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VLSI工艺中BPSG薄膜的研究
被引量:
3
1
作者
王强
姜斌
+1 位作者
邓宏
李如东
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第1期53-56,共4页
BPSG(硼磷硅玻璃)薄膜作为一种重要的层间介质,在半导体集成电路中广泛使用。常压化学气相沉积的BPSG薄膜中B、P含量(质量分数)对BPSG的性能有着显著影响。以WJ—999R机台为基础,详细研究了B、P含量的变化对对BPSG薄膜的沉积率、蚀刻率...
BPSG(硼磷硅玻璃)薄膜作为一种重要的层间介质,在半导体集成电路中广泛使用。常压化学气相沉积的BPSG薄膜中B、P含量(质量分数)对BPSG的性能有着显著影响。以WJ—999R机台为基础,详细研究了B、P含量的变化对对BPSG薄膜的沉积率、蚀刻率及其对回流效果的影响。研究发现:沉积率随着B含量的增加而增加;当P含量由0至1%时沉积率突然降低,随后随P含量的增加无显著变化。蚀刻率则随B含量的增加而降低,随P含量的增加而增加。B含量对回流效果的影响显著强于P含量的影响,每增加1%的B,玻璃软化温度降低约40℃。过高过低的B、P含量会产生异常,在3%B,5%P含量下BPSG薄膜有着优良的性能。
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关键词
半导体技术
硼磷硅玻璃
常压化学气相沉积
磷酸硼结晶
下载PDF
职称材料
题名
VLSI工艺中BPSG薄膜的研究
被引量:
3
1
作者
王强
姜斌
邓宏
李如东
机构
电子
科
技大学
微电子
与固体
电子
学院
珠海南科微电子公司
出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第1期53-56,共4页
文摘
BPSG(硼磷硅玻璃)薄膜作为一种重要的层间介质,在半导体集成电路中广泛使用。常压化学气相沉积的BPSG薄膜中B、P含量(质量分数)对BPSG的性能有着显著影响。以WJ—999R机台为基础,详细研究了B、P含量的变化对对BPSG薄膜的沉积率、蚀刻率及其对回流效果的影响。研究发现:沉积率随着B含量的增加而增加;当P含量由0至1%时沉积率突然降低,随后随P含量的增加无显著变化。蚀刻率则随B含量的增加而降低,随P含量的增加而增加。B含量对回流效果的影响显著强于P含量的影响,每增加1%的B,玻璃软化温度降低约40℃。过高过低的B、P含量会产生异常,在3%B,5%P含量下BPSG薄膜有着优良的性能。
关键词
半导体技术
硼磷硅玻璃
常压化学气相沉积
磷酸硼结晶
Keywords
semiconductor technology
BPSG
APCVD
BPO
分类号
TN [电子电信]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
VLSI工艺中BPSG薄膜的研究
王强
姜斌
邓宏
李如东
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2005
3
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