砷化镓半导体表面自然氧化层的X射线光电子能谱分析

用X射线光电子能谱 (XPS) ,测量了Ga3d和As3d光电子峰的结合能值 ,指认了砷化镓 (GaAs)晶片表面的氧化物组成 ,计算了表面氧化层的厚度 ,定量分析了表面的化学组成 ;比较了几种不同的砷化镓晶片表面的差异。结果表明 :砷化镓表面的自然氧化层主要由Ga2 O3 、As2 O5、As2 O3 和单质As组成 ,表面镓砷比明显偏离理想的化学计量比 ,而且 ,氧化层的厚度随镓砷比的增大而增加 ;溶液处理后 ,砷化镓表面得到了改善。讨论了可能的机理。

砷化镓晶片表面的XPS研究

用X射线光电子能谱分析技术 (XPS)研究了几种砷化镓抛光片及经不同表面处理方法处理的砷化镓晶片表面的化学计量比和表面化学组成。结果表明砷化镓抛光片的表面自然氧化层中含有Ga2 O3、As2 O5、As2 O3及元素As;表面化学计量比明显富镓 。

碳纳米管应用研究

随着对碳纳米管研究的不断深入,对碳纳米管的应用研究越来越受到人们的重视。通过分析碳纳米管的物理特性,对碳纳米管的应用前景进行了广泛的探索。着重分析了碳纳米管的电学特性,如导电特性、通流能力、电流特性及其场发射特性。在此基础上,讨论了碳纳米管在纳米电子学和电子场致发射等方面的应用。同时分析了碳纳米管的磁学特性、力学特性及敏感特性等并讨论了其在纳米机械系统、电磁吸收、传感器及其他领域中的应用。研究表明,碳纳米管在众多的领域具有广泛的应用前景。

二次离子质谱的深度分辨本领

深度剖析是二次离子质谱在半导体以及各种其它薄膜材料分析中最重要的应用 ,深度分辨本领是表征其分析能力的重要参数 ,国际标准化组织 ( ISO)最近正在研究和制定这方面的国际标准。本文在概述了SIMS深度分辨本领影响因素的基础上 ,推导了δ掺杂层深度分辨函数的解析表达式 ,讨论了其物理意义 ,特别是分辨参数的定义。在 CAMECA IMS4 f仪器上用 5.5ke V的氧束对 Si中 Ga Asδ掺杂多层膜样品进行了深度剖析 ,讨论了所得分辨参数及影响因素。结合国外实验室 ISO巡回测试的结果 。

在多晶金属基片上制备双轴织构YSZ膜

采用调制偏压射频磁控溅射技术在多晶ＨａｓｔｅｌｏｙＣ金属基带上制备钇稳定的ＺｒＯ２薄膜（ＹＳＺ），得到了ｃ轴织构和部分平面内双轴织构的ＹＳＺ薄膜。用Ｘ射线衍射θ２θ扫描、ω扫描和扫描对ＹＳＺ薄膜的织构进行了测量，并研究了沉积条件对织构形成的影响。

全国产化掺镱双包层高功率光纤激光器的研制

利用自行研制的大模面积双包层光纤和光学耦合系统以及国产的 LD 泵源,研制开发出一种便携式掺 Yb^(3+)双包层光纤激光器,最大激光输出功率达到了12.73w,斜率效率为76.9%,激光器的光-光转换效率为45%.实现了全国产化的、高功率、高转换效率的稳定激光输出,而且具有较高的光束质量,给出了该激光器的实验结果,并对其主要特性进行了简要的分析。

X射线多重衍射的一些实验研究

使用在试样架上附加有Φ旋转装置的X射线粉末衍射仪,对Si(001)晶片和In1 -xAlxAs/GaAs一维超点阵样品,进行了一些X射线多重衍射实验研究,初步解释了所获得的多重衍射花样 ,得到了一些有关的结构信息。

影响SI-GaAs单晶抛光片均匀性的因素研究

高度PLmapping均匀的SI GaAs单晶抛光片是制作大功率微波器件和大规模超高速数字集成电路的理想衬底。本工作对影响SI GaAs单晶抛光片均匀性的各种因素进行了研究。发现位错密度对晶体的宏观电阻率均匀性和微观均匀性以及PLmapping均匀性都有一定的影响 ;而晶体的AB EPD和抛光工艺对PLmapping均匀性影响更大 ,AB EPD与热处理工艺有关。对实验现象进行了解释。

智能材料中的光纤传感检测技术

智能材料中的传感技术与传统传感技术的重要区别在于传感系统不是处于自由空间而是嵌埋在复合材料之中.因此对传感系统性能的要求,除一般要考虑的灵敏度、动态范围、抗干扰能力等因素外,在传感器的构形、工作方式。

感耦等离子体原子发射光谱法测定高纯铅中杂质元素的干扰研究

文章介绍了用ICP-AES法测定高纯铅中杂质元素时,Pb对分析元素的干扰情况。Pb对Ge、Mo、P、As、Fe、Bi、Mn有背景影响,对Sb产生谱线干扰。10mg/ml的Pb分别产生相当于0.235μg/ml As、0.750μg/ml、P、0.335μg/ml Mo和3.950μg/ml Sb的信号。

电渣熔铸35CrNi3MoV钢枝晶间断裂的俄歇分析

用扫描俄歇探针和金相法研究了电渣熔铸３５ＣｒＮｉ３ＭｏＶ钢断口上亮线、亮点的本质和形成机理。结果表明，它们是铪、氮、硫在枝晶间偏聚并形成ＨｆＮ从而脆化了枝晶间区域的结果。当裂纹沿着枝晶间的贝氏体条带扩展时就形成亮线，当裂纹斜穿贝氏体条带时就形成亮点。亮线（亮点）显著降低钢的力学性能，提高渣料纯度是避免电渣铸钢产生这种缺陷的关键措施。

用XPS研究Na_2S钝化的GaAs(100)表面

本文用Na_2S·9H_2O的水溶液及乙醇和异丙醇溶液对GaAs表面进行了钝化处理;用X射线光电子能谱仪(XPS)对钝化表面的化学组成和价态以及钝化层的厚度进行了研究。结果表明,经不同的Na_2S溶液处理后GaAs表面的自然氧化层会被除去,表面生成硫化镓和硫化砷;硫化物的含量与硫化层厚度与所用溶液的极性有关;并对钝化机理进行了探讨。

VGF结晶法中砷化镓表面平衡温度的计算

根据VGF结晶技术的特点,建立了结晶炉内的辐射换热模型,并利用有限差分法对变温条件下砷化镓晶体表面的辐射换热进行了数值求解. 模拟结果得出了晶体表面平衡温度的变化规律,与设定值比较具有良好的一致性. 所得结果确定了晶体生长过程数值模拟的热边界条件,并对实际的温度控制提供了重要的理论依据.

掺镱双包层结构石英光纤的优化设计及制作

文章主要介绍了用MCVD工艺及溶液掺杂法制备掺Yb3+双包层结构石英光纤的优化设计、原理及制作工艺.制作出Yb3+掺杂浓度高(吸收损耗在976nm时为2～10dB/m)、本底损耗低(在1.3μm时为10dB/km)的掺Yb3+双包层结构石英光纤.

热处理改善未掺杂LEC GaAs中EL2分布均匀性的机理研究

本文以热处理方法研究了ＬＥＣＳＩ－ＧａＡｓ中ＥＬ２径向分分布变化规律，着重研究了不同的热处理后冷却方式对ＥＬ２分布均匀性改善程度的影响，讨论了ＬＥＣＧａＨｓ中ＥＬ２分布不均匀性的起源及热处理改善ＥＬ２分布均匀性的机理．

掺铥石英光纤的掺杂浓度实验研究

介绍了掺 Tm3+石英光纤的研究概况与溶液掺杂法的简要工艺过程。着重阐述了制备工艺中稀土离子溶液浓度对掺杂浓度的影响 ,Tm3+掺杂浓度与 Tm3+特征吸收峰值间的关系。关于最佳掺杂浓度问题也进行了初步讨论。

离子色谱法测定石英微粉水萃取液中的Cl^-

建立了离子色谱法测定石英微粉水萃取液中Cl^-的方法。比对试验证明,该方法的精密度和准确度与经典方法无显著性差异,而且简便、快捷,检测时间从4h缩短到15 min。

几种Ⅲ─Ⅴ族化合物半导体材料的研究热点

本文分别介绍了Ⅲ－Ⅴ族化合物砷化镓（ＧａＡｓ），氮化镓（ＧａＮ），锑化镓（ＧａＳｂ）的特性、生长方 法，国内外研究水平及应用。

FAAS法测定高纯铝丝中的铁、铜、锌、锰和镁

本文提出了高纯铝丝中的铁、铜、锌、锰和镁的火焰原子吸收测定方法,对基体及共存离子对待测元素的干扰及消除进行了研究,实验结果表明:方法简单、快速,加标回收率为95.0％～105％,相对标准偏差为1.51％～5.26％。

GaSb体单晶的研究现状与展望

本文就ＧａＳｂ体单晶的材料特性和国内外研究现状展开论述，最后展望了该材料的发展前景。