期刊文献+
共找到17篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
陶瓷衬底上淀积薄膜α-Fe_2O_3材料的微结构和气敏特性研究 被引量:3
1
作者 柴常春 彭军 +1 位作者 郭振琪 镇桂芹 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第3期493-498,共6页
本文用常压化学气相淀积(APCVD)工艺在陶瓷衬底上成功地制备出了具有超微粒结构的α-Fe_2O_3气敏薄膜.对所制备的薄膜进行了X射线衍射分析和扫描电子显微分析(SEM).研究了淀积工艺条件对α-Fe_2O_3薄膜的粒... 本文用常压化学气相淀积(APCVD)工艺在陶瓷衬底上成功地制备出了具有超微粒结构的α-Fe_2O_3气敏薄膜.对所制备的薄膜进行了X射线衍射分析和扫描电子显微分析(SEM).研究了淀积工艺条件对α-Fe_2O_3薄膜的粒度的影响.气敏特性研究表明,用APCVDI艺制备的超微粒α-Fe_2O_3薄膜对烟雾呈现出很高的灵敏度和良好的选择性,这种薄膜可用于感烟探测器. 展开更多
关键词 微结构 氧化铁 气敏性 陶瓷薄膜 衬底 淀积
下载PDF
高功率密度自对准结构AlGaAs/GaAs异质结双极晶体管 被引量:6
2
作者 严北平 张鹤鸣 戴显英 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期247-250,共4页
利用各向异性的湿法刻蚀和侧墙隔离技术实现了发射极金属和基极金属的自对准 ,采用该自对准技术成功地研制出了自对准结构的 Al Ga As/ Ga As异质结双极晶体管 ,器件直流电流增益大于 2 0 ,电流增益截止频率 f T 大于30 GHz,最高振荡频... 利用各向异性的湿法刻蚀和侧墙隔离技术实现了发射极金属和基极金属的自对准 ,采用该自对准技术成功地研制出了自对准结构的 Al Ga As/ Ga As异质结双极晶体管 ,器件直流电流增益大于 2 0 ,电流增益截止频率 f T 大于30 GHz,最高振荡频率 fmax大于 5 0 GHz,连续波功率测量表明 :在 1d B增益压缩时 ,单指 HBT可以提供 10 0 m W输出功率 ,对应的功率密度为 6 .6 7W/ m m,功率饱和时最大输出功率 112 m W,对应功率密度为 7.48W/ m m,功率附加效率为 6 7% 展开更多
关键词 自对准结构 高功率密度 异质结双极晶体管 ALGAAS/GAAS 砷化镓
下载PDF
硅-硅直接键合的亲水处理及界面电特性 被引量:4
3
作者 何进 王新 陈星弼 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 1999年第5期354-357,共4页
研究了基于亲水处理的微观机理分析和不同清洗剂亲水处理的过程及效果,提出了一种独特的三步亲水处理法。这一方法既能顺利完成室温预键合,又能减少界面上非定形大尺寸SiOx体的生成,避免了界面对电输运的势垒障碍。
关键词 半导体工艺 表面处理 硅片直接键合 亲水处理
下载PDF
6H-SiC JFET输出特性及其中子辐照模型 被引量:4
4
作者 尚也淳 张义门 张玉明 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2000年第6期424-428,451,共6页
基于沟道调制效应、串联电阻效应的考虑 ,首先建立了一个和实验室符合很好的 6H-Si C JFET的模型 ,在该模型中采用了两级电离杂质模型和 Caughey-Thomas方程 ,接着在分析中子辐照对 Si C JFET电参数如电子浓度、迁移率、电阻率和空间电... 基于沟道调制效应、串联电阻效应的考虑 ,首先建立了一个和实验室符合很好的 6H-Si C JFET的模型 ,在该模型中采用了两级电离杂质模型和 Caughey-Thomas方程 ,接着在分析中子辐照对 Si C JFET电参数如电子浓度、迁移率、电阻率和空间电荷区密度影响的基础上 ,对 Si C JFET在室温和 30 0℃时的辐照响应进行了模拟。 展开更多
关键词 SIC JFET 输出特性 辐照响应 中子辐照模型
下载PDF
深亚微米CMOS IC抗噪声ESD保护电路的设计 被引量:1
5
作者 陈曦 庄奕琪 +2 位作者 罗宏伟 胡净 韩孝勇 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2003年第5期439-442,共4页
 CMOS工艺技术缩小到深亚微米阶段,电路的静电(ESD)保护能力受到了更大的限制。因此,需要采取更加有效并且可靠的静电放电保护设计。文章提出了一种新型的ESD保护电路,以LVTSCR结构为基础,结合栅耦合技术以及抗噪声干扰技术。这种新型...  CMOS工艺技术缩小到深亚微米阶段,电路的静电(ESD)保护能力受到了更大的限制。因此,需要采取更加有效并且可靠的静电放电保护设计。文章提出了一种新型的ESD保护电路,以LVTSCR结构为基础,结合栅耦合技术以及抗噪声干扰技术。这种新型电路即使被意外触发也不会引起闩锁效应,提高了ESD保护电路的可靠性,实现了全芯片保护。 展开更多
关键词 深亚微米CMOS 噪声 ESD保护电路 静电保护 可靠性设计 集成电路
下载PDF
S波段0.3W AlGaAs/GaAsHBT功率管 被引量:1
6
作者 严北平 张鹤鸣 戴显英 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期350-353,共4页
采用标准的湿法刻蚀工艺研制出了 S波段工作的非自对准 Al Ga As/ Ga As异质结双极晶体管 .对于总面积为 8× 2 μm× 10 μm的 HBT器件 ,测得其直流电流增益大于 10 ,电流增益截止频率 f T 大于 2 0 GHz,最高振荡频率fmax大于 ... 采用标准的湿法刻蚀工艺研制出了 S波段工作的非自对准 Al Ga As/ Ga As异质结双极晶体管 .对于总面积为 8× 2 μm× 10 μm的 HBT器件 ,测得其直流电流增益大于 10 ,电流增益截止频率 f T 大于 2 0 GHz,最高振荡频率fmax大于 30 GHz.连续波功率输出为 0 .3W,峰值功率附加效率 41% 展开更多
关键词 ALGAAS/GAAS 异质结双级晶体管 S波段 砷化镓
下载PDF
Thermal Effects and RF Power Handling of DC~5GHz MEMS Switch 被引量:1
7
作者 吕苗 赵正平 +3 位作者 娄建忠 顾洪明 胡小东 李倩 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第7期749-755,共7页
A DC to 5GHz series MEMS switch is designed and fabricated for wireless communication applications,and thermal effect and power handling of the series switch are discussed.The switch is made on glass substrate,and gol... A DC to 5GHz series MEMS switch is designed and fabricated for wireless communication applications,and thermal effect and power handling of the series switch are discussed.The switch is made on glass substrate,and gold platinum contact is used to get a stable and little insert loss.From DC to 5GHz,0 6dB insertion loss,30dB isolation,and 30μs delay are demonstrated.Thermal effect of the switch is tested in 85℃ and -55℃ atmosphere separately.From DC to 4GHz,the insert loss of the switch increases 0 2dB in 85℃ and 0 4dB in -55℃,while the isolation holds the same value as that in room temperature.To measure the power handling capability of the switch,we applied a continuous RF power increasing from 10dBm to 35 1dBm with the step of 1 0dBm across the switch at 4GHz.The switch keeps working and shows a decrease of the insert loss for 0 1~0 6dB.The maximum continuous power handling (35 1dBm,about 3 24W) is higer than the reported value of shunt switch (about 420mW),which implies series switches have much better power handling capability. 展开更多
关键词 RF MEMS switches thermal effects power handling capability
下载PDF
异质结双极晶体管基区复合电流的解析模型 被引量:1
8
作者 严北平 孙晓玮 罗晋生 《半导体情报》 1998年第5期55-59,共5页
从求解异质结双极晶体管基区的二维电流连续性方程出发,推导出了基区少数载流子浓度的解析解,由此获得了基区各种复合电流的解析表达式。基于该模型完成了算法研究和软件编制,计算出了器件所能达到的理论电流增益。
关键词 异质结 双极晶体管 基区复合电流 电流增益
下载PDF
微空气桥隔离的自对准AlGaAs/GaAs异质结双极晶体管
9
作者 严北平 张鹤鸣 戴显英 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第11期132-133,136,共3页
利用微空气桥隔离和自对准技术成功地研制出了自对准结构的AlGaAs/GaAs异质结双极晶体管 .器件展现出良好的直流和高频特性 .对于发射极面积为 2 μm× 15 μm的器件 ,直流电流增益大于 10 ,失调电压 (Offsetvoltage)2 0 0mV ;电流... 利用微空气桥隔离和自对准技术成功地研制出了自对准结构的AlGaAs/GaAs异质结双极晶体管 .器件展现出良好的直流和高频特性 .对于发射极面积为 2 μm× 15 μm的器件 ,直流电流增益大于 10 ,失调电压 (Offsetvoltage)2 0 0mV ;电流增益截止频率fT 大于 30GHz,最高振荡频率fmax约为 5 0GHz. 展开更多
关键词 ALGAAS/GAAS 异质结 双极晶体管 微空气桥隔离
下载PDF
PNP型HBT基极接触阻抗的理论估算
10
作者 张鹤鸣 严北平 戴显英 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2001年第2期197-203,共7页
给出了非合金接触情况下 ,PNP型 HBT基极比接触电阻和接触阻抗的解析计算方法和结果。讨论了接触阻抗随频率的变化规律 。
关键词 PNP型 异质结晶体管 比接触电阻 基极接触阻抗 集总元件模型
下载PDF
PNP和NPN型异质结双极晶体管的不同设计考虑
11
作者 严北平 罗晋生 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1997年第3期212-217,共6页
PNP和NPN高频异质结双极晶体管的设计有明显不同,这主要归因于砷化镓中电子与空穴的迁移率存在显著差别。这种差别在基区和子集电区外延层的设计中体现得尤为明显。文中详细讨论了PNP和NPN两种类型的异质结双极晶体管各自外延层的设计... PNP和NPN高频异质结双极晶体管的设计有明显不同,这主要归因于砷化镓中电子与空穴的迁移率存在显著差别。这种差别在基区和子集电区外延层的设计中体现得尤为明显。文中详细讨论了PNP和NPN两种类型的异质结双极晶体管各自外延层的设计考虑。 展开更多
关键词 异质结 双极晶体管 PNP型 HBT NPN型
下载PDF
高速锁存器半稳态发生概率的分析及优化
12
作者 杨泓 李肇基 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2001年第3期161-164,共4页
提出了锁存器半稳态发生概率 (MSS)的优化公式 ,引入半稳态发生概率相关因子γ,给出了锁存器 PMOS与 NMOS管宽长比之比及加速电容与 γ的相互关系。同时 ,采用交流小信号频域分析法 ,对高速比较器中的锁存器的宽长比进行了优化 ,给出了... 提出了锁存器半稳态发生概率 (MSS)的优化公式 ,引入半稳态发生概率相关因子γ,给出了锁存器 PMOS与 NMOS管宽长比之比及加速电容与 γ的相互关系。同时 ,采用交流小信号频域分析法 ,对高速比较器中的锁存器的宽长比进行了优化 ,给出了锁存器的最佳宽长比 ,以使半稳态的产生机率达到最小。 展开更多
关键词 锁存器 比较器 半稳态发生概率 集成电路 A/D转换器
下载PDF
稳态、瞬态X射线辐照引起的互补性金属-氧化物-半导体器件剂量增强效应研究 被引量:9
13
作者 郭红霞 陈雨生 +5 位作者 张义门 周辉 龚建成 韩福斌 关颖 吴国荣 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第12期2279-2283,共5页
重点开展了稳态、瞬态X射线辐照引起的金属 氧化物 半导体 (CMOS)器件剂量增强效应relativedoseenhance menteffect(RDEF)研究 .通过实验给出辐照敏感参数随总剂量的变化关系 ,旨在建立CMOS器件相同累积剂量时Χ射线辐照和γ射线辐照... 重点开展了稳态、瞬态X射线辐照引起的金属 氧化物 半导体 (CMOS)器件剂量增强效应relativedoseenhance menteffect(RDEF)研究 .通过实验给出辐照敏感参数随总剂量的变化关系 ,旨在建立CMOS器件相同累积剂量时Χ射线辐照和γ射线辐照的总剂量效应损伤等效关系 .在脉冲X射线源denseplasmafocus(DPF)装置上 ,采用双层膜结构开展瞬态翻转增强效应研究 ,获得了瞬态翻转剂量增强因子 . 展开更多
关键词 X射线 剂量增强因子 总剂量效应 金属-氧化物-半导体器件 辐照 剂量增强效应
原文传递
低温低剂量率下金属-氧化物-半导体器件的辐照效应 被引量:13
14
作者 张廷庆 刘传洋 +6 位作者 刘家璐 王剑屏 黄智 徐娜军 何宝平 彭宏论 姚育娟 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第12期2434-2438,共5页
对金属 氧化物 半导体 (MOS)器件在低剂量率γ射线辐照条件下的剂量率效应以及温度效应进行了研究 .对不同剂量率、不同温度辐照后MOS器件的阈值电压漂移进行了比较 .结果表明 ,低剂量率辐照下 ,感生界面态要受到辐照时间的长短以及... 对金属 氧化物 半导体 (MOS)器件在低剂量率γ射线辐照条件下的剂量率效应以及温度效应进行了研究 .对不同剂量率、不同温度辐照后MOS器件的阈值电压漂移进行了比较 .结果表明 ,低剂量率辐照下 ,感生界面态要受到辐照时间的长短以及生成的氢离子数目的影响 ,辐照时间越长 ,生成的氢离子越多 ,感生界面态密度越大 ;温度对界面态的影响与界面态建立的时间有关 ,低温辐照时 。 展开更多
关键词 辐照效应 阈值电压漂移 低剂量率 低温 界面态 金属氧化物-半导体器件 MOS器件
原文传递
界面电偶极子对GaN/AlGaN/GaN光电探测器紫外/太阳光选择比的影响 被引量:2
15
作者 张春福 郝跃 +2 位作者 游海龙 张金凤 周小伟 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第8期3810-3814,共5页
在GaN/AlGaN/GaN倒置异质结光电二极管(IHP)中,存在于AlGaN/GaN异质结界面处强烈的极化效应对器件的紫外/太阳光(UV/Solar)选择比产生了重要的影响.将极化效应总的影响分为两部分:电偶极子和极化项,在建立的GaN/AlGaN/GaN结构IHP模型的... 在GaN/AlGaN/GaN倒置异质结光电二极管(IHP)中,存在于AlGaN/GaN异质结界面处强烈的极化效应对器件的紫外/太阳光(UV/Solar)选择比产生了重要的影响.将极化效应总的影响分为两部分:电偶极子和极化项,在建立的GaN/AlGaN/GaN结构IHP模型的基础上,对电偶极子对器件UV/Solar选择比的影响进行了分析.分析结果表明,只有在考虑电偶极子的影响时,光电探测器的UV/Solar选择比在103数量级左右,与实验结果符合较好.因此,在IHP中必须考虑电偶极子的影响. 展开更多
关键词 ALGAN/GAN 电偶极子 光电探测器 选择比 太阳光 紫外 极化效应 光电二极管 异质结界面 分析结果 数量级 器件 UV
原文传递
移动加热器法生长碲镉汞晶体的数值模拟 被引量:1
16
作者 严北平 刘家璐 +3 位作者 张廷庆 王朝东 郎维和 张宝峰 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1995年第3期439-445,共7页
提出采用移动加热器(THM)法在稳态条件下生长碲镉汞晶体的理论模型.该模型利用与时间相关的一维物质扩散方程组,熔区自由边界通过考虑相图来确定,没有考虑对流的影响.给出了x=0.2时碲镉汞晶体生长过程的数值解.结果表明,在生长初始阶段... 提出采用移动加热器(THM)法在稳态条件下生长碲镉汞晶体的理论模型.该模型利用与时间相关的一维物质扩散方程组,熔区自由边界通过考虑相图来确定,没有考虑对流的影响.给出了x=0.2时碲镉汞晶体生长过程的数值解.结果表明,在生长初始阶段,生成晶体的组分是不均匀的,其长度与生长条件如熔区长度、加热器移动速度、温场分布等因素有关,在初始阶段过后,生成晶体的组分接近多晶料的组分. 展开更多
关键词 碲镉汞晶体 移动加热器法 晶体生长 数值模拟
原文传递
BF_2^+注入多晶硅栅F迁移特性的分析与模拟
17
作者 张廷庆 李建军 +1 位作者 刘家璐 赵元富 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第4期645-651,共7页
在深入分析BF+2注入多晶硅栅F在多晶硅栅中迁移特性的基础上,建立了F在多晶硅栅中的迁移方程.采用有限差分法,模拟了BF+2注入多晶硅栅F在多晶硅栅中的分布.模拟结果与二次离子质谱(SIMS)分析结果相符.给出了80... 在深入分析BF+2注入多晶硅栅F在多晶硅栅中迁移特性的基础上,建立了F在多晶硅栅中的迁移方程.采用有限差分法,模拟了BF+2注入多晶硅栅F在多晶硅栅中的分布.模拟结果与二次离子质谱(SIMS)分析结果相符.给出了80keV,2×1015cm-2BF+2注入多晶硅栅900℃,30min退火条件下F在多晶硅中的发射系数e=6×10-2s-1,F在多晶硅晶粒间界的扩散系数Db=7.64×10-12cm/s,F在多晶Si/SiO2界面的吸收系数S1=1.74×10-3s-1,以及F在多晶硅中的损伤吸收系数S1=7.32×10-4s-1. 展开更多
关键词 二氟化硼 氟离子注入 迁移特性 多晶硅栅
原文传递
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部