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硫族铅化合物红外二极管列阵在硅衬底上的制造及其在热成象技术中的应用
1
作者
Jiri Masek
顾聚兴
《红外》
CAS
1994年第2期18-25,共8页
直接生长在硅衬底上的窄禁带半导体层是实现大规模红外焦平面列阵的较好途径。本文报导关于硫族铅化合物光伏红外探测器列阵的最新研制工作,这种探测器列阵利用堆积的 CaF_2/BaF_2缓冲层以单片形式生长在硅(111)衬底上。文中介绍了传感...
直接生长在硅衬底上的窄禁带半导体层是实现大规模红外焦平面列阵的较好途径。本文报导关于硫族铅化合物光伏红外探测器列阵的最新研制工作,这种探测器列阵利用堆积的 CaF_2/BaF_2缓冲层以单片形式生长在硅(111)衬底上。文中介绍了传感器的制造过程,为了检验这种列阵的功能度,使用了一种简单的热摄象机系统。
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关键词
红外探测器
硅
铅化合物
二极管
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职称材料
题名
硫族铅化合物红外二极管列阵在硅衬底上的制造及其在热成象技术中的应用
1
作者
Jiri Masek
顾聚兴
机构
瑞士联邦工艺技术研究所
出处
《红外》
CAS
1994年第2期18-25,共8页
文摘
直接生长在硅衬底上的窄禁带半导体层是实现大规模红外焦平面列阵的较好途径。本文报导关于硫族铅化合物光伏红外探测器列阵的最新研制工作,这种探测器列阵利用堆积的 CaF_2/BaF_2缓冲层以单片形式生长在硅(111)衬底上。文中介绍了传感器的制造过程,为了检验这种列阵的功能度,使用了一种简单的热摄象机系统。
关键词
红外探测器
硅
铅化合物
二极管
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
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操作
1
硫族铅化合物红外二极管列阵在硅衬底上的制造及其在热成象技术中的应用
Jiri Masek
顾聚兴
《红外》
CAS
1994
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