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GaAs(111)表面硅烯、锗烯的几何及电子性质研究
被引量:
2
1
作者
张弦
郭志新
+2 位作者
曹觉先
肖思国
丁建文
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第18期57-64,共8页
基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,系统研究了硅烯、锗烯在GaAs(111)表面的几何及电子结构.研究发现,硅烯、锗烯均可在As-中断和Ga-中断的GaAs(111)表面稳定存在,并呈现蜂窝状六角几何构型.形成能计算结果证明了其实验制备的可行性...
基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,系统研究了硅烯、锗烯在GaAs(111)表面的几何及电子结构.研究发现,硅烯、锗烯均可在As-中断和Ga-中断的GaAs(111)表面稳定存在,并呈现蜂窝状六角几何构型.形成能计算结果证明了其实验制备的可行性.同时发现硅烯、锗烯与GaAs表面存在共价键作用,这破坏了其Dirac电子性质.进一步探索了利用氢插层恢复硅烯、锗烯Dirac电子性质的方法.发现该方法可使As-中断面上硅烯、锗烯的Dirac电子性质得到很好恢复,而在Ga-中断面上的效果不够理想.此外,基于原子轨道成键和杂化理论揭示了GaAs表面硅烯、锗烯能带变化的物理机理.研究结果为硅烯、锗烯在半导体基底上的制备及应用奠定了理论基础.
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关键词
硅烯
锗烯
Dirac电子
GAAS表面
下载PDF
职称材料
题名
GaAs(111)表面硅烯、锗烯的几何及电子性质研究
被引量:
2
1
作者
张弦
郭志新
曹觉先
肖思国
丁建文
机构
湘潭大学物理与光电工程学院、纳米物理与稀土发光研究所、微纳能源材料与器件湖南省重点实验室
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第18期57-64,共8页
基金
国家自然科学基金(批准号:11204259,11374252,11474245,51372214)
湖南省自然科学基金(批准号:2015JJ6106)
+1 种基金
新世纪优秀人才计划(批准号:NCET-12-0722)
教育部长江学者和创新团队计划(IRT13093)资助的课题~~
文摘
基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,系统研究了硅烯、锗烯在GaAs(111)表面的几何及电子结构.研究发现,硅烯、锗烯均可在As-中断和Ga-中断的GaAs(111)表面稳定存在,并呈现蜂窝状六角几何构型.形成能计算结果证明了其实验制备的可行性.同时发现硅烯、锗烯与GaAs表面存在共价键作用,这破坏了其Dirac电子性质.进一步探索了利用氢插层恢复硅烯、锗烯Dirac电子性质的方法.发现该方法可使As-中断面上硅烯、锗烯的Dirac电子性质得到很好恢复,而在Ga-中断面上的效果不够理想.此外,基于原子轨道成键和杂化理论揭示了GaAs表面硅烯、锗烯能带变化的物理机理.研究结果为硅烯、锗烯在半导体基底上的制备及应用奠定了理论基础.
关键词
硅烯
锗烯
Dirac电子
GAAS表面
Keywords
silicene
germanene
Dirac electrons
GaAs surface
分类号
O485 [理学—固体物理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaAs(111)表面硅烯、锗烯的几何及电子性质研究
张弦
郭志新
曹觉先
肖思国
丁建文
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
2
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职称材料
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