Pt对In_(2)O_(3)纳米线场效应晶体管电学性能的影响

氧化铟纳米线(In_(2)O_(3)NWs)因具有合适的禁带宽度、较高的电子迁移率等优异的电学性能,可应用于晶体管、存储器、传感器等而备受关注,成为研究的热点。本实验通过简单易行的化学气相沉积法生长了In_(2)O_(3)纳米线,结合电子束光刻(EBL)成功制备了In_(2)O_(3)纳米线场效应晶体管器件(Field effect transistor,FET),利用溅射系统在In_(2)O_(3) FET上沉积不同厚度的Pt,研究了Pt纳米颗粒对In2O3 FET电学性能的影响。利用扫描电子显微镜、X射线衍射及光致发光光谱研究了In_(2)O_(3)纳米线的形貌、组成及光学性能;利用X射线光电子能谱分析纳米线的元素化学价态和组成。通过分析沉积Pt前后In_(2)O_(3)纳米线FET的电学性能发现,沉积Pt纳米颗粒后场效应晶体管阈值电压(Vth)有向右偏移的趋势,开关比(Ion/Ioff)有所下降,载流子浓度降低,载流子迁移率增大。晶体管阈值电压(Vth)向右偏移可归因于沉积Pt后金属/半导体接触形成电子转移,此外纳米线的表面缺陷可以充当吸附位点,表面缺陷吸附的氧和水分子将捕获来自纳米线的自由电子,导致表面电子消耗,从而使得载流子浓度降低。研究结果表明,Pt金属纳米颗粒对In_(2)O_(3)纳米线FET的电学性能存在一定的影响。

智能变电站主要设备选型研究

以某新建智能变电站为例,通过建立数学模型对当地电力负荷进行预测,对变电站设备进行选型。并以线性规划建模,对选型结果进行优化,以固定成本与可变成本之和,得出理想的选型结果,并对最后求解结果进行整理分析,得出优化后的智能变电站主要设备选型的配备量状况,为了验证优化后系统的实用性和科学性,选取指标对所选的设备进行评估,对比分析得出:优化后,所选型的几个主要设备不仅可以适时的完成作业要求,还能极大的提高经济性能。

一种适用于火灾检测的低旁瓣共形天线

设计一种应用于33 GHz频段具有金属栅格的天线阵列,通过泰勒线源激励幅度的设计方法引入栅格结构,用来减少天线的旁瓣电平,加强了天线的抗干扰能力。最终的天线阵列由6个天线阵元在y轴方向上叠加而成,叠加后天线阵列辐射能力得到了增强。最后通过电小平面分析法对栅格天线进行了共形,从而减少天线的体积,并且使天线阵列更好地贴合检测设备。通过HFSS电磁仿真结果表明,在33 GHz频段左右,该天线阵列的增益为18.69 dB,旁瓣电平为-15.04 dB。