应用于NOR FLASH的可切换极性电荷泵研究

Dickson电荷泵是最常用的产生芯片内部高压的方法。在嵌入式或者单独的非易失性存储器中,经常利用多个电荷泵来产生正的高压和负的高压。利用高压Deep N-Well的NMOS设计了可以切换极性的电荷泵,可以根据需要产生正的高压或者负的高压。这种设计的优点在于节省面积。

一种静电保护电路的版图设计研究

国内存储器芯片快速发展,芯片的制造工艺不断提升,国内逻辑主流工艺发展到28 nm工艺节点,非挥发性存储器NAND Flash发展到24 nm工艺节点。芯片被广泛应用到各种电子产品中,集成电路芯片的ESD失效占用很大比例。它的可靠性问题越来越被关注,静电保护电路的设计和优化显得尤为重要。提出一种有效的静电保护电路版图,节约芯片面积,从而实现对芯片管脚的静电保护。

一种纳米级存储器芯片的ESD的物理失效分析和研究

目前国内存储器芯片快速发展,非挥发性存储器NOR发展到45 nm工艺节点,NAND Flash发展到24 nm工艺节点。存储器被广泛应用到各种电子产品中,芯片的制造工艺不断提升,集成电路芯片的ESD失效占用很大比例,这个可靠性问题越来越被关注。文中对发生问题的集成电路产品进行失效分析,找到失效原因与机理是一项重要的工作,为了有效解决纳米级存储器芯片的静电保护问题,文中提出了一种有效分析纳米级存储器芯片的静电保护电路失效分析方法,从而改进和加强芯片管脚的静电保护电路。

一种适用于纳米级存储器芯片的静电保护电路

为了有效解决纳米级存储器芯片的静电保护问题,提出一种适用于纳米级存储器芯片的静电保护电路。电路通过静电保护侦测电路,提前泄放芯片上的静电,实现对芯片管脚的静电保护。