期刊文献+
共找到85篇文章
< 1 2 5 >
每页显示 20 50 100
电流模式开关电源中电流检测电路的分析与设计 被引量:1
1
作者 俞德军 赵卉 张波 《中国集成电路》 2005年第11期42-45,共4页
电流检测电路是功率集成电路中重要的功能模块。通常采用的方法是在所要检测电流的支路加入一个小电阻,通过采样电阻上的压降来反映支路上的电流,或是利用MOS管的漏源电压的变化来采样流过该管的电流。前者将会增加一个额外的功率损耗,... 电流检测电路是功率集成电路中重要的功能模块。通常采用的方法是在所要检测电流的支路加入一个小电阻,通过采样电阻上的压降来反映支路上的电流,或是利用MOS管的漏源电压的变化来采样流过该管的电流。前者将会增加一个额外的功率损耗,而后者由于温度等的变化会导致电流检测精度的降低。本文设计了一种新型无额外功率损耗的高精度电流检测电路,克服了传统电流检测技术中增加额外功率损耗和精度较低的缺点。 展开更多
关键词 电流检测电路 分析与设计 开关电源 电流模式 功率集成电路 功率损耗 采样电阻 检测精度 功能模块
下载PDF
峰值电流模式升压DC-DC变换器中斜坡补偿的分析与设计 被引量:1
2
作者 陈慧宁 《电子设计应用》 2006年第12期125-127,共3页
本文通过分析固定频率、峰值电流模式升压DC-DC变换器中斜坡补偿的基本原理,提出了一种简单实用的斜坡补偿电路。该电路利用恒定电流充放电型振荡器产生的斜坡电压信号,通过一个V-I电路转换成可作为斜率补偿用的斜坡电流信号。
关键词 峰值电流模式 振荡器 斜坡补偿
下载PDF
一种CMOS电流控制振荡器的分析与设计 被引量:14
3
作者 袁涛 王华 +1 位作者 方健 李肇基 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期662-664,共3页
提出了一种结构简单的CMOS电流控制模式振荡器。该电路充分利用系统内部基准电流源产生的电流信号对电容进行充放电,在5 V电源电压下,经过控制电路作用后,上升时间和下降时间非常小,使产生的输出振荡波形更接近理想矩形波;通过调节基准... 提出了一种结构简单的CMOS电流控制模式振荡器。该电路充分利用系统内部基准电流源产生的电流信号对电容进行充放电,在5 V电源电压下,经过控制电路作用后,上升时间和下降时间非常小,使产生的输出振荡波形更接近理想矩形波;通过调节基准源电流信号或者电路中电容值的大小,可以调节振荡输出波形的频率和占空比。 展开更多
关键词 CMOS 电流控制 振荡器 基准电流源
下载PDF
1200V功率MOS栅驱动集成电路的设计 被引量:4
4
作者 乔明 方健 +4 位作者 李肇基 张波 罗小蓉 李泽宏 杨舰 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期138-141,共4页
 文章在国内首次设计并研制出1200V功率MOS栅驱动集成电路。该电路最高偏置电压(Voffset(max))为1200V,最大输出峰值电流为1A,最高工作频率100kHz,温度范围-55~125°C,可同时驱动系统中用于三相图腾柱式输出的高低端功率器件,是S...  文章在国内首次设计并研制出1200V功率MOS栅驱动集成电路。该电路最高偏置电压(Voffset(max))为1200V,最大输出峰值电流为1A,最高工作频率100kHz,温度范围-55~125°C,可同时驱动系统中用于三相图腾柱式输出的高低端功率器件,是SPIC的一种典型电路。 展开更多
关键词 高低端功率器件 智能功率集成电路 功率MOS栅驱动集成电路 LDMOS 脉冲宽度 滤波宽度
下载PDF
PSJ高压器件的优化设计 被引量:3
5
作者 陈万军 张波 +1 位作者 李肇基 邓小川 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期1089-1093,共5页
基于Semi SJ(superjunction)结构,提出了SJ的比例可以从0~1渐变的PSJ(partialsuperjunction)高压器件的概念.通过对PSJ比导通电阻的分析,得到了PSJ高压器件比导通电阻优化设计的理论公式.计算了不同击穿电压的比导通电阻,并与二维器件... 基于Semi SJ(superjunction)结构,提出了SJ的比例可以从0~1渐变的PSJ(partialsuperjunction)高压器件的概念.通过对PSJ比导通电阻的分析,得到了PSJ高压器件比导通电阻优化设计的理论公式.计算了不同击穿电压的比导通电阻,并与二维器件模拟结果和实验结果相比较.讨论了BAL(bottomassistlayer)部分穿通因素η、p型区深度归一化参数r、p型区深宽比A以及PSJ漂移区掺杂浓度是否统一对PSJ高压器件比导通电阻的影响.其理论结果和器件模拟结果相吻合,为设计与优化PSJ高压器件提供了理论依据.PSJ结构特别适于制造工艺水平不高、很难实现大的p型区深宽比的情况,为现有工艺实现高压低导通电阻器件提供了一种新的思路. 展开更多
关键词 PARTIAL super JUNCTION RESURF 击穿电压 比导通电阻
下载PDF
Unified Breakdown Model of SOI RESURF Device with Uniform/Step/Linear Doping Profile 被引量:1
6
作者 郭宇锋 张波 +2 位作者 毛平 李肇基 刘全旺 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期243-249,共7页
A unified breakdown model of SOI RESURF device with uniform,step,or linear drift region doping profile is firstly proposed.By the model,the electric field distribution and breakdown voltage are researched in detail fo... A unified breakdown model of SOI RESURF device with uniform,step,or linear drift region doping profile is firstly proposed.By the model,the electric field distribution and breakdown voltage are researched in detail for the step numbers from 0 to infinity.The critic electric field as the function of the geometry parameters and doping profile is derived.For the thick film device,linear doping profile can be replaced by a single or two steps doping profile in the drift region due to a considerable uniformly lateral electric field,almost ideal breakdown voltage,and simplified design and fabrication.The availability of the proposed model is verified by the good accordance among the analytical results,numerical simulations,and reported experiments. 展开更多
关键词 step doping profile linear doping profile SOI RESURF breakdown model
下载PDF
Total Dose Radiation-Hard 0.8μm SOI CMOS Transistors and ASIC 被引量:2
7
作者 肖志强 洪根深 +1 位作者 张波 刘忠立 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第10期1750-1754,共5页
This paper presents the total dose radiation performance of 0.8μm SOI CMOS devices fabricated with full dose SIMOX technology. The radiation performance is characterized by threshold voltage shifts and leakage curren... This paper presents the total dose radiation performance of 0.8μm SOI CMOS devices fabricated with full dose SIMOX technology. The radiation performance is characterized by threshold voltage shifts and leakage currents of transistors and standby currents of ASIC as functions of the total dose up to 500krad(Si). The experimental results show that the worst case threshold voltage shifts of front channels are less than 320mV for pMOS transistors under off-gate radiation bias at 1Mrad(Si) and less than 120mV for nMOS transistors under on-gate radiation bias. No significant radiation-induced leakage current is observed in transistors to 1Mrad (Si). The standby currents of ASIC are less than the specification of 5μA over the total dose range of 500krad(Si). 展开更多
关键词 SOI SIMOX RADIATION ASIC
下载PDF
Realizing High Breakdown Voltage SJ-LDMOS on Bulk Silicon Using a Partial n-Buried Layer 被引量:1
8
作者 陈万军 张波 李肇基 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期355-360,共6页
A new design concept is proposed to eliminate the substrate-assisted depletion effect that significantly degrades the breakdown voltage (BV) of conventional super junction-LDMOS. The key feature of the new concept i... A new design concept is proposed to eliminate the substrate-assisted depletion effect that significantly degrades the breakdown voltage (BV) of conventional super junction-LDMOS. The key feature of the new concept is that a partial buried layer is implemented which compensates for the charge interaction between the p-substrate and SJ region,realizing high breakdown voltage and low on-resistance. Numerical simulation results indicate that the proposed device features high breakdown voltage,low on-resistance,and reduced sensitivity to doping imbalance in the pillars. In addition, the proposed device is compatible with smart power technology. 展开更多
关键词 super junction LDMOS breakdown voltage substrate-assisted depletion effect
下载PDF
电阻场板LDMOS表面电场解析模型及优化设计 被引量:1
9
作者 李琦 李肇基 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期185-189,共5页
提出具有电阻场板(Resistive field plate,RFP)硅基LDMOS表面电场和击穿电压解析模型。基于求解二维Poisson方程,此模型给出了二维表面电场和电势与器件结构参数和漏偏压关系的解析表达式;计算漂移区长度与击穿电压的关系,提出了一种优... 提出具有电阻场板(Resistive field plate,RFP)硅基LDMOS表面电场和击穿电压解析模型。基于求解二维Poisson方程,此模型给出了二维表面电场和电势与器件结构参数和漏偏压关系的解析表达式;计算漂移区长度与击穿电压的关系,提出了一种优化高压器件的有效方法。解析结果与用MEDICI模拟的数值结果吻合较好,验证了模型的准确性,该模型可用于体硅RFPLDMOS的设计优化。 展开更多
关键词 电阻场板 表面电场 击穿电压 模型
下载PDF
一种低电压CMOS带隙基准源的分析与设计 被引量:2
10
作者 杨永豪 《电子科技》 2005年第12期20-23,共4页
分析了一种无需低阈值电压器件的低压CMOS带隙基准源结构,通过具体电路分析和设计验证了该结构相比于传统的基准源结构可以大大降低电源电压。基于0.5um商用标准CMOS工艺,使用Hspice仿真该电路得到结果为:最低电源电压为1.45V、输出基... 分析了一种无需低阈值电压器件的低压CMOS带隙基准源结构,通过具体电路分析和设计验证了该结构相比于传统的基准源结构可以大大降低电源电压。基于0.5um商用标准CMOS工艺,使用Hspice仿真该电路得到结果为:最低电源电压为1.45V、输出基准电压604mV、温漂12PPM/℃。 展开更多
关键词 CMOS带隙基准 温度系数 低电压 PTAT电流
下载PDF
软开关技术在PSOC中的应用
11
作者 牛全民 毛伟 +1 位作者 张波 李肇基 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期145-147,共3页
 在硬开关状态下,PWM功率变换器的致命弱点是开关管开关损耗随开关频率成正比增加,不利于系统的集成和转换效率的提高。因此,在片上功率系统(PSOC)的设计中,应该采用软开关拓扑电路。文章首次提出将PWM软开关技术应用到功率系统芯片设...  在硬开关状态下,PWM功率变换器的致命弱点是开关管开关损耗随开关频率成正比增加,不利于系统的集成和转换效率的提高。因此,在片上功率系统(PSOC)的设计中,应该采用软开关拓扑电路。文章首次提出将PWM软开关技术应用到功率系统芯片设计的思想。 展开更多
关键词 软开关 PSOC 片上功率系统 功率变换器 PWM 脉冲宽度调制
下载PDF
一种高性能电流调节器的设计
12
作者 周泽坤 陈志军 +1 位作者 石跃 张波 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期448-451,共4页
基于0.5μm CMOS工艺,设计了一种能够在较大范围内工作的电流调节器。该电路通过适当地利用NMOS和PMOS差分输入对的各自特性,以及改进的差分结构,实现了工作范围的扩展和共阴极LED的驱动。该电流调节器采用的运算放大器都是一级的自补... 基于0.5μm CMOS工艺,设计了一种能够在较大范围内工作的电流调节器。该电路通过适当地利用NMOS和PMOS差分输入对的各自特性,以及改进的差分结构,实现了工作范围的扩展和共阴极LED的驱动。该电流调节器采用的运算放大器都是一级的自补偿结构,从而简化了电路的稳定性设计,提高了物理实现的成功率。仿真结果表明,该电流调节器在整个工作范围内的精度可以达到80%以上。 展开更多
关键词 电流调节器 自补偿 CMOS集成电路
下载PDF
An Analytical Model for the Surface Electrical Field Distribution and Optimization of Bulk-Silicon Double RESURF Devices
13
作者 李琦 李肇基 张波 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第7期1177-1182,共6页
A new 2D analytical model for the surface electrical field distribution and optimization of bulk-silicon double RESURF devices is presented. Based on the solution to the 2D Poisson's equation, the model gives the inf... A new 2D analytical model for the surface electrical field distribution and optimization of bulk-silicon double RESURF devices is presented. Based on the solution to the 2D Poisson's equation, the model gives the influence on the surface electrical field of the drain bias and structure parameters such as the doping concentration,the depth and the position of the p-top region, the thickness and the doping concentration of the drift region, and the substrate doping concentration. The dependence of breakdown voltage on the length and doping concentration of the drift region is also calculated. Further more,an effective way to gain the optimum high-voltage is also proposed. All analytical results are verified by simulation results obtained by MEDICI and previous experimental data,showing the validity of the model presented here. 展开更多
关键词 bulk-silicon double RESURF surface electrical field OPTIMIZATION
下载PDF
一种新型高压场致发光驱动电路的设计
14
作者 叶星宁 李长虹 +1 位作者 班福奎 朱安磊 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期161-163,共3页
 提出了一种横向高压敏感功率器件的结构,采用SENSE技术制作末端功率器件。该器件是一种新型敏感器件,利用其版图结构及在结终端技术中的特殊结构,可使场致发光(EL)的驱动、智能开关电源等的保护功能更加可靠。在EL控制和驱动电路中,...  提出了一种横向高压敏感功率器件的结构,采用SENSE技术制作末端功率器件。该器件是一种新型敏感器件,利用其版图结构及在结终端技术中的特殊结构,可使场致发光(EL)的驱动、智能开关电源等的保护功能更加可靠。在EL控制和驱动电路中,采用一种新型误差放大电路和PWM电路,给出了电路模型参数,并设计了一种具有极低电磁干扰和高稳定度的新型EL电路。 展开更多
关键词 SENSE 场致发光 驱动电路 误差放大电路 PWM 高压驱动
下载PDF
DPA-Switch系列功率IC的原理与应用
15
作者 李强 张波 《中国集成电路》 2004年第6期73-77,共5页
DPA-Switch系列功率IC采用脉宽调制(PWM)和跳周期调制(PSM)相结合的新型调制方式来调节输出电压,并具有外部可编程、外部时钟同步、远程通断、低功耗和高效率等突出优点。本文根据DPA-Switch系列功率IC的工作原理进行功能分析并给出其... DPA-Switch系列功率IC采用脉宽调制(PWM)和跳周期调制(PSM)相结合的新型调制方式来调节输出电压,并具有外部可编程、外部时钟同步、远程通断、低功耗和高效率等突出优点。本文根据DPA-Switch系列功率IC的工作原理进行功能分析并给出其典型应用。 展开更多
关键词 DPA-Switch系列 功率集成电路 脉宽调制 跳周期调制 低功耗 远程通断
下载PDF
一种自偏置电流CMOS基准源的分析与设计 被引量:2
16
作者 张超 罗萍 杨永豪 《电子科技》 2006年第5期31-33,共3页
采用了一种结构新颖的CMOS基准源结构,该电路结构利用带隙基准结构产生的高精度PTAT电流作为内部OPAMP的自偏置电流,从而省去了PTAT电流产生电路,使芯片面积更小,基准电流更加接近理想的PTAT电流。该电路结构产生的带隙基准电压温漂达到... 采用了一种结构新颖的CMOS基准源结构,该电路结构利用带隙基准结构产生的高精度PTAT电流作为内部OPAMP的自偏置电流,从而省去了PTAT电流产生电路,使芯片面积更小,基准电流更加接近理想的PTAT电流。该电路结构产生的带隙基准电压温漂达到18.8PPM/℃,PTAT电流几乎与电源电压无关。 展开更多
关键词 自偏置电流 带隙基准电压 PTAT基准电流 运算放大器 温度系数
下载PDF
一种USB电源开关的设计 被引量:2
17
作者 罗翱 周泽坤 张波 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期592-594,共3页
设计了一种低导通损耗的USB电源开关电路。该电路采用自举电荷泵为N型功率管提供足够高的栅压,以降低USB开关的导通损耗。在过载情况下,过流保护电路能将输出电流限制在0.3 A。
关键词 USB开关 自举电荷泵 N型功率管 过流保护
下载PDF
基于电荷泵的高效白光LED驱动电路设计 被引量:4
18
作者 景卫兵 王宇华 张波 《中国集成电路》 2005年第6期48-51,共4页
本文设计了一种基于1X/1.5X电荷泵的高效白光LED驱动电路。该电路根据负载调整电荷泵的工作模式,使其尽可能地工作在高效率的1X模式下,进而提高驱动电路的输出效率。理论分析和仿真结果表明,在一定电压输入范围内这种驱动电路比固定工... 本文设计了一种基于1X/1.5X电荷泵的高效白光LED驱动电路。该电路根据负载调整电荷泵的工作模式,使其尽可能地工作在高效率的1X模式下,进而提高驱动电路的输出效率。理论分析和仿真结果表明,在一定电压输入范围内这种驱动电路比固定工作模式的驱动电路,其输出效率提高了25%左右。 展开更多
关键词 白光LED 驱动电路设计 电荷泵 工作模式 输出效率 负载调整 仿真结果 输入范围 高效率 定电压
下载PDF
一种具有高稳定跨导的OTA设计 被引量:3
19
作者 刘志峰 张波 李肇基 《中国集成电路》 2006年第5期36-39,50,共5页
本文设计了一种具有高稳定跨导的运算跨导放大器(OTA)模块,并将其与经典的双极型OTA的跨导稳定性作了对比分析。在分析中,本文引入并使用了跨导的相对温度系数、跨导对电源电压的敏感度、跨导特性改善因子三项指标。三项指标的分析表明... 本文设计了一种具有高稳定跨导的运算跨导放大器(OTA)模块,并将其与经典的双极型OTA的跨导稳定性作了对比分析。在分析中,本文引入并使用了跨导的相对温度系数、跨导对电源电压的敏感度、跨导特性改善因子三项指标。三项指标的分析表明,改进的OTA的跨导在稳定性方面比经典的双极型OTA具有更好的性能。经过仿真验证,所设计的OTA具有很高的跨导稳定性。 展开更多
关键词 运算跨导放大器 OTA 高稳定 设计 稳定性 温度系数 电源电压 改善因子 仿真验证 双极型
下载PDF
一种新型线性调节器的鲁棒性频率补偿设计 被引量:1
20
作者 郑尧 张波 +2 位作者 李强 罗萍 衡草飞 《电子设计应用》 2005年第8期82-84,16,共3页
本文在对线性调节器应用电路和外接电容特性进行分析的基础上,研究了线性调节器的鲁棒性设计,提出了一种不用电容的新型鲁棒性频率补偿方法,大幅降低了芯片面积。频率响应和瞬态响应的仿真结果表明,该方法保证了线性调节器的稳定性,也... 本文在对线性调节器应用电路和外接电容特性进行分析的基础上,研究了线性调节器的鲁棒性设计,提出了一种不用电容的新型鲁棒性频率补偿方法,大幅降低了芯片面积。频率响应和瞬态响应的仿真结果表明,该方法保证了线性调节器的稳定性,也明显改善了频率响应特性。 展开更多
关键词 线性调节器 鲁棒性 补偿设计 频率响应特性 电容特性 应用电路 补偿方法 芯片面积 仿真结果 瞬态响应 稳定性
下载PDF
上一页 1 2 5 下一页 到第
使用帮助 返回顶部