A(B′B″)O_3型钙钛矿材料中有序结构与介电损耗的研究

以A(B′1/3B2″/3)O3和A(B1′/2B1″/2)O3型复杂钙钛矿材料为对象,介绍了B位长程有序结构,分析了有序结构对微波介电损耗的影响。B位长程有序结构是影响介电损耗的重要因素,随有序度的提高,介电损耗逐渐减小。并且从烧结工艺和化学组成两方面讨论了提高材料有序度的途径。适当地提高烧结温度、进行低温退火或降低冷却速率均能有效地提高材料的有序度;进行离子取代,也能促使B位有序结构的形成。

水热法制备SrBi_2Ta_2O_9陶瓷及其介电性能研究

采用水热法合成SrBi2Ta2O9(SBT)纳米粉体,成型后采用常规烧结法制备SBT陶瓷。利用XRD和SEM研究陶瓷的物相和微观形貌;利用介电温谱研究陶瓷的介电性能。结果表明:采用水热法能够制备出颗粒细小均匀、结构致密且物相纯净的SBT陶瓷;其居里温度为375℃,对应的介电常数为114.54。

Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12)纳米管阵列的制备与微结构表征

采用溶胶凝胶法,在孔径为200nm的阳极氧化铝模板中制备了Bi3.15Nd0.85Ti3O12纳米管阵列。通过XRD、SEM、TEM、HRTEM、SAED和Raman光谱测试手段对纳米管阵列的物相、微结构和声子振动特性进行了表征。研究表明,所合成BNdT纳米管为钙钛矿相多晶结构,纳米管外径约为200nm,管壁厚约10nm,管径和长度与所用AAO模板尺寸一致。Raman光谱分析表明,Nd离子取代了类钙钛矿层中A位的Bi离子。

氧化铱薄膜的制备及其导电机理研究

采用脉冲激光沉积技术在Si(100)衬底上制备了高导电的IrO2薄膜,重点研究了退火前后其电学性能和微观结构的变化规律。采用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、光电子能谱(XPS)和四探针法对退火前后IrO2薄膜的结构和电性能进行了表征,并利用霍尔效应研究了IrO2薄膜的导电机理。结果表明:IrO2薄膜在空气中退火后,导电性能得到提高,其中在750℃退火的电阻率达到最小值37μΩ.cm。在25～500℃范围内,IrO2薄膜的高温电阻率随着温度的升高呈线性关系逐渐增大,呈现出类似金属的导电特征。在250～400℃沉积的IrO2薄膜载流子的类型为p型;沉积温度较高(500℃)或在更高温度退火处理后,IrO2薄膜载流子的类型为n型,其导电机理以电子导电为主。