Zn_(3)(VO_(4))_(2):xDy^(3+)黄色荧光粉的制备与性能

以氧化锌和五氧化二钒为原料,氧化镝为掺杂离子,利用高温固相法合成了一系列的掺杂稀土镝的钒酸锌黄色荧光粉。对其光学性能进行了研究,结果表明,所制备的粉体都保持了矾酸锌的结构,并且荧光粉的发射光是VO_(4)^(3+)基团和Dy所致。当激发波长为350 nm时,其发射峰是位于510~595 nm的宽带状光谱,主峰位于563 nm处。研究了合成温度和Dy掺杂浓度对发光性能的影响,结果表明,当合成温度为800℃和Dy掺杂摩尔分数为6%时,Dy^(3+)能很好地进入到矾酸锌的晶格中,减小了荧光材料光学带隙,增强了光的吸收性能。暗室环境下封装后的荧光粉LED芯片具有良好的黄色发光性能。

退火温度对Li:ZnO薄膜紫外发射性能影响

利用溶胶-凝胶法在Si衬底上制备不同退火温度的Li∶ZnO薄膜。借助X射线衍射(XRD)、X射线光电子谱(XPS)、扫描电镜(SEM)和光致发光(PL)谱研究样品结晶质量、成分、表面形貌和发光特性。结果表明:所有样品均高度c轴择优取向生长;随退火温度升高,样品结晶性变好,紫外发射增强。LiOH在退火温度超过700℃分解,使Li、H进入到ZnO晶格,在ZnO薄膜中形成LiZn-H复合缺陷,这种复合缺陷使H被困在ZnO薄膜中,形成H施主,显著提高ZnO薄膜紫外发光强度,抑制ZnO薄膜绿光发射。

镁合金镍磷化学复合镀的研究现状

介绍了镁合金化学复合镀技术的研究现状,包括双层化学复合镀、多元合金化学复合镀和粉体化学复合镀。给出了几种常见复合镀工艺的配方,并对其发展趋势提出了建议。

纳米钒酸锌的制备及表面特性研究

本文采用水热合成法,利用硝酸锌和偏钒酸钠为原材料,对制备纳米钒酸锌进行了研究,具体结果表明,成功合成了ZnV2O6、Zn2V2O7两种产物;并通过扫描电镜(SEM)对合成的钒酸锌材料表面形貌进行了观察。

N掺杂Mg_xZn_(1-x)O薄膜结构和光学性质研究

采用溶胶-凝胶法在玻璃衬底上制备了N掺杂Mg_xZn_(1-x)O薄膜。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射光谱、光致发光(PL)谱对N掺杂Mg_xZn_(1-x)O薄膜样品的晶体结构、表面形貌和光学性能进行了研究。XRD结果表明所有样品均形成了Mg Zn O合金薄膜,没有观察到其它氧化物的衍射峰。样品的结晶质量越差,样品的表面形貌越不规则,但样品在可见光的透射率越强,甚至达到了95%。样品的禁带宽度随Mg含量的增加而增加,随N含量的增加而减小。所有样品的光致发光谱均观察到强的400 nm发光和弱的可见发光。400 nm的发光强度随Mg含量的增加而减弱,随N含量的增加而增强,认为薄膜在400 nm的发光来源Zn O的激子复合。

液晶光学相控阵远场光强分布研究

主要分析了液晶光学相控阵阵列结构以及工作原理,主要从夫琅禾费衍射公式入手,推导了占空比小于1的情况下远场的光强分布形式,对液晶光学相控阵激光雷达的实际应用具有一定的指导意义.

以4,5-咪唑-二羧酸为配体的金属锌配合物的制备及性能研究

采用水热法制备金属锌配合物[Zn(Himdc)_(2)(H_(2)O)_(2)](1).以4,5-咪唑-二羧酸(H_2imdc)和硝酸锌为原料,在水热条件合成金属锌配合物[Zn(Himdc)_(2)(H_(2)O)_(2)].X-射线单晶衍射分析表明,合成的配合物为单核配合物,分子间氢键将单核配合物联接成三维氢键超分子网络结构.

纳米钒酸铋的制备及表面特性研究

采用水热合成法,无需任何添加剂,以NaVO3溶液和Bi(NO3)3·5H2O的硝酸溶液为反应物。在90、120、150、180℃下合成了不同纳米钒酸铋粉末。利用XRD、SEM等手段研究了反应温度对产物结构及形貌的影响。X-射线衍射结果表明:成功合成了纳米BiVO4材料。由SEM照片可以看出:不同温度下BiVO4的形貌不同。

镁合金直接化学镀镍层的制备与性能研究

采用3种酸洗液和3种活化液对镁合金进行处理,并将这3种酸洗活化配方对镁合金的处理效果进行了对比研究。结果表明,镁合金经酸洗配方:H3PO425 mL/L,HNO325 mL/L,活化配方:NH4H2PO480～100 g/L,NH4F 30～50g/L处理后,可实现镁合金直接化学镀镍.采用扫描电镜及其附带的能谱仪、X射线衍射仪、电化学工作站对活化膜层和镀镍层的性能进行了研究。结果发现,活化膜层主要为MgF2和Mg2P2O7转化膜,镀镍层均匀细致,镀层属于亚晶态结构,镀层的自腐蚀电位较基体提高了1.1 V,腐蚀电流明显下降.锉刀试验与热震试验表明镀层与基体的结合力良好。

退火温度对Cu:ZnO薄膜绿光发射的影响

利用溶胶-凝胶法在Si衬底上制备了不同退火温度的Cu:ZnO薄膜.利用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电子显微镜和光致发光谱研究了样品的晶格结构、表面形貌、成分及其发光特性.结果表明:所有样品均具有高度的c轴择优取向,随着退火温度的升高,样品的结晶质量变好,样品的表面都被晶粒覆盖,强而稳定的绿光发射被观察到.绿光强度随退火温度的升高先增加后减小,发光中心位置不随退火温度的变化而改变,这样的绿光发射强而稳定.XRD和XPS结果表明,随退火温度的升高Cu2+还原为Cu+,导致Cu:ZnO薄膜形成的缺陷是VZn,所以绿光发射是由VZn引起的.Cu2+还原为Cu+时,Cu:ZnO薄膜中VZn浓度增加,使绿光发射强度增大.当退火温度超过800?C时,Cu2+的还原能力变差,绿光发射强度减弱.