电路模拟技术在吸波结构中的应用

研究了在雷达吸波结构中应用电路模拟技术改进其在ＴＥ极化平面波入射下的反射特性的方法。证明了在吸波结构中插入感性电路屏可使其输入阻抗迅速增大，论述了选择电路屏参数的方法，并给出一个设计实例，其特性比通常设计好得多。

磁光型记录介质疲劳特性研究

本文对单层结构和多层结构磁光型记录介质的疲劳特性进行研究 ,并对记录介质化学稳定性、记录介质循环擦写后记录磁畴物理特性及磁光记录动态特性载噪比和误码率进行分析 。

磁光盘的若干关键技术

磁光盘(MO Disc)和磁光盘驱动器(MO Driver)构成了磁光存储系统，该系统的主要指标是存储容量、读写速度和数据交换速率。 磁光存储系统作为商品用于是1987年问世。当时，一张5.25”(130mm)的磁光盘存储容量为650MB，3.5”(90mm)的磁光盘容量为128MB；目前，一张5.25”磁光盘的容量为5.2GB，3.5”磁光盘的容量为1.3GB，其容量比问世之初提高了10倍；而磁光存储系统的平均存取时间从150ms降到了28ms，最快可达10ms，数据传输率从0.15MB/s提高到了4-10MB/s。

磁光存储技术及其发展方向

传统的信息记录技术是磁记录。磁记录的优点是信息可擦重写;它的最大缺点是记录容量不够理想,记录介质寿命短。近二十年来发展起来一项新型信息记录技术——光盘存储。光盘存储的最大特点是存储容量大、介质寿命长。

光盘扫描高斯光束的研究

讨论了扫描光束对高斯参数扫描光点强度分布的影响；给出了高斯参数与中心峰值强度及光点直径的定量关系；展示出焦平面上的三维光强分布图；提出了光盘存贮中高斯参数的选择依据；有效利用无能，获得高性能扫描光点。

直流磁控溅射中Ar气压强对TbFeCo磁光薄膜均匀性的影响

本文研究了磁光盘生产中 Ar气压强对直流磁控溅射 Tb Fe Co磁光薄膜均匀性的影响 ,通过调整溅射气压来提高薄膜的厚度均匀性和成分均匀性。在靶 -基片距离为 6 0 0 m m,溅射功率为 6 0 0 W,溅射气压为 0 .6～0 .8Pa的条件下 ,获得了均匀性良好的磁光薄膜 。

溅射功率对TbFeCo磁光薄膜特性的影响

研究直流磁控溅射中溅射功率对ＴｂＦｅＣＯ磁光薄膜成分均匀性、厚度均匀性、克尔旋转角θｋ和矫顽力Ｈｃ的影响。实验结果表明对于全金属互化物相（１００％ＩＭ）ＴｂＦｅＣｏ合金靶，若采用适当的溅射功率，不但能够实现高速率溅射，而且可获得较好的成分和厚度均匀性，同时溅射所得薄膜具有大的克尔旋转角和合适的矫顽力。此工艺参数被用于磁光盘的生产。

磁光盘可靠性及寿命评估方法研究

采用高温和湿热交变加速应力条件对磁光盘可靠性寿命进行研究。通过对磁光盘在加速应力条件下的动态性能分析 ,提出了以威布尔分布来处理磁光盘失效的理论模型 ,并得到了较好的拟合 ,对磁光盘的可靠性寿命进行了评估 。

XPS谱在磁光介质可靠性分析中的应用

通过对单层结构和多层结构的磁光记录介质TbFeCo在常温环境气氛条件和高温加速应力条件下的可靠性对比实验，以及对组成元素的XPS光电子能谱分析，证明了只有经过多层结构保护处理的磁光记录介质才具有高的稳定性。

临界角聚焦误差检测的改进

介绍了光盘系统中临界角聚焦误差检测的改进方法及理论分析，改善了误差检测信号和增益特性，提高了自动聚焦误差控制系统的聚焦精度及稳定性。