VLSI／ULSI可靠性的监测与模拟

论述分析了现代ＶＬＳＩ／ＵＬＳＩ电路可靠性监测与模拟技术的研究进展、应用趋势以及相关的新型监测分析技术，并讨论了其研究设计与发展方向。

1300V/20A绝缘栅双极晶体管IGBT

基于理论概括与实验研究,已经在N^-/N^+/P^+外延基片上获得了1300V/20A高性能IGBT;并进而指出了实现该器件互相关联的关键技术。它们分别是:优质厚层低缺陷密度异型硅外延材料的工艺制备,器件纵横向几何结构及工作参数的准确量化,和通过叠加组合形成的复合高压终端结构。

调制掺杂场效应晶体管的直流特性

对调制掺杂场效应晶体管的栅控特性进行了研究。考虑费米能级随二维电子气浓度的变化,计算了器件的直流特性。计算结果包括在阈值电压附近以及非饱和区,与实验结果吻合较佳。