基于光电倍增管的低噪声前置放大器的设计及其信号处理

利用低噪声前置运算放大器把光电倍增管的输出信号尽可能无噪声的放大。从运放的选择,多级放大电路的设计要点,放大电路的噪声估算,PCB板布局连线和屏蔽等方面,提出了实用化的带宽达10 MHz的电路设计形式,以及注意事项及其信号调理方法。仿真结果显示了所设计电路的信号放大情况,此电路设计形式可以很好的放大并处理光电倍增管的输出信号。

f_T为350 GHz的InAlN/GaN HFET高频器件研究（英文）

采用再生长n^+GaN非合金欧姆接触工艺研制了具有高电流增益截止频率(f_T)的InAlN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs),器件尺寸得到有效缩小,源漏间距减小至600 nm.通过优化干法刻蚀和n^+GaN外延工艺,欧姆接触总电阻值达到0.16Ω·mm,该值为目前金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法制备的最低值.采用自对准电子束曝光工艺实现34 nm直栅.器件尺寸的缩小以及欧姆接触的改善,器件电学特性,尤其是射频特性得到大幅提升.器件的开态电阻(R_(on))仅为0.41Ω·mm,栅压1 V下,漏源饱和电流达到2.14 A/mm.此外,器件的电流增益截止频率(f_T)达到350 GHz,该值为目前GaN基HFET器件国内报道最高值.

一种带有温漂修调的二阶曲率补偿基准源电路

提出了一种带有温漂修调电路的二阶曲率补偿带隙基准电压源。采用VBE线性化补偿原理,通过在特定支路上产生二阶正温度系数电流来补偿VBE的二阶负温度系数项,从而大大提高了基准电压的温漂特性。另外,设计了电阻修调电路,简化了修调方式,降低了设计难度和设计成本,并且保证了基准电压的高精度。电路基于TSMC 0.18μm BCD工艺设计,使用Cadence Spectre对电路进行仿真验证,仿真结果表明,在3.3 V电源电压下,基准输出电压约为1.22 V,在-55~125℃温度范围内,温度系数为3.02×10^-6/℃,低频时电源电压抑制比为-51.21 dB。

用于临床计算机断层扫描技术的X射线探测器发展进程研究

计算机断层扫描是一种可重构患者身体横截面的非侵入式X射线诊断技术。它可以有效地提供有关器官结构的详细信息,并灵敏地检测出器官的病理变化。自20世纪70年代第一代计算机断层扫描被用于临床诊断以来,在该领域上的多项突破促成了现今超快速、低剂量的扫描技术,这种高检测效率和快速响应一定程度上归功于X射线检测器的发展。根据不同的工作原理,当前X射线探测器主要可分为间接和直接探测两种。此外,在过去二十年中,通过利用不同排列形状和工作机制的X射线探测器,高分辨率临床显微断层扫描系统也得到了显著的发展。本文旨在回顾用于断层扫描和显微断层扫描的X射线探测器技术发展的几个重要里程碑,并且具体分析两种类型探测器的基本工作原理和未来发展趋势。