GaAlAs高功率短波长超辐射集成光源

为解决超辐射发光管输出功率低的问题,利用半导体锥形光放大器对超辐射光加以放大,并采用直接耦合方式将超辐射发光管与半导体锥形光放大器进行单片集成,器件初步采用了GaAlAs SQW双异质结和氧化物条形增益波导结构。实验结果表明,该器件的锥形放大器可将超辐射发光管发出的光放大22dB,在脉冲条件下超辐射输出功率达580mW。

ZnO薄膜的研究进展

光泵浦紫外激光的获得使ZnO成为热门的新型光电材料 ,文章从ZnO的基本特性、光电特性、生长方法、用途和应用前景等方面综述了ZnO的最新研究与进展 ,并对ZnO今后的发展作了展望。

多层克尔型非线性平板波导中横电模的精确解

本文给出了多层克尔型非线性介质平板光波导中，TE波的统一场分布、色散关系及光传传输功率的精确表达式。

火焰水解法制作SiO_2平面波导材料

采用火焰水解法在Si基上淀积SiO2 /GeO2 :SiO2 预制材料 ,然后在真空中 /空气气氛中高温处理 ( 1380℃ )后 ,制得玻璃化的SiO2 /GeO2 :SiO2 膜材料。该材料膜厚适中 ( 10～ 30μm)、平整度好、光滑透明和适合制作单模、多模列阵平面波导光栅。利用XRD ,SEM和台阶仪等仪器对SiO2

背面直接取样结构电光取样的空间分辨率

介绍了电光取样系统空间分辨率的测量原理和方法 ,实验结果表明 ,建立的电光取样仪的空间分辨率为

绝缘介质Al_2O_3薄膜的数字化生长技术

采用ＣＶＤ技术实现了Ａｌ２Ｏ３薄膜的数字化生长，实验结果表明这种生长方法具有生长温度低、层厚可控等特点，生长出的薄膜每周期生长厚度约为１．１９。

准分子激光诱导CVD淀积低电阻率SnO_2薄膜

采用准分子激光诱导ＣＶＤ淀积ＳｎＯ＿２透明导电薄膜，并在其生长过程中进行掺杂Ｓｂ的实验，研究了薄膜生长速率及薄膜电阻率与激光能量密度的关系，得到了电阻率为１．４９×１０￣（－３）Ω·ｃｍ的高质量的ＳｎＯ＿２薄膜。

非线性法布里-珀罗腔的双稳态特性分析

应用传输矩阵的方法研究了垂直微腔多量子阱结构的双稳态特性 ,计算结果表明 ,分布布喇格反射器 (DBR)的高折射率介质紧挨着非线性介质 (多量子阱结构 )时更容易产生双稳态 ,我们计算了非线性法布里 -珀罗腔的反射相位与入射光功率关系曲线 ,反射率与入射光功率的关系曲线 ,和作为反射镜的DBR的对数对双稳态性质的影响等。

列阵波导光栅复用器及其应用

介绍用于波分复用的一种新型的无源器件列阵波导光栅 ,分析其工作原理 ,概述制备方法、用途和目前的发展状况 .

（100）和（111）BGaAs衬底上的In_（0．14）Ga_（0．86）As／GaAs量子阱的发光特性和光跃迁能量计算

在（１００）和（１１１）ＢＧａＡｓ衬底上，同时用ＭＯＣＶＤ生长出Ｉｎ０．１４Ｇａ０．８６Ａｓ多量子阱结构．对两种晶向的样品进行了低温（２Ｋ）光致发光谱特性对比研究，测量与理论计算的光发射能量对比表明：（１００）面样品两者一致，而（１１１）Ｂ样品计算值比测量值高出１０～１５ｍｅＶ．这一差别用（１１１）Ｂ面量子阱中的压电效应产生的自建电场引起的发射能量红移作出解释．

InAs／InP量子点的喇曼散射谱

对LP－MOCVD生长InAs量子点进行了背散射几何配置下的拉曼散射分析和比较，发现InAs量子点的LO模和TO模与体材料相比发生了较大程度的蓝移。考虑应变和限制效应的理论计算结果与实验吻合较好。加入GaAs薄张应变层的InAs量子点的LO模和TO模发生了更大程度的蓝移，同时无InP盖层的样品观察到应变的部分释放。

准确测量大功率LED热阻的新方法

准确测量大功率LED的热阻,关键是准确地确定LED的结温增量。首先利用正向电压法获得LED的结温;通过测量LED的降温曲线,计算获得LED稳定工作时底座的温度,从而得到LED的结温相对底座温度的增量。然后,再与注入电功率相除,即可得到准确的热阻。与常规方法相比,避免了直接测量LED底座温度中界面热阻的影响,使得测量LED的热阻更加准确、方便。该方法还可以用于测量贴片封装LED等常规方法难以测量的LED以及用于分析大功率LED二次封装时引入的热阻,为评价大功率LED的封装质量提供了一种有效的评测手段。

硅基微结构制作及其在微分析芯片上的应用

基于一种新的湿法刻蚀条件和新型的凸角补偿结构,以KOH溶液为腐蚀液,对单晶(100)Si材料进行了湿法刻蚀,获得了表面平整和凸角完整的刻蚀结果,制作了用于微模塑工艺的硅基阳模,并成功地用于聚甲基乙烯基硅氧烷微分析芯片的制作上。

亚微米外部电光检测技术

将固浸透镜技术与电光检测技术相结合 ,建立了具有亚微米空间分辨率的外部电光检测系统 ,通过使用GaAs半球作外部电光探头 ,用数值孔径为 0 3的显微物镜对波长为 1 3μm的探测光束进行聚焦 ,得到了半峰全宽直径为 0 7μm的聚焦光斑 ,成功测量了微带线上 10kHz的正弦波信号 ,验证了系统的线性响应特性 ,并得到了6mV/Hz的电压灵敏度。

高功率阵列半导体激光器的光纤耦合输出

采用柱透镜对 10单元阵列半导体激光器的输出光束进行了有效收集和预准直及与多模光纤之间的耦合实验。激光器采用 80 8nm波长、15 0 μm条宽的发射单元 ,周期为 10 0 0 μm,与 2 0 0 μm芯径平端光纤阵列的耦合效率高达 75 % ,光纤输出功率 7.5 W。分析了影响耦合效率的主要因素。

InAsP/InGaP应变补偿量子阱的研究进展

本文概述了近年来 In As P/ In Ga P应变补偿量子阱的研究与进展 ,从材料结构、界面质量、器件、存在问题及应用前景等方面对其进行了较为详细的叙述。界面质量的研究表明 ,In P薄层的引入有助于改善界面的质量 ,提高器件的性能 ,不失为继续研究的方向。