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小电容试品表面泄漏对测量tgδ的影响分析
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作者 蔡小林 吴丹淇 《华东电力》 1999年第4期43-45,共3页
分析了小电容试品用加装屏蔽环的方法来消除瓷裙表面潮湿、脏污等表面泄漏对tgδ测试的影响,在小电容试品瓷套表面加屏蔽环时,由于改变了内部电场分布,tgδ的测试结果误差很大,正接法时结果偏小,倒接法时结果偏大,因此在相对... 分析了小电容试品用加装屏蔽环的方法来消除瓷裙表面潮湿、脏污等表面泄漏对tgδ测试的影响,在小电容试品瓷套表面加屏蔽环时,由于改变了内部电场分布,tgδ的测试结果误差很大,正接法时结果偏小,倒接法时结果偏大,因此在相对湿度小于80%时才能测准,湿度过大时应采取表面涂防污涂料等措施。 展开更多
关键词 介质损失 屏蔽环 测量 绝缘介质损值
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