一种自相似网络流量生成器的设计与实现

为了满足网络设备性能测试的需要,流量生成器应能够产生近似真实网络特性的网络流量.针对现有的流量产生方案的速度限制和精确性不足的问题,设计了一种高效的自相似网络流量生成器.根据多个独立的ON/OFF模型叠加的方式实时产生自相似流量时间序列,并完全利用FPGA硬件资源实现了流量生成器的结构设计.该生成器可实现"Gb/s"的数据速率,且速度可扩展性高.通过流量统计特性分析,该网络流量生成器生成的流量表现出较准确的自相似性,能够较好地反映真实的网络流量.

太阳能路灯的优化设计与实现

太阳能路灯安全节能无污染、工作自动化、节省电费、维护简便,相对普通路灯而言有较高的性价比。无需复杂昂贵的管线铺设,可任意调整灯具的布局,适用于中等大小的环境。综合考虑具体的地理位置和气候条件,经过优化配置太阳能路灯系统。结合蓄电池放电深度,根据LED光源的大小计算太阳能光伏组件和蓄电池容量,确定太阳能路灯系统最佳配置的方法。以西南科技大学太阳能路灯优化设计为实例进行分析,系统实行智能控制,能提供连续5个阴天的照明要求。

一种提高放大器增益和带宽的设计技术分析

运算放大器是信号处理中的基础模块,是高性能混合信号数据转换器、片上系统(So C)等的重要组成部分。低功耗和高性能的基础电路模块成为系统发展的瓶颈,因此对增益和带宽增强型运算放大器的研究成为业界关注的焦点。为了研究运算放大器增益和带宽优化设计技术,实现低功耗高性能的解决方案,对电流重用技术的产生背景和技术演进作了较为详细的分析,体现了在技术进步过程中对结构的优化和改进,对高性能系统集成设计具有重要的参考意义。

PDLC膜黑白显示原理及其光电性能研究

文章阐述了基于正交偏正片实现PDLC膜的黑白显示机理,并基于正交偏振片研究了PDLC膜的电光特性,实现PDLC膜黑白显示。研究发现,PDLC膜的阈值电压Vth和对比度CR(0°)随膜厚、单体含量增加呈减小的趋势,与无正交偏振片下的PDLC膜相关特性相反;而饱和驱动电压Vdr随膜厚、单体含量增加而增大,且可视视角宽度随膜厚增加而减小,与无正交偏振片下PDLC膜相关特性变化趋势基本一致;透射光强与视角之间存在M型特性。

GaN基HEMT器件的表面陷阱电荷输运过程实验研究

基于特制的无台面AlGaN/GaN HEMT,设计了一种实验方法,用以研究AlGaN/GaN外延表面陷阱态间的电荷输运过程。经实验证实,在器件电流崩塌效应中,存在表面陷阱电荷输运,并确定了相关时间常数。针对应力后电流崩塌驰豫过程,实验监测到小于0.1 s和大于10 s两类时间常数,其中较大的常数对应于表面陷阱电荷的输运过程。此结论可望用于对AlGaN/GaNHEMT电流崩塌效应进一步的理论探索和相关的器件研究。

基于双肖特基接触GaN薄膜特性参数测试新方法

提出了一种 Ga N薄膜电学参量测试新方法 .该方法基于双肖特基结二极管结构 ,利用非对称的电极图形获取整流特性 ,从而省去了复杂的欧姆接触形成工艺 ,可方便地导出电子电导迁移率和肖特基接触理想因子等特征参数 .对残留载流子浓度为 7× 10 1 6 cm- 3的非故意掺杂 Ga N薄膜进行了试验 ,新方法得到 Ni/Au- Ga N肖特基接触的理想因子为 2 .8,Ga N薄膜方块电阻为 4 91Ω 和电子电导迁移率为 6 0 6 cm2 /(V· s) .这些典型参数与利用欧姆接触实验和普通 Ni/Au- Ga N肖特基二极管测试所得结果较为吻合 .该方法为半导体薄膜测试提供了新思路 ,可推广用于难以形成良好线性欧姆接触或材料特性受欧姆接触工艺影响较大的外延材料及其金半接触的监测研究 .

GaN基HEMT器件的表面陷阱充电效应研究

设计了一种实验方法用以研究AlGaN/GaN外延表面陷阱充电效应对于薄膜电阻的影响,该效应与GaN基HEMT电流崩塌现象直接相关。测量获得了AlGaN/GaN异质结结构薄膜电阻在周期栅脉冲信号下的变化规律。薄膜电阻在低频区域对脉冲频率十分敏感,而在高频时出现饱和。当信号频率足够高时(≥4kHz),AlGaN/GaN薄膜将呈现高阻,器件关断,说明二维电子气已被表面陷阱电荷耗尽。该实验为研究表面陷阱与电流崩塌效应的关系提供了新的证据。

GaN基HEMT电流崩塌现象相关的表面陷阱效应

采用脉冲测试方法研究了与GaN基HEMT电流崩塌相关的表面陷阱效应。对特制的无台面器件进行的实验证实了表面陷阱之间存在输运过程。数据表明,当栅应力持续时间足够长时,被充电的表面陷阱会达到某种稳态。该稳态是包含了陷阱俘获与释放过程的动态平衡态。

石墨烯掺杂研究进展

石墨烯被认为是在后摩尔时代可能取代硅成为构筑集成电路的主要材料,近年来成为研究热点。然而要使石墨烯在电路中得到实际应用,其稳定、可控的掺杂至关重要。按照不同掺杂机理梳理了近年来关于掺杂石墨烯的研究,分析了表面转移掺杂和替位掺杂两种主流掺杂方法的掺杂机制,比较了不同掺杂方法的优势与劣势,并提出了潜在的应用方向。由于简单表面转移掺杂和替位掺杂方法都使石墨烯掺杂后裸露在外界环境中,很容易受外界吸附物的影响,造成掺杂效果的退化,因此介绍了氮化硅钝化层和金属接触在石墨烯掺杂方面的独特优势,并且认为掺杂后隔绝石墨烯与外界环境是掺杂稳定存在的必要前提。最后,展望了掺杂石墨烯在未来电子器件中的应用。

浆料中银颗粒均匀度对太阳能电池性能的影响

为了减小反向漏电流对太阳能电池性能的不良影响,该文通过实验,对比了两款银颗粒均匀度不同的浆料,并将其分别印刷于两组硅片表面;经过各自最优条件烧结后,通过SEM观察了电极与硅片间的接触形成情况;同时,对两组电池片的各项电性能参数进行了对比。结果发现,银颗粒均匀度较差的浆料,会导致较大的反向漏电流,从而降低电池的转换效率;而浆料中银颗粒大小均一、分布均匀的浆料,则可使反向漏电流减小85%以上,有效避免了烧穿的发生,使电池的电性能得以明显提高。

非晶态磷酸锂包覆钛酸锂电极在0.01~3.00 V电压范围的性能研究

长期以来,表面包覆一直是改善锂离子电池电极材料电化学性能的有效手段。本研究采用磁控溅射法将非晶态磷酸锂包覆在Li4Ti5O12电极片表面,修饰后电极表面光滑,形成了均匀的非晶态磷酸锂包覆层。在0.01–3.00 V电压范围的充放电测试结果显示,该包覆层可显著改善电极的倍率性能和循环性能。当充放电电流密度分别为35和1750 mA·g^(–1)时,电池容量可以达到265和151 mAh·g^(–1),远高于未包覆电池的240和22 mAh·g^(–1),并以88 mA·g^(–1)的电流密度进一步充放电200个循环后,仍保留了238 mAh·g^(–1)的高可逆容量。这是由于非晶态磷酸锂包覆层可稳定电解质界面,保持粒子间电子通道的完整性,并在电极表面形成交联离子导电网络,使得改性电极的倍率性能和循环稳定性显著提高。

AlGaN/GaN HEMT击穿特性与受主陷阱相关性研究

通过计算沟道电场的分布,研究了受主陷阱对AlGaN/GaN HEMT器件击穿特性的影响。研究发现,有受主陷阱的条件下,漏端出现电场峰值,栅端电场峰值被大幅度削减。当Vg=0 V,Vd=60 V,受主陷阱浓度NA=1×1017cm-3时,栅端电场峰值与不加受主陷阱时相比可下降到56%。受陷阱电荷影响,当击穿电压大于某个电压时,漏端电场峰值超过栅端电场峰值,此时,击穿发生在漏端。该仿真结果修正了HEMT击穿总发生在栅端边缘处的传统看法。

应用伪随机码的EAS系统

在通信系统中,伪随机码应用十分广泛,其优点是抗干扰能力强,保密性好。在比较两种伪随机码产生方法 的基础上,分析了应用伪随机码的EAS(ElectronicArticleSurveillance)系统的优点:抗干扰能力强和多系统协调工作性 能好。同时,提出一种以伪随机特征码为纽带的多个EAS系统一起工作的协调方式。然后,通过对现有EAS系统不足点的 分析,提出了新的检测信号有效性的判断依据,即信号的测量值与平均值的偏差是符合高斯分布的,以及相应的评判方法, 即计算信号测量值与平均值的偏差,如果测量偏差大于某个域值,则触发一个报警。由此,进一步详细阐述了将伪随机码 技术应用于EAS系统的具体方法及其抗干扰能力。

一种带低温段线性补偿的电流基准设计

提出了一种新型低温段线性补偿的基准电流源的设计方法,该电流源由PTAT电流,与绝对温度近似成反比的电流及低温段的补偿电流组成,着重阐述了低温补偿温度点的选取。基于TSMC0.5μm BICMOS工艺模型,HSPICE模拟验证结果表明,在(-25～125)℃范围内,温度系数为45 ppm/℃。

一种基于电流舵逻辑的环形振荡器

文章分析了电流舵逻辑门的动/静态特性。为了比较电流舵环形振荡器和普通数字反相器环形振荡器,采用1.2μm标准CMOS工艺,设计并制作了两种环形振荡器。仿真和试验结果表明,电流舵环形振荡器具有低噪声和频率不随电压变化的特点,但其功耗比较大,适合于噪声要求高而功耗要求不高的电路。

为什么XST与Synplify的综合结果不一样?

本文通过对一个状态机设计问题的分析,解释了 XST 与 Synplify 的综合结果不一致的原因,并强调了逻辑设计中的注意事项。

一款电流型控制的DC/DC降压转换器

本文提出一种新型电感电流检测电路,该检测电路不需要一个放大器作为电压镜像,从而使用的器件更少,功耗更低。该电感电流检测电路应用于DC/DC降压转换器,采用CSM 0.18μm CMOS工艺进行设计和仿真,仿真结果显示该电感电流检测电路的精度可达到96%,输出电压的纹波仅为1mV。