纳电子器件谐振隧道二极管的研制

采用分子束外延方法在砷化镓衬底上生长了双垒单阱结构 ,然后用常规半导体器件工艺制成了谐振隧穿二极管 (RTD) ,有相当好的 I- V特性 .对于 5μm× 5μm的 RTD器件 ,在室温条件下 ,测得其峰谷比最大可到 7.6∶ 1,最高振荡频率大于 2 6

氮化镓在光电子和微电子器件中的应用

综述了优良的宽禁带半导体材料 ＧａＮ在光电子和微电子器件中的应用。

纳米电子器件

概述了用于超高密度集成电子计算机的纳米尺寸电子开关器件的研究进展。讨论了场效应晶体管的两类替代物： （１） 量子效应和单电子固态器件， （２） 分子电子器件。提出了每一类器件的分类方法，

微电子器件的抗辐射加固技术

对各类微电子材料的抗辐射特性进行了分析 ,对 Si双极器件和 Si CMOS器件、 Ga As微波功率器件、新兴光电器件—— VCSEL、 LED以及 MEMS的抗辐射加固技术进行了探讨 ,对几种空间单粒子效应 (SEE)

微电子器件塑封损伤机理分析

分析了塑封微电子器件的失效模式及损伤机理 ,在此基础上讨论了提高塑封器件可靠性的对策及应用前景。

电子线缆最新发展概况

介绍电子线缆的最新发展动态

微电子机械系统的进展与应用前景

本文论述了MEMS的研究进展、设计思想。

HEMT的材料结构和二维电子气浓度的关系

给出了ＨＥＭＴ和ＰＨＥＭＴ的数学－物理模型。系统地描述了材料的隔离层、平面调制掺杂层、势垒耗尽层等材料结构尺寸和异质结界面二维电子气浓度及器件沟道电流之间的相互关系。

采用俄歇电子能谱技术分析铂化硅的合金行为

采用俄歇能谱技术分析了铂层厚度,合金温度及表面染色对铂化硅形成的影响,并分析了王水对铂化硅的作用,给出了分析结果。

微电子机械系统

概述了微电子机械系统（ＭＥＭＳ）的特点、理论和技术基础。详细介绍了微型传感器、微型执行器、微型光机电系统（ＭＯＥＭＳ）、微型生物化学芯片、微型机器人、微型飞行器、微型动力系统和纳米电子机械系统等主要ＭＥＭＳ器件和系统及这些器件在个人运载工具导航、系统监控与故障预防、环境感知、小型分析仪、生物医疗器械和航空航天等领域的应用。最后简述了ＭＥＭＳ技术的发展趋势与我国的发展现状。

硅微机械电子隧穿红外探测器

介绍了一种新型的非制冷高灵敏度硅微机械电子隧穿红外探测器的工作原理 ,详细描述了这种红外探测器的设计思想和制作工艺 ,采用微机械体硅加工的三层硅结构制作出探测器原理样品 ,通过和反馈电路 (包括前置放大电路 )连接测试表明 :电子隧穿位移传感器部分的分辨率可达 10 -4 nm/ Hz,红外探测器样品已能敏感红外信号。

微电子封装技术的新趋势

本文从应用的观点出发简要介绍了各种封装技术在新世纪中的发展趋势。论述了如CSP、BGA 及倒装芯片等先进封装技术在微电子工业中所发挥的重要作用。

用PDF制作可以用于光盘发布的电子出版物

PDF文档是电子出版物常用的格式。图书情报部门可以自己动手制作电子出版物,本文介绍了用Acrobat制作PDF文档的方法,并对几种生成PDF文档的方法作了比较。

红外电子隧道传感器的现状及发展趋势

红外电子隧道传感器的现状及发展趋势赵正平（电子部十三所）传统位置传感器向小型化方向发展时遇到一个严重的挑战，即伴随着几何尺寸的减小，其灵敏度下降。在八十年代末到九十年代初，一种全新类型的位置传感器诞生并发展起来；将微机械加工的硅结构与基于电子隧道效应...

光学和光电子系统用的微机械加工技术

回顾了微机械加工技术的最新进展， 介绍了自由空间微型光学试验平台和光预对准的概念以及微机械加工的光学器件实例。

车辆电子标识系统设计

车辆自动识别系统(Automatic Vehicle Identification,AV),可准确无误地自动识别并采集路网中运行车辆的身份特征信息和法定管理信息,使车辆信息瞬时进入计算机,可为车辆及交通管理部门提供一个实时、动态的车辆信息采集平台。

MEMS光开关

采用 MEMS体硅工艺 ,制作了三种结构的微机械光开关 :水平驱动 2 D(二维 )光开关、垂直驱动 2 D光开关和扭摆驱动 2 D、3D(三维 )光开关 .水平驱动光开关采用单层体硅结构 ,另外两种光开关都采用了硅 -玻璃的键合结构 .它们的工作原理都基于硅数字微镜技术 .这三种光开关均采用了静电力驱动 ,具有较低的驱动电压 ,其中扭摆式光开关的驱动电压小于 15 V.对于 2 D开关阵列 ,在硅基上制作了光纤自对准耦合槽 .对后两种光开关的开关特性进行了计算机模拟与分析 ,结果表明这两种光开关具有小于

硅基SiO_2光波导

在硅基上通过氢氧焰淀积的 Si O2 ,厚度达到了 2 0 μm;通过掺 Ge增加芯层的折射率 ,折射率比小于 1% ,并可调 ;用反应离子刻蚀工艺对波导的芯层进行刻蚀 ,刻蚀深度为 6 μm,刻蚀深宽比大于 10 ;波导传输损耗小于0 .6 d B/ cm(λ=1.5 5 μm) ,并对波导的损耗机理和测试进行了分析与研究 .另外 ,为实现光纤与波导的耦合 ,结合微电子机械系统技术 ,在波导基片上制作了光纤对准

半绝缘GaAs衬底中位错对MESFETs旁栅效应的影响

在位错密度不同的LEC半绝缘（SI）GaAs衬底上离子注入制做MESFETs，观察衬底位错对MESFETs旁栅效应的影响．结果表明，衬底中高位错密度可以抑制旁栅效应．