，外延铁电薄膜的研究已受到广泛重视。文章对外延铁电薄膜的研究现状作了简要评述，并指出了目前存在的一些问题和未来的发展方向。

Y_1铁电薄膜材料研究进展

曾经引起铁电学界轰动的Ｙ１材料，其组成已公之于世，其结构为（Ｂｉ２Ｏ２）２＋（Ａｎ－１ＢｎＯ３ｎ＋１）２－氧化铋基层状铁电材料。目前研究较多的是ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９，ＳｒＢｉ２Ｎｂ２Ｏ９以及它们的固溶体。文章介绍了有关Ｙ１材料的研究背景。

压电微电机之综述

利用压电薄膜的低温沉积工艺与微机械加工技术结合可以制作出压电微电机。这种压电微电机在医用微型器械，自聚焦系统，精密微定位、微型机器人等领域有着重要应用。本文介绍了几种压电微电机的制作过程、结构、工作原理及有关结果，并指出了目前存在的问题和下一步研究发展的方向。

一种新型霓虹灯电源研究

选用压电陶瓷变压器升压，PWM开关IC控制，VMOS功率放大电路构成的一种新型霓虹灯电源，效率高，工作性能稳定，工作频率46kHz±5％，输出正弦波电压.

KTa_(1-x)Nb_xO_3薄膜的制备研究

结合自己的工作，介绍电光、热释电ＫＴａ１－ｘＮＢｘＯ３薄膜材料的制备研究进展，评述了Ｓｏｌ－Ｇｅｌ、ＰＬＤ、ＭＯＤ、ＬＰＥ和射频平面磁控溅射等技术制备ＫＴＮ薄膜的工艺特点，根据Ｓｏｌ－Ｇｅｌ技术制备ＫＴＮ材料的反应机理研究结果。

KTa_（1－x）Nb_xO_3薄膜的性能研究进展

报道ＫＴａ１－ｘＮｂｘＯ３薄膜的性能研究进展，详细地介绍了该薄膜的物化结构性能、电学性能和光学性能的表征方法及对表征结果的分析。

Bi_4Ti_3O_(12)铁电薄膜溶胶凝胶法制备过程中Bi-Ti溶胶的匀胶规律研究

介绍了Ｓｏｌｇｅｌ法制备Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜的工艺过程，研究了ＢｉＴｉ溶胶在Ｓｉ基片上的匀胶规律；用ＴＧＤＴＡ和ＴＥＭ技术研究了ＢｉＴｉ干凝胶的形态，并成功地在Ｐｔ／Ｔｉ／Ｓｉ基片上制备了ｃ轴取向的Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜．

KTa_(1-x)Nb_xO_3薄膜的制备研究

介绍电光、热释电KTa_(1-x)Nb_xO_3薄膜材料的制备研究进展,评述了SOl-Gel、PLD、MOD、LPE和射频平面磁控溅射等技术制备KTN薄膜的工艺特点。