透明叠层结构Ag/MoO_3/Ag阳极对绿光OLED器件性能的影响

本文采用一种结构为Ag/MoO_3/Ag的金属/氧化物/金属(M_1/O/M_2)叠层替代ITO作为OLED器件的阳极,研究Ag/MoO_3/Ag叠层结构变化对于OLED器件电极透过率、亮度、光谱等性能的影响。实验采用真空蒸镀方法制备了一系列器件,器件结构为Ag/MoO_3/Ag/MoO_3(10nm)/NPB(40nm)/Alq_3(60nm)/LiF(1nm)/Al(150nm)。对比器件的电压-电流密度、电压-亮度、光谱特性等数据,表明Ag/MoO_3/Ag的结构为20/20/10(nm)时,器件性能较好。在驱动电压为11V时,其亮度达到18 421cd/m^2,电流效率为2.45cd/A;且因器件中存在微腔效应,其EL光谱蓝移,半高宽变窄。但考虑到530nm处其电极透过率仅为17%,所以经换算该器件实际发光亮度比ITO电极器件更高。该Ag/MoO_3/Ag叠层阳极制作相对简单,经优化后在顶发射和柔性OLED器件方面将具有一定的应用前景。

有机酸修饰ITO对OLED器件性能的影响

分别采用二氯苯氧乙酸和溴乙酸对ITO表面进行修饰,研究其对OLED器件(ITO/PVK/FIrPic∶SimCP/TPBi/LiF/Al)性能的影响。结果显示,相较于未修饰的器件,采用二氯苯氧乙酸修饰后的器件最大亮度由673.4cd/m2提升至1 875.2cd/m2,同时器件的启亮电压由6.2V降至5.3V。研究发现,有机酸处理能够改变ITO的表面能和功函数,一方面改变ITO和后续膜层的接触性能,影响后续膜层的成膜;另一方面也可以有效减少ITO与有机层间的势垒,提升载流子注入。这种用有机酸修饰ITO阳极的方法工艺简单,能有效降低空穴注入势垒,优化ITO和有机层的接触性能,对器件性能的提升起到一定的促进作用。

发光层厚度对基于CdSSe/ZnS量子点LED性能的影响

采用粒径约为10nm的CdSSe/ZnS量子点层作为发光层,制备了叠层结构的量子点发光器件,研究了量子点层厚度对其薄膜形貌及量子点发光二极管性能的影响。原子力显微镜测试结果表明:量子点层过厚时,量子点颗粒发生团聚,且随着厚度的降低,团聚现象减弱;当量子点层厚度和量子点粒径相当时(约为10nm),量子点呈单层排列且团聚现象基本消失;而量子点层厚度低于10nm时,薄膜出现孔洞缺陷。器件的电流-电压-亮度等测试结果表明:量子点发光二极管中量子点层厚度与器件的光电特性密切相关,量子点层厚度为10nm的器件光电性能最优,具有最低的启亮电压4.2V,最高的亮度446cd/m^2及最高的电流效率0.2cd/A。这种通过控制旋涂转速改变量子点层厚度的方法操作简单、重复性好,对QD-LED的研究具有一定应用价值。

基于多区域ITO膜的大尺寸LCD低温加热研究

本文以ITO膜作为加热元件,设计制备了大尺寸液晶显示器的低温加热模块。采用5个非等分的分区加热结构,通过调控各区域ITO膜加载功率的占空比和引入反馈调节机制,控制加热区域的升温速率,优化液晶显示器的温度场分布。在270V电压下,先以12%的功率占空比快速升温,再以6%的功率占空比保持温度,能够使液晶显示器在300s内达到快速启动要求,在500s内达到一个相对稳定的温度(-5℃),同时各区域中心温差保持在2℃以内,较好地解决了大尺寸液晶显示器低温加热不均匀的问题。