深能级及其在发光研究中的应用

本文介绍了三种测量深能级的基本方法──深能级瞬态能谱（ＤＬＴＳ）、光致发光（ＰＬ）、光电容（ＰＣ）及用它们研究不同发光材料和器件的结果．其中包括发光二极管的效率和退化过程、ＧａＮ材料中蓝色发光深中心、ＺｎＳ场致发光薄膜的初始载流子源以及用ＭＯＣＶＤ法生长Ⅲ－Ⅴ族单晶薄膜的缺陷分析，它是将半导体深能级的基础知识运甲于发光机理和光电特性研究，在不同的领域中所取得的进展。

电子辐照对掺铒单模光纤损耗特性的影响

本文介绍了掺铒(Er^(3+))单模光纤电子辐照特性,测量了辐照前后和退火后的光纤参数。发现在0.80-1.60μm范围内辐照引起的损耗很大,在0.80-1.20μm短波部分辐照损耗遵循Luv=0.342exp[E/0.166];而1.20-1.60μm长波部分遵循L_(IR)=2.2·10~4exp[-6.08E](E的单位为eV)。120℃退火60h可使长波辐照损耗减少,但0.80μm附近的损耗反而增加。最后讨论了辐照损耗的机理,估计出辐照引起氧和硅原子的位移几率分别为7.1×10^(-8)和3.9×10^(-8)。在1.40μm处位移原子引起的损耗比相同数量的OH^-引起的损耗要大200倍之多。退火能使部分位移原子复原,使损耗有所恢复。

氢气氛对光纤损耗特性的影响

本文测量了100,130,150和180℃下、1atm氢气氛中的MCVD多模光纤损耗谱的变化。研究了分子氢和氢氧根分别在1.24μm,1.41μm引起的损耗增加,由实验结果推出损耗增加与时间、温度关系的经验公式,估算了室温下(20℃)20年后1.3μm,1.55μm的损耗增加。

掺Er^(3+)光纤的γ射线辐射特性

本文研究掺Er^(3+)光纤的γ射线辐射特性,发现在800到1600nm之间损耗都有显著的增加,有的增加800倍之多。光纤的γ射线辐照损耗特性具有β射线辐照类似的规律性。用γ射线的康普顿效应半定量地解释了这种类似性。对γ射线辐照损耗进行紫外线UV漂白,表明比热退火有更好的效果,能使损耗恢复50%。指出选用原子序数小的元素作光纤掺杂剂会有利于光纤抗辐照性能的提高。

光导纤维中的物理效应及其功能特性的发展

光导纤维中存在着多种物理效应，每一种物理效应赋予光纤一种或多种功能特性．这些功能特性的应用促进了光纤通信和光纤传感技术的发展．人类在认识到光纤中物理效应重要作用的同时。