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HiPak^(TM)高压SPTIGBT模块的SOA新基准
被引量:
2
1
作者
M Rahimo
A Kopta
E Carroll
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
2007年第3期100-102,共3页
介绍了电压额定值从2.5kV到6.5kV的新型高压HiPakTM IGBT模块系列。新系列HiPakTM模块采用了ABB最新研制的高压SPT IGBT和二极管,使得其SOA首次达到破纪录的最高极限。新元件的整体电特性都很优异,可以承受如关断和短路这样极端的工作...
介绍了电压额定值从2.5kV到6.5kV的新型高压HiPakTM IGBT模块系列。新系列HiPakTM模块采用了ABB最新研制的高压SPT IGBT和二极管,使得其SOA首次达到破纪录的最高极限。新元件的整体电特性都很优异,可以承受如关断和短路这样极端的工作条件。为此,针对给定的电压等级制定了其SOA工作能力的最新基准。
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关键词
半导体器件
模块/安全工作区
下载PDF
职称材料
题名
HiPak^(TM)高压SPTIGBT模块的SOA新基准
被引量:
2
1
作者
M Rahimo
A Kopta
E Carroll
机构
瑞士abb半导体有限公司
出处
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
2007年第3期100-102,共3页
文摘
介绍了电压额定值从2.5kV到6.5kV的新型高压HiPakTM IGBT模块系列。新系列HiPakTM模块采用了ABB最新研制的高压SPT IGBT和二极管,使得其SOA首次达到破纪录的最高极限。新元件的整体电特性都很优异,可以承受如关断和短路这样极端的工作条件。为此,针对给定的电压等级制定了其SOA工作能力的最新基准。
关键词
半导体器件
模块/安全工作区
Keywords
semiconductor device
model/safe operation area
分类号
TN3 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
HiPak^(TM)高压SPTIGBT模块的SOA新基准
M Rahimo
A Kopta
E Carroll
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
2007
2
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