匀胶铬版表面界面微观构成的X射线光电子能谱表征

用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）研究了几种不同工艺制备的匀胶铬版表面、铬膜内部以及各层之间界面处的微观化学组成和化学状态，讨论了不同工艺对铬版材料微观构成及宏观特性的影响。

光电子新材料GaN研究进展

给出了ＧａＮ晶体的制备方法和特性，详细介绍了ＧａＮ外延生长技术及ｐ－ＧａＮ掺杂的热退火技术。

D型微孔单模光纤的研制

本文首次报道了采用ＭＣＶＤ工艺和冷加工方法制作的Ｄ型微孔单模光纤的研制方法及光纤的性能参数．光纤的工作波长为１．３μｍ，具有不同的纤芯到微孔平面的距离，其中一根的距离已接近于零，损耗仅为５６４ｄＢ／ｋｍ．

XPS法测量铝箔表面氧化铝的厚度

介绍了一种无需溅射、无需变角，只需一次简单的ＸＰＳ（Ｘ射线光电子能谱）窄扫描，即可根据谱图中氧化态和金属态的相对强度算出铝金属表面氧化铝的厚度。用该法测量了一系列不同方法处理的铝表面氧比铝厚度，并与椭偏法及ＮＲＡ法（核反应分析法）测定结果进行了对比，结果表明，该法是一种简便准确的膜厚测量法。

石墨炉原子吸收光谱法测定超高纯试剂中钾和钠

本文研究了用直接进样、石墨炉原子吸收法测定超高纯试剂盐酸和硝酸中的痕量钾和钠，可省去化学处理及富集等易引致沾污的操作。采用标准加入法得到了满意的结果，钾和钠的检出限分别为０．０２９ｎｇ／ｍｌ及０．００５７ｎｇ／ｍｌ。

碳封闭涂覆光纤制作熔锥型无源器件

首次报道使用碳封闭涂覆光纤成功制作熔锥型无源器件．通过对熔锥工艺的控制。

光纤涂碳工艺和特性研究

介绍了利用国产拉丝设备、原材料制造碳密封涂覆光纤的工艺和产品特性。涂碳工艺稳定可靠，光纤静态疲劳参数n＞100，平均断裂应力＞60N，能够满足苛刻环境对光纤长期可靠性的要求。

SI-GaAs材料的电学补偿

研究了ＨＰＬＥＣ工艺生长半绝缘砷化镓单晶过程中，熔体的化学剂量比对晶体深施主缺陷能级、浅受主碳的浓度以及晶体电学性能的影响．由Ｎ 型半绝缘晶体的补偿机理对实验现象进行了解释，给出了既能保证晶体电学性能又可以使缺陷浓度较低的最佳熔体剂量比．并将近本征半导体的物理模型推广至半绝缘砷化镓单晶，得到了较理想的电阻率范围．

PECVD及溅射／蒸发生长二氧化锡薄膜的成形技术

针对二氧化锡薄膜常用的两种生长方法——等离子增强化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）及溅射／蒸发生长的不同特点，分别采用了两种不同的剥离工艺方案，由此实现了与ＩＣ加工工艺兼容良好的ＳｎＯ＿２薄膜成形技术。

ICP-AES测定三甲基铝中金属杂质的研究

ＭＯ（金属有机物）源是ＭＯＣＶＤ技术的重要原料，对ＭＯ源中的金属杂质进行了分析研究。着重讨论了样品的制备、酸度对分析元素谱线强度的影响、基体铝对杂质元素谱线背景影响和光谱谱线干扰，以及基体铝对分析元素谱线强度的影响，做了回收实验，最后采用基体匹配法对三甲基铝中的金属杂质进行了测定。将不同实验室的分析数据进行对比，结果令人满意。

偏振保持光纤拍长的磁光调制法测量

叙述了利用磁光调制法测量偏振保持光纤拍长的基本原理，介绍了建立的测试系统和方法。

氢引起光纤损耗增加的实验估算

通过对MCVD多模光纤进行高温通氢实验和对样品在空气中恢复情况的测量,提出了一种估算氢分子与氢氧根对1.3μm、1.55μm处影响损耗增加的方法。用导出公式对光纤中由氢引起的损耗增加进行了预测。

用AES/XPS对异质结材料的研究

用俄歇电子能谱（ＡＥＳ）和ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）结合氩离子溅射深度剖析对一系列不同ｘ值的ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ异质结材料中各主元素的分布及化学状态和相对含量的变化进行了分析，发现Ａｌ向表面偏析的现象及Ａｓ和Ａｌ的择优溅射问题，并对此进行了讨论。同时用ＸＰＳ法进行了Ａｌ的定量分析，并与光致发光法（ＰＬ）测得的ｘ值进行了对比。

SiC单晶生长技术及器件研究进展

综述了近年来国外ＳｉＣ单晶及外延层生长、分立器件和集成电路的研究进展情况。

Al_xGa_(1-x)As/GaAs异质结材料的XPS研究

用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）结合氩离子溅射深度剖析对一系列不同ｘ值的ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ异质结材料中各主元素的分布及化学状态和相对含量的变化进行了分析，发现Ａｌ向表面偏析的现象及Ａｓ和Ａｌ的择优溅射问题，并对此进行了讨论。同时用ＸＰＳ法进行了Ａｌ的定量分析，并与光致发光法测得的ｘ值进行了对比，发现二者有非常好的线性关系。

高T_cYBCO膜结晶完整性在平面内均匀性的XRD测定

该文建立了测量高温超导膜结晶完整性均匀性的方法，通过多点摆动曲线的测量发现。ＹＢＣＯ膜的质量受衬底影响明显，ＹＢＣＯ膜的摆动曲线由一个尖峰和一个宽散的峰组成。推断出一种ＹＢＣＯ膜的生长过程．

玻璃粉中硼、钾、钠的ICP－AES测定

玻璃粉是一种重要的半导体材料。本文采用电感耦合等离子体发射光谱仪对玻璃粉中的硼、钾、钠的定量分析做了研究，研究了样品的溶解、氢氟酸对待测元素的影响，然后进行了内标元素的补偿，在此基础上做了回收实验，并测定了实际样品。

自润滑轴承失效原因的XPS分析

用Ｘ射线光电子能谱仪（ＸＰＳ）对失效前后的自润滑轴承各部件表面的化学组成及其状态进行了分析，结果表明失效前后表面性质差异较大，失效是由于自润滑膜破损耗尽所致。

半绝缘砷化镓单晶中AB微缺陷的定量研究

研究了５０．８ｍｍ液封直拉非掺杂半绝缘砷化镓单晶中ＡＢ微缺陷的显微特征，率先提出了一种定量表征微缺陷的新方法，揭示了ＡＢ微缺陷在单晶各部位的分布规律。

X射线Φ扫描峰宽判据

本文从行射几何出发,提出了判断X射线Φ扫描峰宽的判据,并用实验数据对其进行了验证。实验结果还表明:Soller狭缝角孔径过大是产生X射线Φ扫描仪器宽度的主要原因。