铝线键合工艺对FS-IGBT器件耐压及漏电特性的影响

随着芯片制造技术的不断发展,绝缘栅双极型晶体管(IGBT)芯片厚度不断减薄,同时为了增加过电流能力,栅极沟槽密度越来越大。芯片结构的变化对封装行业提出了新的挑战,尤其是铝线键合工艺。本文主要介绍了针对沟槽型场截止结构的绝缘栅双极型晶体管(Trench-FSIGBT)的键合技术。通过多次验证实验,深入研究铝线键合工艺对器件耐压及漏电特性的影响,并得出结论:器件的可靠性可以通过键合第一焊点分布、焊线参数及焊线线径大小三个因素来改善。