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基于导电原子力显微镜的单根GaN纳米带光调控力电耦合性能
被引量:
1
1
作者
邓长发
燕少安
+2 位作者
王冬
彭金峰
郑学军
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第23期264-271,共8页
利用导电原子力显微镜技术研究了单根GaN纳米带在光调控下的力电耦合性能.首先使用化学气相沉积法制备出结晶性良好的GaN纳米带,然后将GaN纳米带分散到高定向热解石墨基底上,利用探针作为微电极构成基于单根GaN纳米带的两端结构压电器件...
利用导电原子力显微镜技术研究了单根GaN纳米带在光调控下的力电耦合性能.首先使用化学气相沉积法制备出结晶性良好的GaN纳米带,然后将GaN纳米带分散到高定向热解石墨基底上,利用探针作为微电极构成基于单根GaN纳米带的两端结构压电器件.通过改变探针加载力的大小和引入外加光源调控GaN纳米带的电流输运性能,对单根GaN纳米带在光调控下的力电耦合性能变化规律进行研究.研究发现,在有光条件下单根GaN纳米带整流开关比明显增大,随着加载力的增大,单根GaN纳米带电流响应值增大但整流特性减弱.最后,基于压电电子学和光电导效应理论,通过分析肖特基势垒在加载力及光照作用下的变化规律解释了实验现象.
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关键词
GaN纳米带
压电效应
光电导效应
力电耦合
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职称材料
题名
基于导电原子力显微镜的单根GaN纳米带光调控力电耦合性能
被引量:
1
1
作者
邓长发
燕少安
王冬
彭金峰
郑学军
机构
湘潭大学机械工程学院焊接机器人与应用技术湖南省重点实验室复杂轨迹加工工艺及装备教育部工程研究中心
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第23期264-271,共8页
基金
国家自然科学基金(批准号:11832016,61804130,51775471)
湖南省自然科学基金(批准号:2018JJ3513)资助的课题~~
文摘
利用导电原子力显微镜技术研究了单根GaN纳米带在光调控下的力电耦合性能.首先使用化学气相沉积法制备出结晶性良好的GaN纳米带,然后将GaN纳米带分散到高定向热解石墨基底上,利用探针作为微电极构成基于单根GaN纳米带的两端结构压电器件.通过改变探针加载力的大小和引入外加光源调控GaN纳米带的电流输运性能,对单根GaN纳米带在光调控下的力电耦合性能变化规律进行研究.研究发现,在有光条件下单根GaN纳米带整流开关比明显增大,随着加载力的增大,单根GaN纳米带电流响应值增大但整流特性减弱.最后,基于压电电子学和光电导效应理论,通过分析肖特基势垒在加载力及光照作用下的变化规律解释了实验现象.
关键词
GaN纳米带
压电效应
光电导效应
力电耦合
Keywords
GaN nanobelt
piezoelectric effect
photoconductive effect
electromechanical coupling
分类号
TN3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于导电原子力显微镜的单根GaN纳米带光调控力电耦合性能
邓长发
燕少安
王冬
彭金峰
郑学军
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019
1
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