以新模范马路为中心的高新技术产业发展带电子信息产业发展模式研究

以新模范马路为中心的高新技术产业发展带电子信息产业发展模式研究金松涛一、概况以新模范马路为中心的高新技术产业发展带内几乎集中了地处南京电子通信行业部级单位近一半的力量，主要包括十四所、７２０厂、６９０２厂、７７２厂、南邮、电力自动化研究院、自动化设备...

A/D转换器动态性能参数研究

给出了通用的模拟／数字转换器（ＡＤＣ）动态性能参数、采样型ＡＤＣ的开关特性参数和高速／超高速ＡＤＣ的动态性能参数所包含的参数名称及其定义。着重介绍了码密度直方图法和谱分析ＦＦＴ法两种常用的ＡＤＣ动态参数测试方法，指出了该领域未来的研究方向。

一种1.5～2μm双掺杂多晶硅栅CMOS工艺研究

采用常规Ｐ阱硅栅ＣＭＯＳ改进工艺，进行１．５～２μｍＣＭＯＳ工艺研究。与常规工艺相比，做出的ＰＭＯＳ管漏源击穿电压可达１８～２３Ｖ，５Ｖ工作电压下沟道调制效应较小，相应的欧拉电压可达２５～３０Ｖ，工艺特点在于采用了硼掺杂多晶硅作ＰＭＯＳ管栅电极，磷掺杂多晶硅作ＮＭＯＳ管栅电极。

高温超导在电子战和微波系统中的应用前景

高温超导材料的问世,给电子战领域又提供了一种新技术。本文介绍了高温超导在电子战中应用的优点,高温超导微波元件方面的近期成果和可能发展和应用,并对未来的应用进行展望。

电子产品的环境应力筛选与环境试验简析

从若干方面对比分析了环境应力筛选与环境试验的主要区别，澄清了实际工作中存在的一些模糊认识。

一种超高速触发器工艺技术的研究

在等平面Ｓ工艺基础上，开发了一种ＥＣＬ超高速Ｄ触发器的ＩＣ工艺制作技术，并优化其关键工艺，得出一套新的工艺控制方案和参数。用该工艺技术制作的晶体管截止频率ｆＴ最大值为５．４ＣＨｚ（Ｖｃｅ＝５Ｖ）：制作的ＥＣＬ超高速Ｄ触发器，在功耗电流只有３０ｍＡ情况下，工作频率典型值为８５０ＭＨｚ，最高可达９００ＭＨｚ以上，较好地解决了器件速度与功耗的矛盾。

上海宽波段自由电子激光用户装置高亮度注入器的微波系统

上海宽波段自由电子激光用户装置高亮度注入器的相位相干的４７６ＭＨｚ和２８５６ＭＨｚ两路微波系统，分别馈送微波功率到射频ｎｓ栅控电子枪、次谐波聚束器和基波聚束器等。介绍了这两个系统的主要组成部件的工作原理、技术指标、安装调试和测试结果。

当代高密度电子组装新技术──SMT，MCM，WSI，3D

当代高密度电子组装新技术──ＳＭＴ，ＭＣＭ，ＷＳＩ，３Ｄ电子工业部第十四研究所王宝善将成熟的电气原理图转变成为适用的可生产的电子硬件的技术过程称为电子组装技术。随着电子学／微电子学、半导体／集成电路、计算机／ＣＡＤ／ＣＡＴ／ＣＡＭ／ＥＤＡ、电子材料等...

一种单层多晶硅BiCMOS工艺研究

介绍了一种单层多晶硅ＣＭＯＳ工艺。该工艺采用Ｐ型衬底、Ｎ型Ｐ型双埋层、Ｎ型薄外延结构，掺杂多晶硅作为ＣＭＯＳ晶体管栅极和双极ＮＰＮ晶体管的发射极。ＣＭＯＳ晶体管采用源漏自对准结构，钛和铝双层金属作为元件互连线，ＰＥＣＶＤＳｉＮｘ介质作为钝化薄膜。

一种新的硅微通道红细胞变形性测量方法

本文将微机械加工技术引入细胞流变学研究领域 ,利用集成电路光刻和异向腐蚀工艺 ,在硅晶体表面形成了亚微米级精度的通道 ,建立了一种新的硅微通道细胞流变学测量系统 ,可观察细胞流过微通道的全过程。实验结果表明 ,系统具有良好的重复性 (变异系数CV <5%) ,可灵敏地反映细胞流变特性的改变 ,可在一定程度上模拟细胞通过毛细血管的行为 ,并可提供较为丰富的信息。

一种铁氧体移相驱动器专用集成电路

介绍了ＳＡ０１８铁氧体移相驱动器专用集成电路的工作原理、电路设计和实验结果。该电路的内部电路设计有双路激励驱动器、放大器、积分器和双路高速比较器等功能单元。将铁氧体移相器的激励驱动器和相位控制器融于一体，大大减少了铁氧体移相器的外围设计。

一种高速高压NPN管的研制

把Ｎｉｎｇ－Ｔａｎｇ测试发射极电阻的方法进行扩展，用来测试多晶发射极界面氧化层电阻，作发射极界面氧化层电阻与多晶硅发射极晶体管退火的优化实验，获得退火的优化工艺条件，并由此成功地研制出ＢＶＣＥＯ≥３０Ｖ，ＢＶＣＢＯ＝７５Ｖ，ｆＴ＝２ＧＨｚ，β＝１８０的多晶硅发射极晶体管。用扩展电阻ＳＳＭ１５０型测多晶硅发射极晶体管的纵向杂质分布，得出多晶硅发射极晶体管的单晶发射区结深为５０ｎｍ，基区结深为２００ｎｍ。

一种锁相式频率合成器的设计

介绍了一种锁相式频率合成器的总体设计和电路结构设计，并进行了实验制作。设计的电路工作频率在１００ＭＨｚ以上，可广泛应用于雷达、航空、航天、通讯、导航、锁相环路等领域。

数据转换器发展近况

扼要介绍了Ａ／Ｄ和Ｄ／Ａ转换器的市场规模、产品种类、典型电路设计技术和工艺技术，展望了国内外数据转换器技术和产品的发展动态。文章指出，１６位１００～２００ＭＨｚ及８～１０位１０ＧＨｚ的高性能Ａ／Ｄ转换器是重点发展目标。

一种高隔离度视频模拟开关

介绍了Π型结构的ＣＭＯＳ模拟开关的电路设计。采用４μｍ硅栅自对准技术、全离子注入浅结工艺制造出了ＳＢ８０４ＣＭＯＳ模拟开关，在３０ＭＨｚ的视频信号下，其隔离度高达６３ｄＢ、开关时间小于５０ｎｓ。

超高速A/D转换器结构

介绍了超高速Ａ／Ｄ转换器的四种常用结构：全并行（闪烁型）结构、二步式结构、折迭插入式结构以及每级一位结构。以８位超高速Ａ／Ｄ转换器为例，分析比较了这四种结构的工作原理、结构特点、以及设计制作上存在的问题；并着重对折迭插入式ＡＤＣ的结构原理进行了详细介绍。超高速Ａ／Ｄ转换器主要应用于高分辨率雷达，特别是带有活动目标显示的雷达、以及数字存储示波器、瞬态记录仪和ＨＤＴＶ等方面。

V890B振动台技术特征

Ｖ８９０Ｂ是英国ＬＤＳ公司最大推力的风冷振动台，本文就Ｖ８９０Ｂ振动台涉及的主要专利技术和特征进行分析叙述，供试验同行参考了解。

一种NMOS型折叠和内插电路及其SPICE分析

将折叠和内插技术应用于高速Ａ／Ｄ转换器中。以３μｍ器件参数、５Ｖ工作电压，分析了一种ＮＭＯＳ型折叠和内插电路在全温区范围内的功能，以及ＮＭＯＳ管衬底偏置效应和误差的影响。结果表明，在通常的工艺条件下，折叠电路可处理２．４Ｖ１ＭＨｚ的满幅度输入信号，数字采样速度大于１ＭＳ／ｓ，包含第一级内插电阻的折叠电路功耗为１４ｍＷ。

一种分区式高速12位A/D转换器

介绍了一个高速１２位分区式Ａ／Ｄ转换器的设计。电路采用“３位＋３位＋８位”的三级分区式结构。其中的８位ＡＤＣ为折叠插入式ＡＤＣ，误差校正采用模拟校正、数字编码形式。采用２μｍＢｉＣＭＯＳ设计规则设计的电路，经ＰＳＰＩＣＥ仿真，在±５Ｖ电源下，采样频率高达３ＭＨｚ。

宽带放大器可靠性问题浅析

叙述了国产高频宽带放大器的质量和可靠性现状，详细介绍了这类产品的质量一致性检验、可靠性摸底试验和现场使用过程中出现的可靠性问题，用统计的方法得出了可靠性特征量，通过对失效样品的失效分析，总结出宽带放大器主要的失效模式和失效机理，并提出了消除和减少失效、提高宽带放大器可靠性的措施和建议。