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用C语言实现图形方式下的花样清屏
1
作者
丁永峰
《现代计算机》
1995年第7期26-29,共4页
本文介绍了在EGA/VGA图形方式下,采用了多种新颖别致的清屏方法,即自上至下的瀑布式和从中间向两边拉的拉幕式、两边向中间拉的闭幕式、从左至右或从右至左式、旋转方式等。此种方法用Turboc2.0实现,并给出了详细的程序清单。
关键词
清屏
图形模式
图形适配器
C语言
程序设计
下载PDF
职称材料
远紫外光刻现状及未来
2
作者
童志义
《微电子技术》
1997年第2期10-17,共8页
本文主要过评了光学光刻技术在由0.35μmat艺向0.25μm工艺阶段转移的技术革命中所面临的挑战,以及远紫外光刻所处的地位,现状及今后的发展趋势。
关键词
光学光刻
远紫外曝光
0.25μm工艺
集成电路
下载PDF
职称材料
题名
用C语言实现图形方式下的花样清屏
1
作者
丁永峰
机构
电子工业部第四十五研究所 平凉
出处
《现代计算机》
1995年第7期26-29,共4页
文摘
本文介绍了在EGA/VGA图形方式下,采用了多种新颖别致的清屏方法,即自上至下的瀑布式和从中间向两边拉的拉幕式、两边向中间拉的闭幕式、从左至右或从右至左式、旋转方式等。此种方法用Turboc2.0实现,并给出了详细的程序清单。
关键词
清屏
图形模式
图形适配器
C语言
程序设计
分类号
TP391.41 [自动化与计算机技术—计算机应用技术]
TP311 [自动化与计算机技术—计算机软件与理论]
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职称材料
题名
远紫外光刻现状及未来
2
作者
童志义
机构
电子工业部
第四十五
研究所
出处
《微电子技术》
1997年第2期10-17,共8页
文摘
本文主要过评了光学光刻技术在由0.35μmat艺向0.25μm工艺阶段转移的技术革命中所面临的挑战,以及远紫外光刻所处的地位,现状及今后的发展趋势。
关键词
光学光刻
远紫外曝光
0.25μm工艺
集成电路
分类号
TN405.7 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
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1
用C语言实现图形方式下的花样清屏
丁永峰
《现代计算机》
1995
0
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职称材料
2
远紫外光刻现状及未来
童志义
《微电子技术》
1997
0
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