钇团簇吸附氢分子的理论研究

运用密度泛函理论,研究了H2分子在Yn(n=1-12)团簇表面的吸附.结果表明:一般情况下,两个H原子倾向于对称地吸附于三个Y原子的面位中央,H-H键断裂,为典型的解离性吸附.多数情况下,H2吸附并未使主团簇基态结构发生明显改变.YnH2体系表现出了较大的的吸附能,且吸附能值随尺寸增加而增大.分裂能和能量二阶差分均随尺寸变化表现出了奇偶振荡效应.Y6H2不仅稳定性最好,而且具有很好的吸附强度,吸附能为3.012eV.

水分子在Y_n(n=2-8)团簇表面的分子吸附与解离吸附（英文）

运用密度泛函理论,对H2O在Yn(n=2-8)团簇表面的分子吸附与解离吸附两种模式进行了结构优化,电子性质分析。结果表明:分子吸附中H2O倾向于O端吸附于Y-Y原子桥位,而解离吸附中H2O解离的H,O原子倾向于吸附于Yn团簇的面位。两种吸附模式都导致了(解离吸附n=4,5除外)主团簇Y原子平均键长增大。分子吸附和解离吸附的吸附强度和化学活性都随尺寸增加而增大。解离吸附中体系的稳定性明显高于分子吸附,且与体系的电子壳层效应密切相关。

氢负离子剥离电子通量的数值研究

本论文利用杜,赵等人的半经典轨道理论,推导了电场和金属面同时存在时,氢负离子的剥离电子通量分布,并对干涉图样进行了数值模拟.结果发现剥离电子通量分布不仅与激光光子能量和外场有关,并且敏感地依赖于金属面与氢负离子之间的距离.这些结果可以应用于许多重要的研究领域,包括超快激光表面催化,更准确的测量电子亲和力和控制低能的光电子和表面的相互作用等.

GaAs电介质表面对剥离电子通量分布影响的数值研究

利用半经典开轨道理论,研究了GaAs电介质表面对氢负离子在磁场中的光剥离干涉图样的作用,推导并计算了本体系下的光剥离电子流通量,主要研究GaAs电介质表面到离子的距离不同对电子通量的影响.结果表明,电介质表面到离子的距离可以改变电子通量分布中的振荡结构,影响探测平面上形成的干涉图样的分布.因此,可以通过改变电介质表面到离子的距离来调控剥离电子的通量和干涉图样分布.

点缺陷对L1_2-Al_3Li金属间化合物热力学性能的影响

运用基于第一性原理的平面波赝势法研究了L12-Al3Li金属间化合物中Li原子空位和Al原子反位缺陷对Al3Li热力学性能的影响,结果表明:Al反位缺陷易与周围原子形成局域共价键,使晶体体积增大,而Li空位缺陷却减小了晶体体积.Li空位缺陷使L12-Al3Li的硬度增加,延展性降低,德拜温度值升高.Al反位缺陷降低了晶体的硬度,增加了延展性,降低了德拜温度值.在德拜温度以下,Li空位缺陷减小了L12-Al3Li的热容,而Al反位缺陷使晶体热容增大.晶格畸变对L12-Al3Li晶体的热力学性能有重要影响.

带梯度项的半线性椭圆方程正整体解的存在性（英文）

本文应用上下解方法、摄动方法等,进一步推广了早期结果并给出半线性椭圆方程-△u+p(x)|▽u|~γ=λf(x,u),u>0,x∈R^N,lim_(|x|→∞)u(x)=0,正解的存在性,其中γ∈(1,2],λ>0,函数p:R^N→[0,∞)和f:R^N×(0,∞)→[0,∞)均为局部H(o|¨)lder连续.