超晶格材料

本文讨论了与当今研究超晶格材料相关的几个重要问题。

半导体内晶格驰豫效应的计算

为了使理论计算结果更加符合实验数据,应当考虑缺陷半导体内晶格的最近邻乃至次近邻驰豫效应。本文介绍了应用Harrison的计算公式计算随杂质和主体原子键长而变化的晶格驰豫效应,并将GaP等掺杂半导体的计算结果与实验数据及其它理论的计算值作了比较。

半导体中掺杂缺陷的研究

研究了近年来有关含杂质、杂质对或多杂质缺陷半导体的状况。