有机气相沉积中薄膜生长的模拟研究

通过对有机气相沉积中气体的传输过程进行模拟,略述了OVPD传输的基本机制。利用蒙特卡洛法对有机蒸气通过掩膜孔的动力学沉积过程进行仿真,仿真结果表明薄膜的形状受沉积参数的影响,例如,分子平均自由程(沉积压强)、掩膜板的尺寸以及掩膜板至基板的距离。分析表明,通过缩小掩膜板至基板的距离,同时减小沉积压强可以提高所成薄膜图案的分辨率,减小掩膜板的厚度可以提高材料的使用效率。

质谱法测量OLED封装材料的气体渗透率

本文介绍了质谱法渗透率测量系统和测量方法,利用该系统测量了水蒸汽、O2和CO2等气体对PET塑料薄膜和环氧树脂薄膜的渗透率,对所获得的实验结果进行了分析;结果表明PET塑料薄膜的水蒸汽渗透系数为1.76×10-6cm2/s,O2和CO2的渗透系数分别为4.5×10-9,2.25×10-8cm2/s,DG-4型环氧树脂的水蒸汽、O2和CO2的渗透系数分别为1.4×10-6,4.85×10-11和8.5×10-10cm2/s。实验结果表明PET塑料和环氧树脂的水和氧的渗透率很大,不适合作为长寿命OLED的封装材料;本文还讨论了所使用的质谱法渗透率测量系统存在的问题,以及该系统的改进方法。

真空热沉积过程中有机薄膜生长的模拟研究

利用Monte Carlo方法对真空蒸发系统下的有机薄膜生长过程进行了模拟。在该系统模型中,Ns个点蒸发源均匀分布在半径为R的圆周上,基板相对蒸发源所在平面距离为d。利用该模型分析了膜厚分布以及点蒸发源个数Ns、蒸发源与基板的相对位置R和d对薄膜厚度均匀性的影响,并通过实验对仿真结果进行了验证。结果显示,增加蒸发源个数、增大相对基板位置均可以有效提高薄膜的均匀性,测试发现薄膜样品的精度Max-Min均保持在5%左右。

退火温度对溶胶-凝胶法制备锌锡氧化物薄膜晶体管的影响

采用溶胶-凝胶法制备了非晶锌锡氧化物(ZTO)薄膜晶体管(TFT),通过热重-差热分析(TG-DTA)对ZTO胶体中的化学反应进行了分析,研究了不同退火温度对ZTO TFTs性能的影响。结果表明:当退火温度在300~500℃范围内时,薄膜为非晶态结构,薄膜表面致密、平整。当退火温度达到400℃时,薄膜在可见光范围内具有高透过率(】85%)。随着退火温度的升高,器件阈值电压明显降低,由15.85 V降至3.76 V,载流子迁移率由0.004 cm2·V-1·s-1提高到5.16 cm2·V-1·s-1,开关电流比达到105。退火温度的升高明显改善了ZTO TFT的电学性能。

一种基于液晶性质的Pt配合物磷光材料电致发光器件

采用聚合物掺杂的方式,利用旋涂工艺制备了ITO/PVK:TOPPt/BCP(20 nm)/Mg:Ag(200 nm)结构的有机电致发光器件(OLED)。对掺杂浓度为2%(器件A)和4%(器件B)的磷光聚合物掺杂体系的光致发光(PL)和电致发光(EL)性质进行了分析研究,并对主体材料PVK到磷光客体材料TOPPPt的能量传递机制进行了讨论。实验表明,器件的EL谱谱峰位于625 nm,器件A在25 V时最大亮度为3037 cd/m2,最大电流效率为3.15cd/A。器件的EL谱不会随着偏置电压和掺杂浓度而改变,器件具有较好的稳定性。

一种新型磷光材料的电致发光特性研究

设计与合成了一种基于Pt配合物的新型磷光材料(ppy)Pt(bcam),用其制备了相应的磷光器件,器件的结构为ITO/NPB(50 nm)/CBP(15 nm)/(ppy)Pt(bcam)(0.3-2.0 nm)/CBP(15 nm)/BCP(10 nm)/Alq3(20 nm)/Mg:Ag(200 nm),并对器件的相关特性进行了研究。(ppy)Pt(bcam)磷光器件的最大发光波长为625 nm,器件的最大发光波长随驱动电压变化很小,显示了该器件磷光特性非常稳定;磷光发光层厚度为0.5 nm在驱动电压为24.25 V时亮度达到8 755 cd/m2,电流密度为499 A/m2时得到最大的电流效率3.33 cd/A。