55nm工艺下SoC漏电功耗优化方法研究

随着工艺节点快速演进到深亚微米,芯片设计的复杂度大幅增加,高性能低功耗的构架逐渐成为主流设计要求.尤其是工艺发展到65nm及以下时,漏电功耗开始极速增大,在高性能要求不变的同时,要兼顾低功耗需求,这对芯片设计人员是个巨大的挑战.以55nm工艺的SoC设计为例,通过多阈值电压优化漏电功耗的方法,在芯片物理设计阶段,对设计的漏电功耗进行优化,使得设计性能和功耗满足需求.

数字电子技术关键问题探究

数字电子技术是当前在科学和工业领域有着广泛应用的技术,其发展水平对其它领域有着非常重要的影响。本文对数字电子技术中涉及到的几个关键问题进行了介绍并进行了简要探讨。