杂质和空位对AlAs/GaAs超晶格电学性质的影响

在紧束缚近似基础上,本文采用Recursion方法首次计算了含有杂质和空位的短周期AlAs/GaAs超晶格电子结构。局域态密度和分波态密度的计算结果清楚地反映了少量无序杂质和空位在AlAs/GsAs中的局部细节以及对材料本身电学性质的影响。在具有点缺陷(杂质或空位)的AlAs/GaAs材料能隙中将出现新能级,本文计算了它们的位置。同时利用对原子价的讨论发现体内点缺陷周围存在一个电中心,而界面点缺陷产生一个局域电场,它将导致电荷分布的转移。比较了杂质和空位的影响,并进一步证明在所有情况下它们的作用是高度局域的。

介质覆盖的极性膜内电子-光学声子相互作用

本文对半无限媒质覆盖的极性晶体中晶格振动的光学极化模进行严格的理论分析,发现除通常的体横光学模、纵光学模以外,还存在四支类表面光学本征模。进一步导出了膜内屯子与光学声子相互作用的哈密顿量,重点讨论了电子与表面光学声子相互作用的性质。

电子动量谱学的进展

电子动量谱学是新近发展起来的充满希望的一个前沿领域.它在研究原子和分子的结构,以及在研究固体薄膜的光、电、磁性能时,显示出独特的、为现有其它方法所没有的优点.国外已经进行了多年的实验和理论研究,成果相当显著.有相当一部分物理和化学家分析和预言:在90年代,电子动量谱学将有更大的进展,其成果将渗透到多个学科.在国内,这一研究也已经在进行中,并得到了可喜的进展.本文对电子动量谱学的基本原理、基本的实验方法、基本的理论方法、已经取得的进展以及应用前景作了简要的叙述.

晨昏起伏电场对中性片离子的随机加热

本文从哈密顿原理出发,讨论磁尾中性片中粒子受晨昏起伏电场的影响问题,并把它归结于讨论标准映射的性质.中性片本身是非线性系统,外加起伏场会导致其进入混沌状态.本文计算了进入该状态的临界电场E_c以及不同E下的粒子轨迹.计算表明,观测到的晨昏电场可以使离子进入混沌状态,但远小于电子的临界场值.这样离子运动是随机的,电子运动是规则的.仅对离子的随机加热可能是导致中性片中离子温度高于电子温度的原因.

Temporal规范下的玻色弦

本文考虑了Temporal规范下玻色弦的量子化,这种规范可和实验室坐标系直接联系起来,我们首先给出了Temporal规范下约束的一般形式及其生成的无穷维代数。其次,给出了Temporal规范下物理态的构造。最后,利用构造出来的态算出了几个物理量的期望值。

ZnSe:Mn电子态的DV-SCC原子簇计算

本文用DV-SCC原子簇方法计算了ZnSe:Mn的电子态。Mn3d杂质态位于带隙中,与Se4p及Zn4s有较强的杂化,对三种情况下电子态的分析认为,簇外电荷量及原子簇电荷量的选取方法,对结果影响很大,自旋极化计算,得到的Mn 3d杂质态的跃迁能量与实验值很好地符合。用自洽场方法计算的晶场参数表明:自洽方法,被函数靠近芯区部分分布较合理,外部分布误差较大。

具有Noether守恒量的多自由度含时系统拉氏量的一般形式

本文给出具有Noetber守恒量的多自由度含时体系拉氏量的一般形式,发现这种拉氏量中各自由度的含时频率ω_2^(?)(t)或者完全相等,或者受到一些较严格的限制。本文还讨论了当含时体系拉氏量在第一扩展群变换下形式不变时对上述结果的影响。

复杂原子的(e,2e)碰撞理论

将氢原子的(e,2e)碰撞的多重散射展开理论进一步推广,使之适用于复杂原子的(e,2e)碰撞。

二维费密液体理论(Ⅰ)

通过关于二维低密度费密系统准粒子寿命和二维巡游电子系的自旋涨落的计算,本文证明朗道费密液体理论适用于二维相互作用费密粒子系。

二维费密液体理论(Ⅲ) 输运性质和声传播特性

本文研究了二维费密液体的输运性质和声传播特性,得到了扩散系数、粘滞系数和热导率的微观表达式以及零声和第一声的有关结果。通过对碰撞积分的讨论,认为须用一系列弛豫时间参数来描述二维液体,这与在三维情形可用一个唯象参数来描述不同。

二维费密液体理论(Ⅱ) ~3He朗道参数的计算

本文采用相关基波函数(CBF)方法研究了二维~3He液体的性质。基于集团展开利用配分函数的变分原理,将这一方法推广到有限温度情形。从Lennard-Jones势出发,在二级微扰近似下数值计算了二维~3He液体的基态能、准粒子谱和朗道参数。

稳恒电、磁场中量子阱内极化子的基态能量

采用Ｌａｒｓｅｎ谐振子算符代数运算与变分波函数相结合的方法，研究处于与生长轴方向平行的稳恒电、磁场中量子阱内的电子——体纵光学声子相互作用系统。得到系统包括二级微扰修正的、作为量子阶宽度、电子－声子耦合常数以及电、磁场强度函数的基态能量表达式。结果表明：对电子基态能量的极化影响，随阱宽及电场强度的增大而减弱，而随磁场强度的增大而增强。

(GaAs)_1(AlAs)_1(001)超晶格电子结构的从头计算

本文用密度泛函线性丸盒轨道原子球近似方法(DFT-LMTO-ASA)对(GaAs)_1(AlAs)_1(001)超晶格的电子结构进行了第一原理性计算。利用Lowdin微扰法在矩阵元中计入d态的影响,可使本文方法仅用阶数很小(32×32)的久期方程便可较满意地处理这个超晶格系统。计算并讨论了该超晶格的带隙,导带极小值处各本征态的分波特性以及GaAs和AlAs层间的价电子转移。我们的结果同最近用计算量大得多的从头算赝势法和完整势线性缀加平面波(FLAPW)法所得的结果进行了比较。结果表明,本文方法不仅具有合理的精度,而且有快速高效率的特点,更适于研究层数较多或结构更复杂的半导体超晶格,如(GaAs)m(AlAs)n等系统的电子结构性质。

反向导引场自由电子激光器中平衡态电子的类熵量

用非线性数值分析方法，计算反向导引场自由电子激光器中平衡态电子的类熵量。结果表明：其值比正向导引场时更小，对应的平衡态电子束质量，一般都优于正向导引场情况下的电子束质量；而在反谐振点，类熵量剧增，电子束质量严重变坏，从计算得到的结论，与美国麻省理工学院的实验结果定性上一致。

平滑激光脉冲诱导的阈上离化

阈上离化(above-threshold ionization)是近年来发现的一种新现象。本文在基本态模型基础上利用非微扰理论研究了高斯型激光脉冲诱导的阈上离化,讨论了其特征光电子能谱随时间的演化。

GaAs和AlAs光学声子形变势的第一性原理研究

本文以冻结声子近似模型,采用空球随原子球位移的冻结势近似的LMTO-ASA计算方案,研究了GaAs和AlAs布里渊区Λ轴的光学声子形变势的计算,得到Γ点和Λ轴光学声子形变势d_0,d_(30),d_(10)(val)和d_(10)(comd)的第一性原理的计算结果。研究中着重从GaAs和AlAs的Λ轴光学声子形变势随k点的变化趋势,从光学声子形变势在Γ点附近满足的关系,以及从不同计算方法对d_0的计算结果与实验结果的比较中,多方面地验证了本方法及其结果的合理性。

包含自电离过程的阈上离化

多电子原子都存在自电离过程,本文研究了存在自电离时的阈上离化过程,利用一个简化模型得到了光电子谱的解析表达式。结果表明,自电离的存在使阈上离化过程更为复杂,导致许多新现象的产生。

强场自电离中自发辐射谱的功率增宽

本文在强场自电离模型中计及自电离态的光致离化衰变,重新计算了自发辐射谱,发现了显著的功率增宽现象。这一结果与简单模型下的计算结果有很大差异。

高阶离化对强激光场诱导自电离的影响

本文讨论了以往强激光诱导自电离理论所忽略的二阶以上的高阶离化效应,得到了自电离谱的解析表达式,详细研究了高阶离化的影响。结果表明,当激光场足够强时,高阶离化使自电离谱和自电离态的缀饰态产生显著变化。

用力定理计算hcp-WC的基态性质

本文用Kohn-Sham局域密度泛函理论与力定理,在线性丸盒轨道原子球(LMTO-ASA)近似下,计算了hcp-WC的基态性质,包括平衡晶格常数a,体模量B和纵声波速率v。计算结果与实验值对比表明,晶格常数的误差小于10％,讨论了原子球半径比δ的不同选择方案对计算结果的影响。由电子分波压力随晶格常数的变化,分析了hcp-WC的键合特性。