优质Si_3N_4、SiO_2双层介质膜的研究

报导了等离子体化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）法在锑化铟衬底上生长Ｓｉ３Ｎ４和ＳｉＯ２双层介质膜的实验技术。并用理化分析手段对膜层的物理化学性质进行了分析，给出了实验研究结果。

分子束外延碲镉汞薄膜中VOID缺陷的研究

HgCdTe薄膜中的Void缺陷严重影响面阵器件的有效元数。对用分子束外延法在GaAs衬底上生长的HgCdTe薄膜中的Void缺陷进行了形貌、剖面观测和能谱分析。衬底表面状况和HgCdTe生长过程中的Hg/Te束流比及衬底温度决定了Void缺陷的密度和尺寸。在比较优化的条件下，可将Void缺陷密度降到5×102cm－2以下。

激光接收装置的设计考虑

激光测距仪的激光接收装置，包括接收光学系统、光电探测器、滤光片和前置放大器等四个部分，它们的设计考虑分述如下。