化学镀铜新工艺及在电子工业中应用

论述了化学镀铜新工艺及其镀液的成份、作用及对镀层的影响，并叙述其组成和镀层的表面形态。详述了此工艺在印刷线路板上孔壁的导电化。

电磁振动料斗的优化设计与研究

本文主要介绍了微电子工业设备中应用十分广泛的电磁振动料斗的结构。力学模型和工作原理，从其理论参数中优化设计出振动时的最佳工作状态，对其状态进行了研究分析。从而为料斗的设计、制造、调试和改进提供确切可靠的理论依据。

切片机主轴系统动态性能研究

论述了切片机主轴系统动态性能的状态以及主轴系统动态性能分析的原理、方法。并应用计算机对其进行计算。

电子专用设备的可靠性试验

可靠性工程最基本的内容、最重要的工作项目就是可靠性试验。本文概述了可靠性试验的技术基础、可靠性试验的特点和分类，提供了电子专用设备可靠性试验的一些具体计划和方案。同时对可靠性试验数据的分析、处理方法作了一些简要的介绍。

相位光栅自动对准技术研究

阐述了相位光栅的成象原理，以及在分步曝光机关键技术自动对准上的应用，并对自动对准光路系统和电气控制系统进行了具体分析和研究。

铝合金型材在电子专用设备上的应用

从工业用铝合金型材的材料性能、应用特点出发，通过与普通钢件之间的机械性能、加工工艺性的比较，显示出铝合金型材自身的优越性并举例说明其在电子专用设备中的应用。

点光源实现圆弧形光源的研究

简要介绍点光源形成圆弧形光源的方法、实验过程及方案的改进，定性地分析了点光变弧形光的光照均匀性。同时介绍用于１∶１反射扫描光刻机的弧形光源结构。

国外双面对准曝光机的发展及其应用

综述了国外近十多年来双面对准曝光机及其对准技术的发展，介绍了双面曝光机采用的红外对准技术和ＫａｒｌＳｕｓ、ＪＢＡ、ＯＡＩ、ＵＳＨＩＯＩｎｃ、Ｕｎｉｏｎ、ＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＶｉｓｉｏｎｓＣｏ等公司研制的双面曝光机性能及其用途；并预测了今后电力电子器件、微机械制造、传感器件、调节器等微小功能器件的广阔市场，为双面曝光技术的发展提供了良好的发展机会和潜在的应用市场。

光刻层中标记信号的传播行为分析

根据步进曝光机在不同工艺衬底上的对准情况，阐述工艺层对标记信号的影响。针对光线在光刻层中的传播行为，分析了几种标记信号的优劣。

CMP平坦化工艺技术的发展应用与设备前景

简要介绍化学机械抛光（ＣＭＰ）的发展应用、美国半导体工业协会蓝图目标。

大圆片批生产中的在线检测工艺及设备

立足ＩＣ生产线管理工程的角度，系统地分析和讨论了由加工设备产生的粒子对器件成品率的影响及采用先进的检测手段，控制污染粒子，提高成品率的有效途径。并以莫托罗拉公司的ＭＯＳ１２生产线在线片子检测设备的选择为例，比较了三种主要片子检测设备的缺陷检出特性，讨论了确定快速数据分析和问题诊断设备及数据网络的基本情况，最后给出了在ＭＯＳ１２生产线新运行的成品率提高的“金字塔”计划。

电磁振动料斗的最佳工作状态探析

论述了电磁振动料斗的结构、力学模型及其振动上料原理，从其理论数据中，分析推导、优化出振动时的最佳上料速度、最佳上料率及最佳工作状态参数，从而为其设计、制造、调试和改进提供理论参考。

国外半导体设备发展动态和市场趋势

本文简要介绍了国外半导体设备发展的走向和特点，重点列举了关键工艺设备的代表产品发展状况，并阐述了国外半导体设备市场及投资趋势。

300mm圆片技术发展掠影

３００ｍｍ硅圆片技术的开发，是今后几年内半导体工业界的主要任务之一。该产业的各个方面，从原料多晶硅的加工到封装设备，都必须适应大圆片的出现。该文扼要地介绍了３００ｍｍ圆片技术面临的许多挑战，圆片工艺装备的自动化与控制和标准化问题，以及开发的进展情况。

远紫外光刻现状及未来

简要评述光学光刻技术由０３５μｍ工艺向０２５μｍ工艺转移中所面临的挑战，及远紫外光刻技术在器件制造中的地位。

大圆片批生产中的在线检测工艺及设备

立足ＩＣ生产线管理工程的角度，系统地分析和讨论了由加工设备产生的粒子对器件成品率的影响情况及采用先进的检测手段，控制污染粒子，提高成品率的有效途径。

MCM开创封装技术新纪元

多芯片组件（ＭＣＭ）与单个ＩＣ芯片封装和表面贴装（ＳＭＴ）技术相比，有不可比拟的优点，但制造工艺复杂，成本昂贵，涉及到散热、测试和维修等高难度技术问题。本文简要介绍ＭＣＭ的起源与市场应用、主要技术，着重介绍有关ＭＣＭ的主要工艺设备，以供国内着手研制生产ＭＣＭ关键工艺设备的厂家与科技工作者参考。

XY-101显影机的喷头

介绍ＸＹ—１０１显影机雾状显影喷射喷头的设计原理及工作原理。

用C语言实现图形方式下的花样清屏

本文介绍了在EGA/VGA图形方式下,采用了多种新颖别致的清屏方法,即自上至下的瀑布式和从中间向两边拉的拉幕式、两边向中间拉的闭幕式、从左至右或从右至左式、旋转方式等。此种方法用Turboc2.0实现,并给出了详细的程序清单。

远紫外光刻现状及未来

本文主要过评了光学光刻技术在由0．35μmat艺向0．25μm工艺阶段转移的技术革命中所面临的挑战，以及远紫外光刻所处的地位，现状及今后的发展趋势。