ChatGPT对大学生思政教育工作的影响及对策研究

以ChatGPT为代表的生成式人工智能的使用在高校思政育人工作领域具有重要价值。文章基于学生主体维度为交互式思政教育、数字化互动、拓宽视野赋能,探讨了思政育人工作群体的功能价值、认知价值和社会价值。然而,智能浪潮下也带来了诸多挑战,如意识形态安全危机、学术伦理的违背、社交互动的困扰。鉴于此,高校思政教育工作应从构建稳固的意识形态安全防线、强化学生的主体意识、有效掌握人机情感主动权以及牢牢把握思政教育话语权等措施着手,在充分利用ChatGPT等技术的前提下,确保思政教育的正确性和有效性。

斜入射太赫兹波在非均匀等离子体中传输特性研究(特邀)

通过移位算子时域有限差分方法结合相位匹配条件,研究了斜入射太赫兹波在非均匀等离子体中的传输特性。等离子体电子数密度设置为高斯分布,通过将文中结果与均匀等离子体平板条件下得到的解析结果对比,验证了所提出方法的准确性。在此基础上,研究了太赫兹波和等离子体的相关参数对传输特性的影响。研究表明,太赫兹波在等离子体中的传输系数很大程度上取决于入射角度,而波的极化特性对传输系数的影响要小得多。结果表明,在特定条件下太赫兹波能有效穿透等离子体鞘套,具有克服“黑障”问题的潜力。

高校大学生职业生涯规划教育在深化思想政治教育中创新与应用研究

为了综合化的去提升高校学生,在教育质量方面需要对职业生涯规划教育与思想政治教育做不断的有机融合,只有通过此方式才能切实有效的创新性提高学生职业发展教育。多元化职业规划平台对于当前新的信息时代完成的科学思想政治教育是非常重要的,因此也涉及到对当前基础融合的理论。最后对研究成果进行总结强调了创新策略和方法的重要性也指出了研究存在的不足并指明发展方向,为创新性提高高校大学生综合素质和职业生涯规划指出指导的发展方向。

InP衬底上的双载流子倍增雪崩光电二极管结构设计

雪崩光电二极管因其具有高的倍增被广泛应用于光通信、激光雷达等各种领域,为了适应极微弱信号探测应用场合,需要器件获得更高的增益值.当前雪崩光电二极管一般采用单载流子倍增方式工作,其倍增效果有限.本文设计了一种电子和空穴同时参与倍增的InP/In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As雪崩光电二极管结构,其中吸收层采用In_(0.53)Ga_(0.47)As材料,空穴倍增层采用InP材料,电子倍增层采用In_(0.52)Al_(0.48)As材料,两个倍增层分布在吸收层的上下两侧.采用Silvaco TCAD软件对此结构以及传统单倍增层结构进行了模拟仿真,对比单InP倍增层结构和单In_(0.52)Al_(0.48)As倍增层结构,双倍增层结构在95%击穿电压下的增益值分别约为前两者的2.3倍和2倍左右,由于两种载流子在两个倍增层同时参与了倍增,所以器件具有更大的增益值,且暗电流并没有增加,有望提高系统探测的灵敏度.

近岸浅海环境噪声提取方法研究

针对复杂的近岸浅海环境噪声,提出了一种加性噪声和乘性噪声混合的信号分析模型,并利用维纳滤波和同态滤波对噪声信号进行提取处理。通过海试数据仿真验证,结果表明所提出的方法能够有效分离加性噪声信号、乘性噪声信号和目标信号,为噪声信号的特征提取和分类识别奠定基础。

优化级联光学参量振荡产生高功率太赫兹波的研究(特邀)

提出了一种在光学参量振荡器中基于级联光学差频在周期极化铌酸锂晶体中产生高效太赫兹(THz)波的方法。通过优化谐振腔参数,各阶级联Stokes光子在谐振腔内往返振荡,而各阶anti-Stokes光子只能在谐振腔内穿过一次。结合优化差频技术,各阶Stokes光子在谐振腔内每循环一次,级联光的能量向高阶Stokes光子转移一次,经多次重复转移,绝大部分泵浦光子被转移到高阶Stokes光,达到在增强级联Stokes过程的同时抑制级联anti-Stokes过程的效果。在工作温度为100 K,泵浦光强度为10 MW/cm^(2)、信号光强度为0.01 MW/cm^(2)时,THz波的能量转换效率达到21.2%。该转换效率超过了Manley-Rowe关系限制,为产生高效率的脉冲、准连续、连续THz波提供了优化方案。

强激光系统中的受激拉曼散射及其抑制方法研究(特邀)

介绍了受激拉曼散射(SRS)对强激光系统的危害,主要包括强激光在空气中长距离传输时产生的受激转动拉曼散射(SRRS)与大口径KDP(磷酸二氢钾,KH_(2)PO_(4))晶体中的横向受激拉曼散射(TSRS)。研究表明,SRS不仅会损耗激光能量降低光束质量,TSRS还可能会损坏KDP晶体。针对SRS对强激光系统的危害,文章介绍了国内外关于SRS的主要抑制方案,而且重点介绍了通过控制偏振方向降低SRS增益的新思想。

高功率1060 nm垂直腔面发射激光器

为了提高1060 nm垂直腔面发射激光器(VCSEL)的性能,本文对大功率1060 nm VCSEL进行了理论模拟和实验研究。计算得到红移速度为0.40 nm/K,据此确定增益和腔模失配量为-20 nm。对比分析了6种不同InGaAs组分和厚度的量子阱,以及3种不同势垒材料的增益特性和输出特性,模拟结果表明,应变补偿的InGaAs/GaAsP量子阱有源区在温度稳定性、阈值电流以及功率方面更有优势。对P型分布式布拉格反射镜(DBR)进行优化设计,优化DBR渐变层厚度和对数,有助于获得更好的输出特性。采用金属有机化学气相沉积生长了InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱结构的VCSEL外延片,并制备了单管和阵列VCSEL,实验数据和理论分析基本吻合。实验测得,288单元VCSEL阵列在4.5 A电流下,连续输出功率为2.62 W,最高电光转换效率为36.8%,5 mm×5 mm VCSEL阵列准连续条件下(脉宽为100μs,占空比为1%),且在100 A电流下,获得峰值功率为53.4 W。

有机太阳能电池内分子间载流子复合动力学研究

基于载流子复合对有机太阳能电池光伏效率的重要影响,采用扩展的Su-Schrieffer-Heeger紧束缚模型结合非绝热量子动力学方法,对有机太阳能电池内的分子间载流子复合动力学进行理论研究。首先,模拟并揭示了正、负载流子在给/受体界面处的分子间电荷复合动力学过程,发现分子间的载流子复合表现为分数电荷复合并伴随能量的损失。随后,研究体系带阶Δ、电场、热效应和受体分子的聚集对分子间载流子复合动力学的影响。结果表明:体系带阶Δ表现为载流子的复合势垒,带阶越大越利于抑制载流子的复合。电场可以通过诱导正、负电荷的空间离域抑制载流子的复合,特别是,当电场足够强时可以将复合的电荷转移态解离为自由载流子。热效应会引起给/受体材料在位能的随机涨落,降低载流子的复合势垒,进而加剧载流子的复合。受体分子的聚集会诱导电子在受体分子之间的扩展,增大界面处正、负电荷中心的距离,从而抑制载流子的复合。