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流水线ADC增益误差及电容失配对线性度的影响
被引量:
4
1
作者
汪月花
宁宁
刘源
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第2期178-181,186,共5页
流水线ADC的系统性能会受到各种误差源的影响,建立精确的误差模型对于优化系统设计具有重要意义。根据流水线ADC系统线性度指标之间的基本关系,提出了一种改进的增益误差模型,同时导出了增益误差和电容失配与残差输出的关系。Matlab仿...
流水线ADC的系统性能会受到各种误差源的影响,建立精确的误差模型对于优化系统设计具有重要意义。根据流水线ADC系统线性度指标之间的基本关系,提出了一种改进的增益误差模型,同时导出了增益误差和电容失配与残差输出的关系。Matlab仿真表明,该模型较传统增益误差模型更好地约束了开环增益;在相同有效系统精度要求下,电容失配对INL、DNL、SFDR的影响较增益误差大。
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关键词
A/D转换器
线性度
SFDR增益误差
电容失配
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职称材料
基于三维石墨烯的可拉伸以及可穿戴的太赫兹吸波复合材料
2
作者
梁博
《科技风》
2020年第32期180-181,共2页
本文介绍了一种基于三维石墨烯泡沫并结合聚二甲基硅氧烷(PDMS)的太赫兹吸波材料,表征了这种三维石墨烯/聚二甲基硅氧烷(PDMS)复合材料的形貌,探究了这种复合材料对太赫兹波的吸收特性。在文章中,我们通过模板导向的化学沉积方法来制备...
本文介绍了一种基于三维石墨烯泡沫并结合聚二甲基硅氧烷(PDMS)的太赫兹吸波材料,表征了这种三维石墨烯/聚二甲基硅氧烷(PDMS)复合材料的形貌,探究了这种复合材料对太赫兹波的吸收特性。在文章中,我们通过模板导向的化学沉积方法来制备三维石墨烯泡沫,将制备好的三维石墨烯泡沫浸入被乙酸乙酯稀释过的聚二甲基硅氧烷(PDMS)溶液中,然后把样品放入真空箱中抽取溶液中的空气,最后在80℃的加热台上固化一个小时从而形成三维石墨烯/聚二甲基硅氧烷(PDMS)复合材料,这个过程中不需要使用发泡剂,流程十分简单。从外观上看,三维石墨烯仿佛"生在"在聚二甲基硅氧烷中。由于该复合材料对于太赫兹波有很弱的表面反射和巨大的内部吸收,因此在0.2THz至1.2THz的频率范围内,该复合材料对太赫兹波的吸收率高达90%,表明该复合材料对太赫兹波有很强的吸收特性。此外,该复合材料有良好的柔韧性,在实验中,在拉伸复合材料后,该材料依然具有良好的太赫兹吸收性能。当太赫兹波入射角依次为10度,20度,30度,40度时,太赫兹波从不同角度入射下,该材料对太赫兹波的透射率和反射率变化范围不大,透射率最高为6%。当太赫兹波入射角度为40度时,该材料对太赫兹波的反射率最高接近为10%,综合分析得出,当太赫兹波入射角度为10度,20度,30度,40度时,在0.2THz-1.2THz内,该材料对太赫兹波的吸收率最低为84%,表明无论太赫兹波束入射角怎样变化,该复合材料对太赫兹波有着极强的吸收性。由于聚二甲基硅氧烷(PDMS)有着良好的黏性,既可以将此复合材料粘附在衣物上面,在特定的电磁环境下,人体可以方便地粘附在衣物或皮肤上,避免太赫兹波对人体的影响,也可以方便地粘附在在某些电子器件表面,该复合材料吸收掉干扰该电子器件的太赫兹杂波,避免了太赫兹波对电子器件的干扰,从而在复杂的电磁环境下能更好地实现某些电子器件的功能。
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关键词
太赫兹
三维石墨烯泡沫
聚二甲基硅氧烷
吸波材料
可穿戴
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职称材料
低温沉积ITO薄膜划擦行为、微结构、电学和光学性能的研究(英文)
被引量:
3
3
作者
唐武
王雅琴
+1 位作者
刘结
张兰
《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第11期2683-2687,共5页
通过RF磁控溅射技术制备不同溅射气压下的ITO薄膜,对其电阻率、光学透过率、XRD图、AFM图和划擦行为进行了研究。薄膜和基板的附着力通过划擦测试进行表征,重点研究了薄膜划擦测试的不同阶段的特征。研究表明随着Ar溅射气压的下降,薄膜...
通过RF磁控溅射技术制备不同溅射气压下的ITO薄膜,对其电阻率、光学透过率、XRD图、AFM图和划擦行为进行了研究。薄膜和基板的附着力通过划擦测试进行表征,重点研究了薄膜划擦测试的不同阶段的特征。研究表明随着Ar溅射气压的下降,薄膜附着力下降。而且,ITO薄膜的表面形貌和电阻率强烈的依赖于Ar气压。低温沉积ITO薄膜均为非晶态,在溅射气压0.8 Pa时得到电阻率(1.25×10^(-3)Ω·cm)和高可见光透过率薄膜(90%)。研究结果表明该薄膜光学禁带约为3.85 eV,电阻率主要受载流子浓度控制,受溅射气压的变化影响有限。
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关键词
ITO
划擦测试
电阻率
原文传递
题名
流水线ADC增益误差及电容失配对线性度的影响
被引量:
4
1
作者
汪月花
宁宁
刘源
机构
电子科技大学
电子
薄膜和
集成
器件
国家
重点
实验室
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第2期178-181,186,共5页
文摘
流水线ADC的系统性能会受到各种误差源的影响,建立精确的误差模型对于优化系统设计具有重要意义。根据流水线ADC系统线性度指标之间的基本关系,提出了一种改进的增益误差模型,同时导出了增益误差和电容失配与残差输出的关系。Matlab仿真表明,该模型较传统增益误差模型更好地约束了开环增益;在相同有效系统精度要求下,电容失配对INL、DNL、SFDR的影响较增益误差大。
关键词
A/D转换器
线性度
SFDR增益误差
电容失配
Keywords
A/D converter
Linearity
SFDR
Gain error
Capacitor mismatch
分类号
TN792 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
基于三维石墨烯的可拉伸以及可穿戴的太赫兹吸波复合材料
2
作者
梁博
机构
电子科技大学电子薄膜和集成器件重点实验室
出处
《科技风》
2020年第32期180-181,共2页
基金
国家自然科学基金(项目号:61831012,51572042)
科学挑战计划(项目号:TZ2018003)资助。
文摘
本文介绍了一种基于三维石墨烯泡沫并结合聚二甲基硅氧烷(PDMS)的太赫兹吸波材料,表征了这种三维石墨烯/聚二甲基硅氧烷(PDMS)复合材料的形貌,探究了这种复合材料对太赫兹波的吸收特性。在文章中,我们通过模板导向的化学沉积方法来制备三维石墨烯泡沫,将制备好的三维石墨烯泡沫浸入被乙酸乙酯稀释过的聚二甲基硅氧烷(PDMS)溶液中,然后把样品放入真空箱中抽取溶液中的空气,最后在80℃的加热台上固化一个小时从而形成三维石墨烯/聚二甲基硅氧烷(PDMS)复合材料,这个过程中不需要使用发泡剂,流程十分简单。从外观上看,三维石墨烯仿佛"生在"在聚二甲基硅氧烷中。由于该复合材料对于太赫兹波有很弱的表面反射和巨大的内部吸收,因此在0.2THz至1.2THz的频率范围内,该复合材料对太赫兹波的吸收率高达90%,表明该复合材料对太赫兹波有很强的吸收特性。此外,该复合材料有良好的柔韧性,在实验中,在拉伸复合材料后,该材料依然具有良好的太赫兹吸收性能。当太赫兹波入射角依次为10度,20度,30度,40度时,太赫兹波从不同角度入射下,该材料对太赫兹波的透射率和反射率变化范围不大,透射率最高为6%。当太赫兹波入射角度为40度时,该材料对太赫兹波的反射率最高接近为10%,综合分析得出,当太赫兹波入射角度为10度,20度,30度,40度时,在0.2THz-1.2THz内,该材料对太赫兹波的吸收率最低为84%,表明无论太赫兹波束入射角怎样变化,该复合材料对太赫兹波有着极强的吸收性。由于聚二甲基硅氧烷(PDMS)有着良好的黏性,既可以将此复合材料粘附在衣物上面,在特定的电磁环境下,人体可以方便地粘附在衣物或皮肤上,避免太赫兹波对人体的影响,也可以方便地粘附在在某些电子器件表面,该复合材料吸收掉干扰该电子器件的太赫兹杂波,避免了太赫兹波对电子器件的干扰,从而在复杂的电磁环境下能更好地实现某些电子器件的功能。
关键词
太赫兹
三维石墨烯泡沫
聚二甲基硅氧烷
吸波材料
可穿戴
分类号
TB3 [一般工业技术—材料科学与工程]
下载PDF
职称材料
题名
低温沉积ITO薄膜划擦行为、微结构、电学和光学性能的研究(英文)
被引量:
3
3
作者
唐武
王雅琴
刘结
张兰
机构
电子科技大学
电子
薄膜和
集成
器件
国家
重点
实验室
西安交通
大学
金属材料强度国家
重点
实验室
出处
《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第11期2683-2687,共5页
基金
National Natural Science Foundation of China(51071038)
Sichuan Province Science Foundation for Youths(2010JQ0002)
+1 种基金
State Key Laboratory for Mechanical Behavior of Materials
Xi’an Jiaotong University(20131309)
文摘
通过RF磁控溅射技术制备不同溅射气压下的ITO薄膜,对其电阻率、光学透过率、XRD图、AFM图和划擦行为进行了研究。薄膜和基板的附着力通过划擦测试进行表征,重点研究了薄膜划擦测试的不同阶段的特征。研究表明随着Ar溅射气压的下降,薄膜附着力下降。而且,ITO薄膜的表面形貌和电阻率强烈的依赖于Ar气压。低温沉积ITO薄膜均为非晶态,在溅射气压0.8 Pa时得到电阻率(1.25×10^(-3)Ω·cm)和高可见光透过率薄膜(90%)。研究结果表明该薄膜光学禁带约为3.85 eV,电阻率主要受载流子浓度控制,受溅射气压的变化影响有限。
关键词
ITO
划擦测试
电阻率
Keywords
ITO films
scratch testing
resistivity
分类号
TQ133.53 [化学工程—无机化工]
TB383.2 [一般工业技术—材料科学与工程]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
流水线ADC增益误差及电容失配对线性度的影响
汪月花
宁宁
刘源
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2008
4
下载PDF
职称材料
2
基于三维石墨烯的可拉伸以及可穿戴的太赫兹吸波复合材料
梁博
《科技风》
2020
0
下载PDF
职称材料
3
低温沉积ITO薄膜划擦行为、微结构、电学和光学性能的研究(英文)
唐武
王雅琴
刘结
张兰
《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
3
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